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公開番号2025005802
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-17
出願番号2023106178
出願日2023-06-28
発明の名称レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物
出願人東京応化工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/039 20060101AFI20250109BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】感度、解像性、及びエッチング耐性のいずれも良好なレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A1)を含有し、前記樹脂成分(A1)は、下記一般式(a0)で表される構成単位(a0)を含む、レジスト組成物。Rpg⁰は、酸解離性基を表す。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、
前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物。
TIFF
2025005802000101.tif
81
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０１
及びＬ
０３
は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表し；Ｌ
０２
は、－ＣＯＯ－又は－ＣＯＮＨ－を表し；Ａｒ
０１
及びＡｒ
０２
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリーレン基を表し；Ｒｐｇ
０
は、酸解離性基を表す。］
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記構成単位（ａ０）が、下記一般式（ａ０－１）で表される構成単位である、請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025005802000102.tif
52
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０１１
及びＬ
０１３
は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表し；Ｌ
０１２
は、－ＣＯＯ－又は－ＣＯＮＨ－を表し；Ｒａ
０１
及びＲａ
０２
は、それぞれ独立に、置換基を表し；ｍ０１及びｍ０２は、それぞれ独立に、０又は１を表し；ｎ０１及びｎ０２は、それぞれ独立に、原子価が許容する限り０以上の整数を表し；Ｒｐｇ
０１
は、酸解離性基を表す。ｎ０１が２以上の整数のとき、２以上のＲａ
０１
は、それぞれ同じでもよく、異なってもよい。ｎ０２が２以上の整数のとき、２以上のＲａ
０２
は、それぞれ同じでもよく、異なってもよい。］
【請求項３】
支持体上に、請求項１に記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有する、レジストパターン形成方法。
【請求項４】
下記一般式（ｍ０）で表される、化合物。
TIFF
2025005802000103.tif
77
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０１
及びＬ
０３
は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表し；Ｌ
０２
は、－ＣＯＯ－又は－ＣＯＮＨ－を表し；Ａｒ
０１
及びＡｒ
０２
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基を表し；Ｒｐｇ
０
は、酸解離性基を表す。］
【請求項５】
請求項４に記載の化合物から誘導される構成単位を有する高分子化合物。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化（高エネルギー化）が行われている。
【０００３】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。
このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【０００４】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、前記基材成分として、複数の構成単位を有する樹脂が用いられている。
例えば、特許文献１には、芳香族炭化水素基に環状の酸分解性基が結合した構成単位を有する樹脂成分を含有するレジスト組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－２１９４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リソグラフィー技術のさらなる進歩、レジストパターンの微細化がますます進むなか、例えば、ＥＵＶやＥＢによるリソグラフィーでは、数十ｎｍの微細なパターン形成が目標とされる。このようにレジストパターン寸法が小さくなるほど、感度及び解像性等のリソグラフィー特性を各々トレードオフすることなく、改善することが求められる。
しかしながら、これらのリソグラフィー特性はトレードオフの関係にあり、これらの特性をいずれも満足させることは困難である。
さらに、微細パターンに伴うレジスト膜の薄膜化に伴い、エッチング耐性の高いレジスト膜を形成可能なレジスト組成物が求められている。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、感度、解像性、及びエッチング耐性のいずれも良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、当該レジスト組成物の製造に利用可能な高分子化合物、並びに当該高分子化合物の合成に利用可能な化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分（Ａ１）を含有し、前記樹脂成分（Ａ１）は、下記一般式（ａ０）で表される構成単位（ａ０）を含む、レジスト組成物である。
【０００９】
TIFF
2025005802000001.tif
81
170
［式中、Ｒは、水素原子、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～５のハロゲン化アルキル基を表し；Ｌ
０１
及びＬ
０３
は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表し；Ｌａ
０２
は、－ＣＯＯ－又は－ＣＯＮＨ－を表し；Ａｒ
０１
及びＡｒ
０２
は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリーレン基を表し；Ｒｐｇ
０
は、酸解離性基を表す。］
【００１０】
本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様に係るレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を有することを特徴とする、レジストパターン形成方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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