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公開番号2024166522
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-29
出願番号2023082673
出願日2023-05-19
発明の名称基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
出願人株式会社KOKUSAI ELECTRIC
代理人ポレール弁理士法人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20241122BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】基板処理のばらつきを抑制することが可能な技術を提供する。
【解決手段】(a)貯留部に第1処理ガスを貯留する工程と、(b)前記(a)の後に、第1温度の前記貯留部内から前記第1処理ガスを基板に供給して、前記貯留部の温度を前記第1温度よりも低い第2温度にする工程と、(c)前記(b)の後に、前記第1処理ガスを供給した後の前記貯留部の温度を、前記第2温度と異なる第3温度にする工程と、が当該順に行われるサイクルを複数回行い、複数の前記サイクル間における前記第3温度を等しくする。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
（ａ）貯留部に第１処理ガスを貯留する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、第１温度の前記貯留部内から前記第１処理ガスを基板に供給して、前記貯留部の温度を前記第１温度よりも低い第２温度にする工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記第１処理ガスを供給した後の前記貯留部の温度を第３温度にする工程と、
が当該順に行われるサイクルを複数回行い、
複数の前記サイクル間における前記第３温度を所定の温度範囲内にする、基板処理方法。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記第３温度は、前記第２温度以上の温度である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第３温度は、前記第２温度より低い温度である、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記（ａ）は、前記（ｃ）において前記貯留部の温度が前記第３温度になった時点で開始する、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
複数の前記サイクルは、前記第１温度が等しい２つ以上のサイクルの組を少なくとも１つ含む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項６】
複数の前記サイクル間における前記第１温度が等しくなるように、前記サイクルを複数回行う、請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記（ａ）として、
（ａ１）前記第１処理ガスを前記貯留部に貯留する工程と、
（ａ２）前記（ａ１）の後に、前記貯留部の温度を前記第１温度にする工程と、
を行う、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記（ａ）において、
（ａ３）前記（ａ２）の後、所定の時間が経過するまで、前記貯留部の温度を前記第１温度に保つ工程をさらに行う、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記（ａ）において、
（ａ４）前記貯留部内に貯留された前記第１処理ガスの温度を前記第１温度にする工程、
をさらに行う、請求項６～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記サイクルは、
（ｄ）前記（ａ）の前に、前記第１処理ガスを予備加熱部に供給する工程をさらに有する、請求項１～８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラムに関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
処理ガスを貯留部に貯留する工程と、貯留部内に貯留された処理ガスを基板に供給する工程と、を所定の回数行って基板が処理されることがある（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－１３６３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理のばらつきを抑制することが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によれば、
（ａ）貯留部に第１処理ガスを貯留する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の後に、第１温度の前記貯留部内から前記第１処理ガスを基板に供給して、前記貯留部の温度を前記第１温度よりも低い第２温度にする工程と、
（ｃ）前記（ｂ）の後に、前記第1処理ガスを供給した後の前記貯留部の温度を、前記第２温度と異なる第３温度にする工程と、
が当該順に行われるサイクルを複数回行い、
複数の前記サイクル間における前記第３温度を等しくする技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板処理のばらつきを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分の縦断面図である。
図２は本開示の一態様で好適に用いられる基板処理装置の第１処理ガス供給系の概略構成図である。
図３は図１に示す基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系の一例のブロック図である。
図４は図１に示す基板処理装置を用いた基板処理プロセスの一例のフローチャートである。
図５は図４に示す第１処理ガス供給工程の温調工程を有しない比較例におけるタンクの温度と時間の関係が示される図である。
図６は図４に示す第１処理ガス供給工程におけるタンクの温度と時間の関係が示される図である。
図７（ａ）は図４に示す貯留工程のサブ工程の第１例のフローチャートである。図７（ｂ）は図４に示す貯留工程のサブ工程の第２例のフローチャートである。図７（ｃ）は図４に示す貯留工程のサブ工程の第３例のフローチャートである。図７（ｄ）は図４に示す貯留工程のサブ工程の第４例のフローチャートである。
図８は図４に示す第１処理ガス供給工程のサブ工程の他例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の一態様について、主に図１～図４を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間において、実質的に同一の要素には同一の符号を付し、各要素が最初に登場した図面において当該要素の説明が行われ、以降の図面では特に必要がない限りその説明が省略される。明細書中に特段の断りが無い限り、各要素は一つに限定されず、複数存在してもよい。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
【００１０】
本態様の基板処理装置は、縦型の処理炉２０２を備えている。処理炉２０２は、石英（ＳｉＯ
２
）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料で構成された反応管２０３を備えている。反応管２０３の外側には、加熱装置としてのヒータ２０７が、反応管２０３と同心円状に設けられている。ヒータ２０７には、加熱用電源２５０が接続されている。反応管２０３の下方には、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。反応管２０３下端部とシールキャップ２１９上面との間には、気密部材としてのＯリング２２０が配置されている。シールキャップ２１９は、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属から構成され、反応管２０３の下端開口を気密に閉塞可能なように構成されている。反応管２０３の内部は、基板としてのウエハ２００を収容する処理室２０１として構成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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