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公開番号2025023660
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-17
出願番号2023127990
出願日2023-08-04
発明の名称半導体集積回路装置及びモータシステム
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類H02M 3/07 20060101AFI20250207BHJP(電力の発電,変換,配電)
要約【課題】半導体集積回路装置の内部での発熱を低減する。
【解決手段】半導体集積回路装置(11)は、第1電圧が印加されるように構成された第1端子(VB)と、前記第1端子から受け取った前記第1電圧を降圧した第2電圧を出力するように構成されたチャージポンプ回路の一部(Q1、Q2)と、前記チャージポンプ回路から受け取った前記第2電圧を降圧した第3電圧を出力するように構成されたリニア電源回路の少なくとも一部(Q3、R1、R2、REF1、AMP1)と、前記リニア電源回路から受け取った前記第3電圧を電源として用いるように構成された内部回路(1)と、前記チャージポンプ回路に含まれる外付け抵抗(31)の第1端が接続されるように構成された第2端子(CPA)と、前記外付け抵抗の第2端が接続されるように構成された第3端子(CPB)と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１電圧が印加されるように構成された第１端子と、
前記第１端子から受け取った前記第１電圧を降圧した第２電圧を出力するように構成されたチャージポンプ回路の一部と、
前記チャージポンプ回路から受け取った前記第２電圧を降圧した第３電圧を出力するように構成されたリニア電源回路の少なくとも一部と、
前記リニア電源回路から受け取った前記第３電圧を電源として用いるように構成された内部回路と、
前記チャージポンプ回路に含まれる外付け抵抗の第１端が接続されるように構成された第２端子と、
前記外付け抵抗の第２端が接続されるように構成された第３端子と、を備える、半導体集積回路装置。
続きを表示（約 850 文字）【請求項２】
前記第１端子から受け取った前記第１電圧を電源として用いるように構成された出力段を備える、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記チャージポンプ回路は、前記第２端子と前記第３端子との間の短絡と非短絡とを切り替えるように構成された切替回路を含む、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第２電圧に基づいて、前記切替回路を制御するように構成された切替制御回路を備える、請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記切替制御回路は、前記第２電圧が所定値を下回ると、前記第２端子と前記第３端子との間を非短絡から短絡に切り替えるように構成されている、請求項４に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記第２電圧に基づいて、前記チャージポンプ回路に含まれるキャパシタの充放電を制御するように構成された充放電制御回路を備える、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
前記第２端子に接続される電流源を備える、請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記内部回路は、前記出力段を直接又は間接的に制御するように構成された制御回路を含む、請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
プリドライバを備え、
前記制御回路は、前記プリドライバを介して、前記出力段を間接的に制御するように構成されており、
前記プリドライバは、前記第１端子から受け取った前記第１電圧又は前記第１電圧を昇圧した電圧を電源として用いるように構成されている、請求項８に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
プリドライバを介して、前記出力段を間接的に制御するように構成された制御回路を備え、
前記内部回路は、前記プリドライバを含む、請求項２に記載の半導体集積回路装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書中に開示されている発明は、半導体集積回路装置及びモータシステムに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１で開示されているモータ駆動装置（導体集積回路装置）では、内部電源回路が電源電圧から内部電源電圧を生成し、これをモータ駆動装置各部（ロジック回路など）に供給する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－１０２６５８号公報
【０００４】
［概要］
しかしながら、電源電圧と内部電源電圧との差が大きく、内部電源電圧が供給される回路の回路電流が大きくなってくると、半導体集積回路装置の発熱が大きくなる。内部電源回路をリニア電源回路としてリニア電源回路の出力トランジスを外付け部品にする対策、或いは、内部電源回路をスイッチングレギュレータとする対策が考えられるが、これらの対策が実行された場合、コストアップ、実装面積アップ等の弊害が生じてしまう。
【０００５】
本明細書中に開示されている半導体集積回路装置は、第１電圧が印加されるように構成された第１端子と、前記第１端子から受け取った前記第１電圧を降圧した第２電圧を出力するように構成されたチャージポンプ回路の一部と、前記チャージポンプ回路から受け取った前記第２電圧を降圧した第３電圧を出力するように構成されたリニア電源回路の少なくとも一部と、前記リニア電源回路から受け取った前記第３電圧を電源として用いるように構成された内部回路と、前記チャージポンプ回路に含まれる外付け抵抗の第１端が接続されるように構成された第２端子と、前記外付け抵抗の第２端が接続されるように構成された第３端子と、を備える。
【０００６】
本明細書中に開示されているモータシステムは、モータと、前記モータを駆動するように構成された上記構成の半導体集積回路装置と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、第１実施形態に係るモータシステムの概略構成を示す図である。
図２は、半導体集積回路装置の外観斜視図である。
図３は、第１実施形態に係る半導体集積回路装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図４は、第１実施形態に係る半導体集積回路装置の他の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図５は、第１実施形態に係る半導体集積回路装置のさらに他の動作を説明するためのタイミングチャートである。
図６は、端子ＶＢに印加される電圧と半導体集積回路装置の消費電力との関係を示す図である。
図７は、第２実施形態に係るモータシステムの概略構成を示す図である。
図８は、第３実施形態に係るモータシステムの概略構成を示す図である。
図９は、第４実施形態に係るモータシステムの概略構成を示す図である。
【０００８】
［詳細な説明］
本明細書において、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）とは、ゲートの構造が、「導電体または抵抗値が小さいポリシリコン等の半導体からなる層」、「絶縁層」、及び「Ｐ型、Ｎ型、又は真性の半導体層」の少なくとも３層からなる電界効果トランジスタをいう。つまり、ＭＯＳＦＥＴのゲートの構造は、金属、酸化物、及び半導体の３層構造に限定されない。
【０００９】
本明細書において基準電圧とは、理想的な状態において一定である電圧を意味しており、実際には温度変化等により僅かに変動し得る電圧である。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係るモータシステムの概略構成を示す図である。図１に示すモータシステムＳＹＳ１は、半導体集積回路装置１１と、モータ２１と、抵抗３１と、キャパシタ３２及び３３と、を備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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