TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025020787
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-02-13
出願番号
2023124370
出願日
2023-07-31
発明の名称
転写ウエハ、及びLED素子の転写方法
出願人
株式会社東海理化電機製作所
代理人
個人
,
個人
主分類
H10H
20/85 20250101AFI20250205BHJP()
要約
【課題】ウエハに生じた反りをLED素子の転写時により容易に矯正する。
【解決手段】厚みが100μm以上400μm以下の支持基板と、前記支持基板の一主面に所定の配列で設けられた複数のLED素子と、を備え、回路基板への複数の前記LED素子の一括転写に用いられる、転写ウエハ。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
厚みが100μm以上400μm以下の支持基板と、
前記支持基板の一主面に所定の配列で設けられた複数のLED素子と、
を備え、
回路基板への複数の前記LED素子の一括転写に用いられる、転写ウエハ。
続きを表示(約 280 文字)
【請求項2】
前記支持基板の厚みは、100μm以上200μm以下である、請求項1に記載の転写ウエハ。
【請求項3】
前記支持基板は、矩形形状である、請求項1又は2に記載の転写ウエハ。
【請求項4】
前記支持基板は、サファイア基板である、請求項1又は2に記載の転写ウエハ。
【請求項5】
厚みが100μm以上400μm以下の支持基板の一主面に所定の配列で複数のLED素子を形成するステップと、
複数の前記LED素子を回路基板へ一括で転写するステップと、
を含む、LED素子の転写方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、転写ウエハ、及びLED素子の転写方法に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、新たなディプレイ技術として、マイクロLED(Light Emitting Diode)ディスプレイが注目されている。マイクロLEDディスプレイは、小型化したLED素子を画素として表示面にアレイ状に配列した表示装置である。マイクロLEDディスプレイは、各画素のLED素子の発光を個別に制御することで、高コントラストかつ高応答速度で画像を表示することができる。
【0003】
LED素子は、例えば、基板上にエピタキシャル成長させた化合物半導体をヘテロ接合させることで構成される。ただし、LED素子が形成された基板には、基板と、エピタキシャル成長させた化合物半導体との格子定数又は熱膨張係数の差によって反りが生じることがある。
【0004】
ここで、マイクロLEDディスプレイを製造する際に、成長用基板に形成された複数のLED素子を回路基板に押圧することで、複数のLED素子を回路基板に一括して転写することが検討されている。このような場合、LED素子が形成された成長用基板に生じた反りは、回路基板へのLED素子の均一な転写を困難にしてしまう。そのため、成長用基板の反りを抑制する、又はLED素子の転写時に成長用基板の反りを矯正することが求められている。
【0005】
例えば、下記の特許文献1には、サファイア基板上に化合物半導体を結晶成長させる際に、サファイア基板の両主面に溝を設けることでサファイア基板に生じる反りを抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2000-174335号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、上記の特許文献1に開示された技術では、LED素子の転写時に、基板の両主面に設けられた溝によって応力集中が発生するため、成長用基板であるサファイア基板を均一に押圧することが困難であった。
【0008】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、ウエハに生じた反りをLED素子の転写時により容易に矯正することが可能な、新規かつ改良された転写ウエハ、及びLED素子の転写方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、厚みが100μm以上400μm以下の支持基板と、前記支持基板の一主面に所定の配列で設けられた複数のLED素子と、を備え、回路基板への複数の前記LED素子の一括転写に用いられる、転写ウエハが提供される。
【0010】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、厚みが100μm以上400μm以下の支持基板の一主面に所定の配列で複数のLED素子を形成するステップと、複数の前記LED素子を回路基板へ一括で転写するステップと、を含む、LED素子の転写方法が提供される。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
個人
集積回路
15日前
シチズン電子株式会社
発光装置
9日前
HOYA株式会社
光照射装置
15日前
個人
低ノイズ超高速イメージセンサ
25日前
富士電機株式会社
半導体装置
15日前
株式会社東芝
計算装置
1日前
株式会社半導体エネルギー研究所
記憶装置
8日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置
8日前
個人
スーパージャンクションMOSFET
22日前
三菱電機株式会社
半導体装置
15日前
株式会社カネカ
太陽電池製造方法
16日前
ローム株式会社
半導体装置
16日前
ローム株式会社
窒化物半導体装置
9日前
国立研究開発法人産業技術総合研究所
半導体装置
1日前
個人
半導体装置
1日前
日亜化学工業株式会社
発光素子
2日前
ローム株式会社
発光装置
16日前
東ソー株式会社
積層体及びそれを備えた熱電変換材料
9日前
サンケン電気株式会社
半導体装置
15日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
22日前
ローム株式会社
半導体装置
8日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
15日前
ローム株式会社
半導体装置
1日前
ローム株式会社
半導体装置
1日前
東レ株式会社
積層体、ディスプレイ、積層体の製造方法
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
16日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
15日前
豊田合成株式会社
発光素子
1日前
株式会社東芝
光電変換素子
1日前
株式会社アイシン
ペロブスカイト太陽電池
8日前
株式会社デンソー
半導体装置
9日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法、発光装置
1日前
キヤノン株式会社
光学式センサー
9日前
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
光検出装置
15日前
東芝ライテック株式会社
発光装置
2日前
ミネベアパワーデバイス株式会社
半導体装置
2日前
続きを見る
他の特許を見る