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公開番号2024175648
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-18
出願番号2024048225
出願日2024-03-25
発明の名称温度調整モジュール
出願人技嘉科技股ふん有限公司,Giga-Byte Technology Co.,Ltd.
代理人個人
主分類G06F 15/78 20060101AFI20241211BHJP(計算;計数)
要約【目的】マザーボード上の周辺回路素子の温度を効果的に調整することのできる温度調整モジュールを提供する。
【解決手段】温度調整モジュールは、温度変更モジュールおよび温度制御モジュールを含む。温度変更モジュールは、温度変更領域を含む。温度変更モジュールは、温度変更領域および熱伝導材料を介してマザーボード上の周辺回路素子と接触している。温度制御モジュールは、温度変更モジュールに電気接続され、温度変更モジュールの温度を目標温度に到達するように制御するように構成される。温度変更モジュールは、さらに、温度変更領域内にプリント基板を含み、温度変更モジュールの温度は、プリント基板上の巻線または電子部品のうちの少なくとも1つによって変更される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
温度変更領域を含み、前記温度変更領域および熱伝導材料を介してマザーボード上の周辺回路素子と接触している温度変更モジュールと、
前記温度変更モジュールに電気接続され、前記温度変更モジュールの温度を目標温度に到達するように制御するように構成された温度制御モジュールと、
を含み、前記温度変更モジュールが、さらに、前記温度変更領域内にプリント基板を含み、前記温度変更モジュールの前記温度が、前記プリント基板上の巻線または電子部品のうちの少なくとも１つによって変更される温度調整モジュール。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記温度調整モジュールが、また、
前記温度変更モジュールと前記周辺回路素子の間に配置された金属サーモスタットを含み、前記金属サーモスタットと前記周辺回路素子の間の第１接触領域が、前記金属サーモスタットと前記温度変更モジュールの間の第２接触領域よりも大きい請求項１に記載の温度調整モジュール。
【請求項３】
前記温度変更領域内に配置され、前記温度制御モジュールに電気接続された温度センサーをさらに含み、
前記マザーボードの主回路素子上の冷却モジュールが前記主回路素子を冷却するとき、前記温度センサーが、前記周辺回路素子の周辺温度を検出し、
前記温度制御モジュールが、前記周辺温度が前記目標温度よりも低いか高いかを判断し、前記温度変更モジュールの前記温度を前記目標温度に到達するように制御するかどうかを決定する請求項１に記載の温度調整モジュール。
【請求項４】
前記冷却モジュールが、前記主回路素子を第１温度まで冷却し、前記第１温度が、前記目標温度より低いか、それに等しい請求項３に記載の温度調整モジュール。
【請求項５】
前記温度変更モジュールが、また、
前記熱伝導材料を介して複数の周辺回路素子に接触するように構成された複数の温度変更領域を含む請求項３に記載の温度調整モジュール。
【請求項６】
前記複数の温度変更領域の少なくとも一部が、異なる目標温度に対応する請求項５に記載の温度調整モジュール。
【請求項７】
前記周辺回路素子および前記主回路素子が、同じ基板の同じ側に配置された請求項３に記載の温度調整モジュール。
【請求項８】
前記周辺回路素子および前記主回路素子が、同じ基板の異なる側に配置された請求項３に記載の温度調整モジュール。
【請求項９】
前記温度制御モジュールが、前記マザーボード上に配置され、前記温度制御モジュールが、接続線を介して前記温度変更モジュールに電気接続された請求項３に記載の温度調整モジュール。
【請求項１０】
前記温度制御モジュールが、複数の接続線を介して複数の温度変更モジュールに電気接続された請求項９に記載の温度調整モジュール。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、調整モジュールに関するものであり、特に、温度調整モジュールに関するものである。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
現在、コンピュータマザーボード（mother board, MB）上の中央処理装置（central processing unit, CPU）チップ、グラフィックス処理装置（graphics processing unit, GPU）チップ、および／またはメモリ（memory）モジュールに対して極限のオーバークロックを行う過程において、液体窒素または液体ヘリウムを使用してオーバークロック対象素子を冷却することができるため、オーバークロック対象素子の周波数が極端に高い周波数まで増加する可能性がある。さらに、冷却過程において、オーバークロック対象素子に隣接するマザーボード上の周辺回路素子が同時に冷却される可能性がある。その際に、周辺回路素子の最適な動作温度が極端な低温度にならない、あるいは冷却不足が生じる可能性があるため、オーバークロック対象素子の操作効率が周辺回路素子によって正常に、または効率的に動作できなくなり、その結果、オーバークロック対象素子の実際の操作効率がオーバークロックによって対応する効率改善効果を実現できなくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、マザーボード上の周辺回路素子の温度を効果的に調整することのできる温度調整モジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の温度調整モジュールは、温度変更モジュールおよび温度制御モジュールを含む。温度変更モジュールは、温度変更領域を含む。温度変更モジュールは、温度変更領域および熱伝導材料を介してマザーボード上の周辺回路素子と接触している。温度制御モジュールは、温度変更モジュールに電気接続され、温度変更モジュールの温度を目標温度に到達するように制御するように構成される。温度変更モジュールは、さらに、温度変更領域内にプリント基板を含み、温度変更モジュールの温度は、プリント基板上の巻線または電子部品のうちの少なくとも１つによって変更される。
【発明の効果】
【０００５】
以上のように、本発明の温度調整モジュールは、冷却モジュールが主回路素子を冷却した後に、主回路素子の周囲の周辺回路素子に対して温度調整を行うことができるため、主回路素子は、良好な動作条件で操作することができる。
【０００６】
本発明の特徴および利点をより明確かつ容易に理解できるようにするために、下記の実施形態を提供し、添付図面と併せて以下に詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の１つの実施形態に係る温度調整モジュールの概略的回路図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度調整モジュールの概略的回路図である。
本発明の１つの実施形態に係るマザーボード上に配置された温度調整モジュールの概略図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度調整方法のフローチャートである。
本発明の１つの実施形態に係るマザーボード上に配置された温度調整モジュールの概略図である。
本発明の１つの実施形態に係るマザーボード上に配置された温度調整モジュールの概略図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度変更モジュールの複数の温度変更領域の概略的分布図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度変更モジュールの複数の温度変更領域の概略的分布図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度変更モジュールの複数の温度変更領域の概略的分布図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度制御モジュールおよび温度調整モジュールの概略的構造図である。
本発明の１つの実施形態に係る温度制御モジュールおよび温度調整モジュールの概略的構造図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の内容を理解しやすくするために、下記の具体的な実施形態を本発明の実際の実施形態として示す。また、可能な限り、図面および実施形態において同じ参照番号を有する素子／構成要素／ステップは、同じ、または類似する部分を表している。
【０００９】
本発明の各実施形態において説明する主回路素子は、コンピュータマザーボード（mother board, MB）上に取り付けられた中央処理装置（central processing unit, CPU）チップ、グラフィックス処理装置（graphics processing unit, GPU）チップ、およびメモリ（memory）モジュールのうちの少なくとも１つを含むことができる。メモリモジュールは、例えば、ダブルデータレート同期動的ランダムアクセスメモリ（double data rate synchronous dynamic random access memory, DDR SDRAM）であってもよい。本発明の各実施形態において説明する周辺回路素子は、抵抗器、キャパシタ、インダクタ、トランジスタ、電源ステージ（power stage）回路、その他の機能チップ、および／または関連する回路配線などの主回路素子の周囲に配置された回路素子を含むことができる。
【００１０】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る温度調整モジュールの概略的回路図である。図１を参照すると、温度調整モジュール１００は、温度制御モジュール１１０および温度変更モジュール１２０を含む。温度制御モジュール１１０は、温度変更モジュール１２０に電気接続される。本実施形態において、温度調整モジュール１００は、マザーボード上に配置されるように構成され、周辺回路素子に対して温度調整を行うように構成される。具体的に説明すると、温度変更モジュール１２０は、温度変更領域を含むことができ、温度変更モジュール１２０は、温度変更領域および熱伝導材料を介して周辺回路素子と接触することができる。熱伝導材料は、例えば、放熱グリス（thermal paste）または関連する熱インターフェース材料（thermal interface material）であってもよい。本実施形態において、温度制御モジュール１１０は、温度変更モジュール１２０の温度を目標温度に到達するように制御するように構成される。つまり、温度制御モジュール１１０は、温度変更モジュール１２０を介して周辺回路素子の温度を直接調整することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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