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公開番号2025014437
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-30
出願番号2023116985
出願日2023-07-18
発明の名称静電チャックモジュール
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人IBC一番町弁理士法人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250123BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】樹脂の耐熱温度以上で動作する静電チャックモジュールを提供する。
【解決手段】
下部に冷媒を流すことができる流路を備え、上部に凹部と凹部の外周に配置された凸部を備えた基台と、基台の凹部に配置された断熱材と、断熱材上または断熱材の内部に配置された抵抗発熱体と、断熱材上及び抵抗発熱体上に配置された均熱板と、均熱板上に配置され、静電気により被処理体を吸着するための電極を備えるセラミックスプレートと、を備え、基台の凸部は、均熱板と接合されている、静電チャックモジュールが提供される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
下部に冷媒を流すことができる流路を備え、上部に凹部と前記凹部の外周に配置された凸部を備えた基台と、
前記基台の凹部に配置された断熱材と、
前記断熱材上または前記断熱材の内部に配置された抵抗発熱体と、
前記断熱材上及び前記抵抗発熱体上に配置された均熱板と、
前記均熱板上に配置され、静電気により被処理体を吸着するための電極を備えるセラミックスプレートと、を備え、
前記基台の凸部は、前記均熱板と接合されている、静電チャックモジュール。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記抵抗発熱体は複数あり、
複数の前記抵抗発熱体は、同心円形状に配置され、
複数の前記抵抗発熱体は、独立に３００℃以上の温度で加熱できる、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項３】
使用温度における前記セラミックスプレートの熱膨張係数と前記均熱板の静電チャックの熱膨張係数との差は、±２×１０
－６
／Ｋ以内である、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項４】
前記基台の凸部の厚みは、２ｍｍ以上５ｍｍ以下である、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項５】
前記均熱板は、無機接着剤を用いて直接または間接に前記断熱材と接着される、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項６】
前記均熱板と前記断熱材の間に絶縁物を介し、前記抵抗発熱体が前記均熱板に直接接触しない、請求項５に記載の静電チャックモジュール。
【請求項７】
前記基台の凸部の下部にラビリンス構造が配置される、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項８】
前記均熱板は、前記基台と締結部材によって固定される、請求項１に記載の静電チャックモジュール。
【請求項９】
前記締結部材の固定に皿ばねまたはばね力を有する部材を用いる、請求項８に記載の静電チャックモジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は静電チャックモジュールに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
高温で動作する静電チャックモジュールが開発されている。特許文献１には、静電チャックが、冷却を目的とした冷媒を流すための流路を備えておりベース表面及びベース裏面を有する金属ベースと、金属ベースのベース表面側に配置され、セラミックスからなる本体基板と、本体基板に設けられた吸着用電極と、を備えている。静電チャックは、さらに本体基板に設けられたヒータと、金属ベースと本体基板との間に配置された接着層と、を備えている。本体基板は、ヒータよりも金属ベース側に配置された断熱層を含んでいる。断熱層には、同一平面上において互いに所定の間隔を空けて配置された複数の微小空間が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－７２４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の静電チャックは、１５０℃以上の高温で動作する。しかしながら、特許文献１の静電チャックは、高温部品を固定するための接着層にシリコーン樹脂を用いており、必然的に樹脂の耐熱温度以上の高温には耐えられない。そこで、本開示の目的は、冷却するための基台を備え、且つ当該耐熱温度以上の温度で動作する静電チャックモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の静電チャックモジュールは、
下部に冷媒を流すことができる流路を備え、上部に凹部と前記凹部の外周に配置された凸部を備えた基台と、
前記基台の凹部に配置された断熱材と、
前記断熱材上または前記断熱材の内部に配置された抵抗発熱体と、
前記断熱材上及び前記抵抗発熱体上に配置された均熱板と、
前記均熱板上に配置され、静電気により被処理体を吸着するための電極を備えるセラミックスプレートと、を備え、
前記基台の凸部は、前記均熱板と接合されている、静電チャックモジュールである。
【０００６】
上記構成により、樹脂の耐熱温度以上の温度で動作する静電チャックモジュールを提供できる。
【０００７】
本開示の静電チャックモジュールは、
前記抵抗発熱体は複数あり、
複数の前記抵抗発熱体は、同心円形状に配置され、
複数の前記抵抗発熱体は、独立に３００℃以上の温度で加熱できる、ことを特徴とする。
【０００８】
上記構成により、静電チャックモジュールの使用温度を３００℃以上で、且つ、セラミックスプレート表面に搭載される被処理体に対し均熱性の高い制御ができる。
【０００９】
本開示の静電チャックモジュールは、
使用温度における前記セラミックスプレートの熱膨張係数と前記均熱板の静電チャックの熱膨張係数との差は、±２×１０
－６
／Ｋ以内である、ことを特徴とする。
【００１０】
上記構成により、熱膨張によりセラミックスプレートにかかる応力を所定値以下にでき、セラミックスプレートの破損を防止できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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