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公開番号2025030845
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-07
出願番号2023136504
出願日2023-08-24
発明の名称発光装置
出願人日亜化学工業株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H10H 20/85 20250101AFI20250228BHJP()
要約【課題】複数の発光部を有する発光装置であって、発光部と非発光部との輝度差を大きくすることができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、配線基板と、前記配線基板上に第1方向に沿って配列された上面視矩形状の複数の発光素子と、を備える。前記発光素子は、第1部分と、前記第1方向において前記第1部分を挟んで配置された複数の第2部分と、を有する。前記第1部分は、第1半導体積層体と、前記第1半導体積層体に接続された電極と、を含む。前記第2部分は、第2半導体積層体と、前記第2半導体積層体に接続された反射層と、を含む。前記第1部分は、第1長さ部分と、第2長さ部分と、を有する。前記第1長さ部分においては、前記第1半導体積層体の前記第1方向における長さが第1長さである。前記第2長さ部分においては、前記第1半導体積層体の前記第1方向における長さが第2長さである。前記第2長さは前記第1長さよりも短い。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に第１方向に沿って配列された上面視矩形状の複数の発光素子と、
を備え、
前記発光素子は、
第１半導体積層体と、前記第１半導体積層体に接続された電極と、を含む第１部分と、
前記第１方向において、前記第１部分を挟んで配置され、第２半導体積層体と、前記第２半導体積層体に接続された反射層と、を含む複数の第２部分と、
を有し、
前記第１部分は、前記第１半導体積層体の前記第１方向における長さが第１長さである第１長さ部分と、前記第１半導体積層体の前記第１方向における長さが前記第１長さよりも短い第２長さである第２長さ部分と、を有する発光装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
上面視で、前記発光素子は、前記第１方向に延びる一対の辺、及び、前記第１方向に直交する第２方向に延びる一対の辺を有し、
前記第１長さ部分は、前記第１部分における前記第２方向中央に位置する請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上面視で、前記発光素子は、前記第１方向に延びる一対の辺、及び、前記第１方向に直交する第２方向に延びる一対の辺を有し、
前記第１半導体積層体の前記第１方向の第１位置における前記第２方向の第３長さは、前記第１半導体積層体の前記第１方向の第２位置における前記第２方向の第４長さよりも長い請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１位置は、前記第１部分における前記第１方向中央である請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１長さは、前記第１半導体積層体の前記第１方向における最大長さであり、
前記第３長さは、前記第１半導体積層体の前記第２方向における最大長さであり、
前記第１長さは前記第３長さよりも短い請求項３に記載の発光装置。
【請求項６】
上面視で、前記第１部分の形状は円形である請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
上面視で、前記第１部分の形状は楕円形である請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
上面視で、前記第１部分の形状は多角形である請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第２部分は、上面視で前記発光素子の４つの角部にそれぞれ１つずつ配置されている請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第２部分は、上面視で前記第１部分の前記第１方向両側にそれぞれ１つずつ配置されている請求項１に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、発光装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、自動車のヘッドランプの光源として、配線基板に複数の発光素子を実装した発光装置が開発されている。このような発光装置によれば、各発光素子を独立して制御することにより、発光装置全体で任意の発光パターンを実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１８０１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、複数の発光部を有する発光装置において、発光部と非発光部との輝度差を大きくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る発光装置は、配線基板と、前記配線基板上に第１方向に沿って配列された上面視矩形状の複数の発光素子と、を備える。前記発光素子は、第１部分と、前記第１方向において前記第１部分を挟んで配置された複数の第２部分と、を有する。前記第１部分は、第１半導体積層体と、前記第１半導体積層体に接続された電極と、を含む。前記第２部分は、第２半導体積層体と、前記第２半導体積層体に接続された反射層と、を含む。前記第１部分は、第１長さ部分と、第２長さ部分と、を有する。前記第１長さ部分においては、前記第１半導体積層体の前記第１方向における長さが第１長さである。前記第２長さ部分においては、前記第１半導体積層体の前記第１方向における長さが第２長さである。前記第２長さは前記第１長さよりも短い。
【発明の効果】
【０００６】
実施形態によれば、複数の発光部を有する発光装置において、発光部と非発光部との輝度差を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１の実施形態に係る発光装置を示す模式的斜視図である。
図１に示すII－II線による模式的断面図である。
図１に示す領域IIIを示す模式的上面図である。
第１の実施形態の発光素子及び透光性部材を示す模式的下面図である。
図４のV－V線による模式的断面図である。
第１の実施形態の動作を示す模式的断面図である。
第１の実施形態の第１の変形例における発光素子を示す模式的上面図である。
第１の実施形態の第２の変形例における発光素子を示す模式的上面図である。
第１の実施形態の第３の変形例に係る発光装置を示す模式的斜視図である。
第１の実施形態の第４の変形例に係る発光装置を示す模式的斜視図である。
第２の実施形態に係る発光装置を示す模式的上面図である。
第２の実施形態の発光素子及び透光性部材を示す模式的下面図である。
図１２のXIII－XIII線による模式的断面図である。
第２の実施形態の動作を示す模式的上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜第１の実施形態＞
図１は、本実施形態に係る発光装置を示す模式的斜視図である。
図２は、図１に示すII－II線による模式的断面図である。
図３は、図１に示す領域IIIを示す模式的上面図である。
図４は、本実施形態の発光素子及び透光性部材を示す模式的下面図である。
図５は、図４のV－V線による模式的断面図である。
【０００９】
図１～図３において、発光素子の構成は概略的に示している。図３においては、後述する透光性部材は図示を省略し、発光素子の半導体積層体のみを示している。
なお、図面は全て模式的なものであり、適宜、強調及び簡略化されている。また、同一の構成要素であっても、図間において寸法比が異なっていることもある。後述する他の図についても同様である。
【００１０】
図１～図３に示すように、本実施形態に係る発光装置１は、配線基板９０と、複数の発光素子８０と、を備える。複数の発光素子８０は、配線基板９０上に第１方向Ｘに沿って配列されている。各発光素子８０の形状は、上面視で矩形状である。
（【００１１】以降は省略されています）

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