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公開番号2025001352
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-08
出願番号2023100878
出願日2023-06-20
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類G01R 19/165 20060101AFI20241225BHJP(測定;試験)
要約【課題】ノードの電位を検出回路に精度良く伝達できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、入力電圧に応じた電位にある検出ノード103,105と、検出ノードの電位を検出するための検出回路20a,20bと、検出ノードと検出回路との間に配置された、Pチャネル型のMOSトランジスタおよびMOSトランジスタのゲートに一端が接続されたプルアップ抵抗を有するスイッチ回路15a,15bと、検出ノードとMOSトランジスタのソースとを接続する接続経路110,112と、を備える。MOSトランジスタのゲートは、プルアップ抵抗の他端に入力電圧に応じた電位が接続経路とは別の経路を通じて供給されることによって、MOSトランジスタがオフとなるようにプルアップされる。検出ノードの電位は、MOSトランジスタがオンのとき、接続経路およびMOSトランジスタを通じて検出回路に伝達される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
入力電圧に応じた電位にある検出ノードと、
前記検出ノードの電位を検出するための検出回路と、
前記検出ノードと前記検出回路との間に配置された、Ｐチャネル型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタおよび前記ＭＯＳトランジスタのゲートに一端が接続されたプルアップ抵抗を有するスイッチ回路と、
前記検出ノードと前記ＭＯＳトランジスタのソースとを接続する接続経路と、を備え、
前記ＭＯＳトランジスタのゲートは、前記プルアップ抵抗の他端に前記入力電圧に応じた電位が前記接続経路とは別の経路を通じて供給されることによって、前記ＭＯＳトランジスタがオフとなるようにプルアップされ、
前記検出ノードの電位は、前記ＭＯＳトランジスタがオンのとき、前記接続経路および前記ＭＯＳトランジスタを通じて前記検出回路に伝達される、
半導体装置。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記入力電圧が供給される入力ノードと、
前記入力電圧に応じた電圧に基づき動作する動作回路と、
前記入力ノードと前記動作回路との間に配置された、前記入力ノードと前記動作回路との間に流れる電流を検出するための電流検出抵抗と、をさらに備える、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記検出ノードは、前記電流検出抵抗の前記動作回路側の端部であり、
前記プルアップ抵抗の他端は、前記電流検出抵抗の前記入力ノード側の端部に接続される、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記スイッチ回路は、Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタをさらに有し、
前記Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタは、ドレインが前記プルアップ抵抗の一端に接続され、ソースにグランド電位が供給されるように配置される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタは、Ｐチャネル型のＤＭＯＳ（Double Diffused Metal Oxide Semiconductor）トランジスタで構成される、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スイッチ回路の動作を制御する制御回路をさらに備え、
前記制御回路は、前記入力電圧が所定の電圧より低いときに、前記Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタがオンとなるように、前記スイッチ回路の動作を制御する、
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタは、スイッチング素子として半導体装置において利用されている（特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－７８７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本発明者らは以下の課題を認識するに至った。半導体装置の回路において、特定のノードの電位を検出したいことがある。この場合、この電位を検出する検出回路を必要に応じて当該ノードと接続できるように、検出回路とノードとの間にＭＯＳトランジスタを含むスイッチを配置することが考えられる。本発明者らは、このスイッチの動作により、検出の対象となるノードの電位を精度良く検出回路に伝達できないことがあることを認識するに至った。
【０００５】
本開示はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その例示的な目的の一つは、ノードの電位を検出回路に精度良く伝達できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のある態様の半導体装置は、入力電圧に応じた電位にある検出ノードと、検出ノードの電位を検出するための検出回路と、検出ノードと検出回路との間に配置された、Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタおよびＭＯＳトランジスタのゲートに一端が接続されたプルアップ抵抗を有するスイッチ回路と、検出ノードとＭＯＳトランジスタのソースとを接続する接続経路と、を備える。ＭＯＳトランジスタのゲートは、プルアップ抵抗の他端に入力電圧に応じた電位が接続経路とは別の経路を通じて供給されることによって、ＭＯＳトランジスタがオフとなるようにプルアップされる。検出ノードの電位は、ＭＯＳトランジスタがオンのとき、接続経路およびＭＯＳトランジスタを通じて検出回路に伝達される。
【０００７】
なお、以上の構成要素の任意の組合せ、本開示の表現を方法、装置、システムなどの間で変換したものもまた、本開示の態様として有効である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、精度よくノードの電位を検出できる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の概念的なブロック図である。
図２は、本開示の一実施形態に係る半導体装置の回路図である。
図３は、比較技術に係る半導体装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（概要）
本開示のいくつかの例示的な実施形態の概要を説明する。この概要は、後述する詳細な説明の前置きとして、実施形態の基本的な理解を目的として、１つまたは複数の実施形態のいくつかの概念を簡略化して説明するものであり、発明あるいは開示の広さを限定するものではない。この概要は、考えられるすべての実施形態の包括的な概要ではなく、すべての実施形態の重要な要素を特定することも、一部またはすべての態様の範囲を線引きすることも意図していない。便宜上、「一実施形態」は、本明細書に開示するひとつの実施形態（実施例や変形例）または複数の実施形態（実施例や変形例）を指すものとして用いる場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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