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公開番号2024180082
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023099523
出願日2023-06-16
発明の名称発光装置、表示装置、ウェアラブル装置、および発光装置の製造方法
出願人シャープ株式会社,学校法人名城大学
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H01L 33/08 20100101AFI20241219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】迷光を低減する。
【解決手段】本開示に係る発光装置(10)は、第1発光層を含む第1半導体層(11)と、第2発光層を含む第2半導体層(12)とを備え、第1半導体層(11)が有する第1側壁(W1)と、第2半導体層(12)が有する第2側壁(W2)とが間隙(S1)を介して隣り合い、第1側壁(W1)の法線と第2側壁(W2)の法線とが平行でない(α≠0°)。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１発光層を含む第１半導体層と、第２発光層を含む第２半導体層とを備え、
前記第１半導体層が有する第１側壁と、前記第２半導体層が有する第２側壁とが間隙を介して隣り合い、
前記第１側壁の法線と前記第２側壁の法線とが平行でない、発光装置。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
前記第１側壁および前記第２側壁間の最小距離が３０〔ｎｍ〕～２．０〔μｍ〕である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１半導体層および前記第２半導体層を平面視したときの前記第１側壁および前記第２側壁間の距離が一定でない、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記間隙の屈折率は、前記第１半導体層および前記第２半導体層の屈折率よりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１発光層および前記第２発光層は、光取り出し面からの距離が異なる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１側壁および前記第２側壁からも光が出射する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１側壁および前記第２側壁は、平面形状である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１側壁および前記第２側壁は、湾曲形状である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、平面視において四角形である、請求項７に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、平面視において楕円である、請求項８に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置、表示装置、ウェアラブル装置、および発光装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数のマイクロＬＥＤが行と列に配列された平面視で矩形状のマイクロＬＥＤパネルを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１８５５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述のような従来技術には、視認可能な程度の迷光が生じる問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光装置は、第１発光層を含む第１半導体層と、第２発光層を含む第２半導体層とを備え、前記第１半導体層が有する第１側壁と、前記第２半導体層が有する第２側壁とが間隙を介して隣り合い、前記第１側壁の法線と前記第２側壁の法線とが平行でない、構成である。
【０００６】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置は、本開示に係る発光装置を含む構成である。
【０００７】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係るウェアラブル装置は、本開示に係る発光装置を含む構成である。
【０００８】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る発光装置の製造方法は、成長用基板に半導体結晶を成長させる工程と、前記半導体結晶をパターニングすることで、第１発光層を含み、第１側壁を有する第１半導体層と、第２発光層を含み、第２側壁を有する第２半導体層とを形成する工程とを含み、前記第１側壁と前記第２側壁とが間隙を介して隣り合い、前記第１側壁の法線および前記第２側壁の法線を平行としない、方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様によれば、迷光を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の一例を示す平面図である。
図１のアノードを通るＸ方向断面図である。
図１のカソードを通るＸ方向断面図である。
図１の第１～３発光素子それぞれを通るＹ方向断面図である。
比較例１に係る発光装置の構成を示す平面図およびＸ方向断面図を含む二面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の別の幾つかの例を示す平面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の別の幾つかの例を示す平面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の別の幾つかの例を示す平面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の別の一例を示す平面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の構成の別の一例を示す平面図である。
本開示に係る半導体層の様々な形状例を示す平面図である。
本開示に係る半導体層の位置関係の一例を示す平面図である。
本開示に係る半導体層の位置関係の一例を示す平面図である。
本開示に係る半導体層の位置関係の一例を示す平面図である。
発光層から出射する光の配光分布を示すＸ方向断面図である。
図５に示した比較例１の発光層が発光しているときの、取出される光の強度分布を示す図である。
図５に示した比較例１の主発光および周期状迷光を示すＸ方向断面図である。
図５に示した比較例のブロードな迷光および周期状迷光を示すＸ方向断面図である。
本実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
実施例１に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
実施例１に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
実施例１に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
実施例１に係る発光装置の製造方法を示す断面図である。
本実施形態の実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
比較例２に係る発光装置の１つの発光素子を発光させ、撮影した写真を示す図である。
実施例２に係る発光装置の１つの発光素子を発光させ、撮影した写真を示す図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置の平面図である。
本開示の一実施形態に係る発光装置のアノードを通るＸ方向断面図である。
本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。
本開示の一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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