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公開番号2025013169
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2024078984
出願日2024-05-14
発明の名称半導体パッケージ及びその製造方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250117BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】垂直方向に延びる下部構造と水平方向に延びる上部構造を含むTタイプのUBM(アンダーバンプメタル)技術において、配線機能を有しない上部構造を配線ラインに換え、この配線ラインによって再配線ビアとUBMビアとを水平方向に電気的に接続する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ100は、複数の再配線ビア114及び複数のUBM(アンダーバンプメタル)構造体112を含む第1再配線構造体110と、第1再配線構造体上の第1半導体ダイ130と、を備え、複数のUBM構造体のそれぞれは、UBMビアと、UBMビア上に水平方向に延びて複数の再配線ビアのうちの一つの再配線ビアとUBMビアとを水平方向に電気的に接続するUBM配線ライン113と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
複数の再配線ビア及び複数のUBM(アンダーバンプメタル)構造体を含む第1再配線構造体と、
前記第1再配線構造体上の第1半導体ダイと、を備え、
前記複数のUBM構造体のそれぞれは、
UBMビアと、
前記UBMビア上に水平方向に延びて前記複数の再配線ビアのうちの一つの再配線ビアと前記UBMビアとを水平方向に電気的に接続するUBM配線ラインと、を含むことを特徴とする半導体パッケージ。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記複数のUBM構造体は、複数の信号UBM構造体を含み、
前記複数の信号UBM構造体のUBMビアは、信号UBMビアであり、
前記複数の信号UBM構造体のUBM配線ラインは、信号UBM配線ラインであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
【請求項3】
前記複数の信号UBM構造体のそれぞれの信号UBM構造体は、
一つの信号UBMビアと、
前記一つの信号UBMビアに対応する一つの信号UBM配線ラインと、を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ。
【請求項4】
前記信号UBM配線ラインは、細長型の形状を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージ。
【請求項5】
前記複数のUBM構造体は、複数の接地UBM構造体を含み、
前記複数の接地UBM構造体のUBMビアは、接地UBMビアであり、
前記複数の接地UBM構造体のUBM配線ラインは、接地UBM配線ラインであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
【請求項6】
前記複数の接地UBM構造体のそれぞれの接地UBM構造体は、
一つ以上の接地UBMビアと、
前記一つ以上の接地UBMビアに対応する一つの接地UBM配線ラインと、を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体パッケージ。
【請求項7】
前記一つ以上の接地UBMビアは、複数であり、
前記一つの接地UBM配線ラインは、複数の接地UBMビアを併合(merge)することを特徴とする請求項6に記載の半導体パッケージ。
【請求項8】
前記複数のUBM構造体は、複数の電力UBM構造体を含み、
前記複数の電力UBM構造体のUBMビアは、電力UBMビアであり、
前記複数の電力UBM構造体のUBM配線ラインは、電力UBM配線ラインであることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
【請求項9】
前記複数のUBM構造体のそれぞれは、垂直に延びる下部のUBMビア及び水平に延びる上部のUBM配線ラインを合わせてTタイプの形状を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
【請求項10】
前記UBM配線ラインは、前記UBMビアを基準に、一方向及び水平方向に延びる第1部分、及び前記一方向の反対方向の他方向及び水平方向に延びる第2部分を含み、
前記第1部分の水平方向の長さと前記第2部分の水平方向の長さとは、異なることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
続きを表示(約 2,400 文字)【背景技術】
【0002】
半導体チップを基板及びインタポーザなどに接続させるための媒介体として、一般的にソルダ又はバンプを使用する。しかし、半導体チップの導電性パッド上に直接ソルダ又はバンプを接続させることは困難であるため、アンダーバンプメタル(Under Bump metallization:UBM)を導電性パッドとソルダ又はバンプとの間に配置することで、導電性パッドとソルダ又はバンプとの間の接着を向上させることができる。しかし、このようにUBMを使用しても、UBMとUBMを囲む誘電体層との接着がうまく行われず、UBMの側面が誘電体層から剥離することがある。これを解決するために、UBMをT字形状に実現して、UBMと誘電体層との間に接着層(Adhesionlayer)を介在させ、UBMと誘電体層との間の接着を向上させることができるTタイプのUBM技術が開発された。
【0003】
しかし、TタイプのUBM技術を使用すると、T字形状で水平方向に延びる上部構造を形成するための一つの層、及び上部構造を再配線ラインに連結するための追加ビア構造を形成するためのもう一つの層が更に必要になるため、半導体パッケージの製造にかかる所要時間(Turn Around Time:TAT)が増加し、半導体パッケージを製造するための費用が増加する。また、TタイプのUBMが含まれる前面再配線(Front side Redistribution layer:FRDL)構造体の厚さがより厚くなるため、パッケージオンパッケージ(Package on Package:PoP)構造において、TタイプのUBMを含む前面再配線構造体と後面再配線(Back side Redistribution layer:BRDL)構造体との間に厚さの差が生じ、これにより常温又は高温工程を行う時に、半導体パッケージに反り(Warpage)が発生する可能性がある。
【0004】
従って、このような従来の技術の間題点を解決することができる新しい半導体パッケージ技術の開発が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2019-87719号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、上記従来の問題点位鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、TタイプのUBM技術において、従来は配線ラインとして機能しなかった水平方向に延びる上部構造と、上部構造を再配線ラインに連結するための追加ビア構造とを削除した半導体パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による半導体パッケージは、複数の再配線ビア及び複数のUBM(アンダーバンプメタル)構造体を含む第1再配線構造体と、前記第1再配線構造体上の第1半導体ダイと、を備え、前記複数のUBM構造体のそれぞれは、UBMビアと、前記UBMビア上で水平方向に延びて前記複数の再配線ビアのうちの一つの再配線ビアと前記UBMビアとを水平方向に電気的に接続するUBM配線ラインと、を含む。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による半導体パッケージは、複数のUBM(アンダーバンプメタル)構造体、前記複数のUBM構造体上の複数の再配線ビア及び複数の再配線ライン、並びに前記複数のUBM構造体、前記複数の再配線ビア、及び前記複数の再配線ラインを囲む誘電体層を含む第1再配線構造体と、前記第1再配線構造体の下部面上の複数の接続部材と、前記第1再配線構造体上の第1半導体ダイと、前記第1再配線構造体上の複数の導電性ポストと、前記第1再配線構造体上に配置されて前記第1半導体ダイ及び前記複数の導電性ポストをモールディングするモールディング材と、前記モールディング材上の第2再配線構造体と、前記第2再配線構造体上の第2半導体ダイと、を備え、前記複数のUBM構造体のそれぞれは、UBMビアと、前記UBMビア上で水平方向に延びて前記複数の再配線ビアのうちの一つの再配線ビアと前記UBMビアとを水平方向に電気的に接続するUBM配線ラインと、を含む。
【0009】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による半導体パッケージの製造方法は、キャリア上に複数のUBM(アンダーバンプメタル)構造体及び複数の再配線ビアを含む第1再配線構造体を形成するステップと、前記第1再配線構造体上に第1半導体ダイを実装するステップと、前記第1再配線構造体上に複数の導電性ポストを形成するステップと、前記第1再配線構造体上で前記第1半導体ダイ及び前記複数の導電性ポストをモールディング材でモールディングするステップと、前記モールディング材上に第2再配線構造体を形成するステップと、を有し、前記複数のUBM構造体のそれぞれは、UBMビアと、前記UBMビア上で水平方向に延びて前記複数の再配線ビアのうちの一つの再配線ビアと前記UBMビアとを水平方向に電気的に接続するUBM配線ラインと、を含む。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、垂直方向に延びる下部構造と水平方向に延びる上部構造を含むTタイプのUBM技術において、UBM側面の剥離を解決するための構造的な側面で機能を有するだけで、配線機能を有しない上部構造を配線ラインに換え、この配線ラインによって再配線ビアとUBMビアとを水平方向に電気的に接続することができる。
(【0011】以降は省略されています)

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