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公開番号2025011477
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-24
出願番号2023113616
出願日2023-07-11
発明の名称光電変換パネルの製造方法、光電変換パネル、及びX線撮像パネル
出願人シャープディスプレイテクノロジー株式会社
代理人弁理士法人イノベンティア
主分類H10F 39/10 20250101AFI20250117BHJP()
要約【課題】配線が露出することを防止しながら、部品点数を削減し、製造工程数を削減することが可能な光電変換パネルの製造方法、光電変換パネル、及びX線撮像パネルを提供する。
【解決手段】光電変換パネルの製造方法は、ショートリングを形成し、TFTとショートリングとに接続される複数のデータ線を形成し、フォトダイオードよりも上層に、フォトダイオードに接続されるバイアス線の第1導電部分を形成し、第1導電部分を形成した後に、複数のデータ線12を切断することにより、ショートリング53とTFT15とを電気的に遮断し、データ線12が切断されることにより生じた遮断部42に、無機絶縁膜107bを形成する。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
基板上の画素領域にトランジスタを形成し、
前記画素領域に、前記トランジスタに接続されたフォトダイオードを形成し、
平面視で前記画素領域を囲むように、ショートリングを形成し、
前記ショートリングによって短絡される複数の配線であって、前記トランジスタ又は前記フォトダイオードと、前記ショートリングとに接続される複数の配線を形成し、
前記フォトダイオードよりも上層に、前記フォトダイオードに接続されるバイアス線を形成し、
前記バイアス線を形成した後に、前記複数の配線を切断することにより、前記ショートリングと前記トランジスタ又は前記フォトダイオードとを電気的に遮断し、
前記複数の配線が切断されることにより生じた凹部に、第１絶縁膜を形成する、光電変換パネルの製造方法。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記複数の配線を形成することは、
前記ショートリングが形成された層よりも上層に、導電性の層を形成し、
前記導電性の層を覆うように、第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜のうちの、前記複数の配線のうちの切断される部分と平面視で重なる部分を除去して、前記導電性の層を露出させることを含む、請求項１に記載の光電変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記導電性の層を形成することは、アルミニウムを含む導電性の材料により、前記導電性の層を形成することを含み、
前記第２絶縁膜を形成することは、二酸化ケイ素を含む絶縁性の材料により、前記第２絶縁膜を形成することを含み、
前記複数の配線を形成することは、前記第２絶縁膜を形成した後に、前記導電性の層のうちの少なくとも露出した部分を熱処理することにより、前記露出した部分がアルミニウムシリコン合金を含む状態に変化させることを含み、
前記バイアス線を形成することは、ドライエッチングを行うことを含み、
前記複数の配線を切断することは、ウエットエッチングを行うことを含む、請求項２に記載の光電変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記画素領域の外側で、かつ、前記ショートリングの内側において、前記複数の配線上に複数の端子を、さらに形成し、
前記複数の配線を切断することは、前記複数の配線のうちの、前記複数の端子と前記ショートリングとを接続する部分を切断することを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の光電変換パネルの製造方法。
【請求項５】
前記トランジスタを形成することは、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極よりも上層にソース電極又はドレイン電極を形成することを含み、
前記ショートリングを形成することは、前記ゲート電極が形成された層と同一の層に、前記ショートリングを形成することを含み、
前記複数の配線を形成することは、前記ソース電極又は前記ドレイン電極が形成された層と同一の層に、前記複数の配線を形成することを含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の光電変換パネルの製造方法。
【請求項６】
基板上の画素領域に形成されたトランジスタと、
前記画素領域に形成されたフォトダイオードであって、前記トランジスタに接続されたフォトダイオードと、
平面視で前記画素領域を囲むように形成されたリング状配線と、
前記トランジスタ又は前記フォトダイオードに接続された第１導電部分と、前記リング状配線に接続された第２導電部分とを有する配線部であって、前記第１導電部分と前記第２導電部分とは、電気的に遮断されている配線部と、
前記フォトダイオードよりも上層に形成されたバイアス線であって、前記フォトダイオードに接続されたバイアス線と、
前記バイアス線よりも上層に形成された第１絶縁膜であって、前記第１導電部分と前記第２導電部分との間に少なくとも一部が形成されることにより、前記第１導電部分と前記第２導電部分とを絶縁する第１絶縁膜と、を備える、光電変換パネル。
【請求項７】
基板上の画素領域に形成されたトランジスタと、
前記画素領域に形成されたフォトダイオードであって、前記トランジスタに接続されたフォトダイオードと、
平面視で前記画素領域を囲むように形成されたリング状配線と、
前記トランジスタ又は前記フォトダイオードに接続された第１部分と、前記リング状配線に接続された第２部分とを有する配線部であって、前記第１部分と前記第２部分とは、電気的に遮断されている配線部と、
前記フォトダイオードよりも上層に形成されたバイアス線であって、前記フォトダイオードに接続されたバイアス線と、
前記バイアス線よりも上層に形成された第１絶縁膜であって、前記第１部分と前記第２部分との間に少なくとも一部が形成されることにより、前記第１部分と前記第２部分とを絶縁する第１絶縁膜と、
前記画素領域を覆うように形成されたシンチレータと、を備える、Ｘ線撮像パネル。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、光電変換パネルの製造方法、光電変換パネル、及びＸ線撮像パネルに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体発光装置の製造方法が開示されている。この製造方法では、基板に複数の電極を形成する工程と、基板を分断する工程の前に、複数の電極の全てに接続される短絡配線を、分断ラインを跨ぐように基板上に形成する工程とが実行される。その後、基板を分断ラインに沿って分断する工程が実行される。
【０００３】
特許文献２には、ショートリングを備えたアクティブマトリクス基板が開示されている。このアクティブマトリクス基板は、複数のゲート配線と複数のソース配線とトランジスタとを含む表示回路部と、静電気保護素子と、ショートリングと、ヒューズと、ヒーターとを含む。ヒューズは、ショートリングと表示回路部との間に配置されている。ショートリングは、ヒューズ及び静電気保護素子を介して表示回路部に接続されており、ヒューズが切断される前の状態において、表示回路部を短絡させる。そして、ヒーターによりヒューズを加熱した後、ヒューズに電流を流して、ヒューズを切断する。これにより、表示回路部は、ショートリングに対して遮断される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平７－９９３４４号公報
【０００５】
特開２０１１－１６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の半導体発光装置の製造方法によれば、分断する工程よりも前の工程では、短絡配線により、静電気を分散させることができる。しかしながら、基板を分断ラインに沿って分断する工程が行われた後、基板の外端面には、短絡配線が露出する。露出した短絡配線から、静電気が侵入しやすくなるという問題点がある。
【０００７】
上記特許文献２に記載されているアクティブマトリクス基板の製造方法では、ヒーターによりヒューズを加熱した後、ヒューズに電流を流して、ヒューズを切断することにより、ショートリングが表示回路部から遮断される。これにより、基板を分断する上記特許文献１と異なり、ショートリングが基板の外端面に露出しない。
【０００８】
しかしながら、上記特許文献２に記載のアクティブマトリクス基板では、ショートリングを表示回路部（トランジスタ）から電気的に遮断するために、アクティブマトリクス基板にヒューズ及びヒーターを設ける必要がある。このため、アクティブマトリクス基板（パネル）の部品点数が増大する。また、ヒューズ及びヒーターをアクティブマトリクス基板に配置する製造工程と、ヒューズ及びヒーターにそれぞれ電流を流すための製造工程とが必要になる。
【０００９】
そこで、本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、配線が露出することを防止しながら、部品点数を削減し、製造工程数を削減することが可能な光電変換パネルの製造方法、光電変換パネル、及びＸ線撮像パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本開示の第１の態様に係る光電変換パネルの製造方法は、基板上の画素領域にトランジスタを形成し、前記画素領域に、前記トランジスタに接続されたフォトダイオードを形成し、平面視で前記画素領域を囲むように、ショートリングを形成し、前記ショートリングによって短絡される複数の配線であって、前記トランジスタ又は前記フォトダイオードと、前記ショートリングとに接続される複数の配線を形成し、前記フォトダイオードよりも上層に、前記フォトダイオードに接続されるバイアス線を形成し、前記バイアス線を形成した後に、前記複数の配線を切断することにより、前記ショートリングと前記トランジスタ又は前記フォトダイオードとを電気的に遮断し、前記複数の配線が切断されることにより生じた凹部に、第１絶縁膜を形成する。
（【００１１】以降は省略されています）

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