TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2024158890
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-08
出願番号
2023074508
出願日
2023-04-28
発明の名称
表示装置及び表示装置の製造方法
出願人
株式会社ジャパンディスプレイ
代理人
弁理士法人スズエ国際特許事務所
主分類
H10K
59/122 20230101AFI20241031BHJP()
要約
【課題】表示特性の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の映像方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る表示装置は、下電極と、下電極の第1部分を覆い、下電極の第2部分と重なる画素開口を有するリブと、リブ上に配置されたボトム部と、ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、画素開口を通じて下電極を覆う有機層と、有機層を覆い、ボトム部に接触した上電極とを備える。下電極の第1部分の厚さは、下電極の第2部分の厚さと異なる。
【選択図】図5
特許請求の範囲
【請求項1】
下電極と、
前記下電極の第1部分を覆い、当該下電極の第2部分と重なる画素開口を有するリブと、
前記リブ上に配置されたボトム部と、当該ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層と、
前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極と
を備え、
前記下電極の第1部分の厚さは、当該下電極の第2部分の厚さと異なる
表示装置。
続きを表示(約 690 文字)
【請求項2】
前記下電極の第1部分の厚さは、当該下電極の第2部分の厚さよりも厚い請求項1記載の表示装置。
【請求項3】
前記下電極は、前記有機層の側に導電性酸化物層が配置された積層構造を有し、
前記下電極の第1部分の前記導電性酸化物層の厚さは、前記下電極の第2部分の前記導電性酸化物層の厚さよりも厚く、
前記下電極の第1部分の前記導電性酸化物層以外の層の厚さは、前記下電極の第2部分の前記導電性酸化物層以外の層の厚さと同一である
請求項2記載の表示装置。
【請求項4】
前記下電極の第2部分の厚さは一定である請求項2記載の表示装置。
【請求項5】
前記下電極の第2部分の前記リブに近い部分の厚さは、当該下電極の第2部分の前記リブから離れた部分の厚さよりも厚い請求項2記載の表示装置。
【請求項6】
前記下電極の第2部分のうちの厚さが最も薄い部分の幅は、前記画素開口の幅よりも短い請求項5記載の表示装置。
【請求項7】
前記下電極の第1部分の厚さは一定である請求項2記載の表示装置。
【請求項8】
前記画素開口を形成する前記リブの端部は、前記下電極と接触する請求項2記載の表示装置。
【請求項9】
前記上電極を覆うキャップ層を更に備える請求項1~8のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項10】
前記キャップ層及び前記隔壁を連続的に覆う封止層を更に備える請求項9記載の表示装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,900 文字)
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を適用した表示装置が実用化されている。
【0003】
上記した表示装置を製造する過程において、当該表示装置における表示特性が劣化する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2000-195677号公報
特開2004-207217号公報
特開2008-135325号公報
特開2009-32673号公報
特開2010-118191号公報
国際公開第2018/179308号
米国特許出願公開第2022/0077251号明細書
特開2013-213733号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、表示特性の劣化を抑制することが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に係る表示装置は、下電極と、前記下電極の第1部分を覆い、当該下電極の第2部分と重なる画素開口を有するリブと、前記リブ上に配置されたボトム部と、当該ボトム部の上に配置された軸部と、当該軸部の上に配置され、当該軸部の側面から突出したトップ部とを含む隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆う有機層と、前記有機層を覆い、前記ボトム部に接触した上電極とを備える。前記下電極の第1部分の厚さは、当該下電極の第2部分の厚さと異なる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
実施形態に係る表示装置の構成例を示す図。
副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図。
図2中のIII-III線に沿う表示装置の概略的な断面図。
隔壁に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図。
表示装置の製造方法の一例を示すフローチャート。
リブ及び隔壁を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図。
図6に続く工程を示す概略的な断面図。
図7に続く工程を示す概略的な断面図。
図8に続く工程を示す概略的な断面図。
図9に続く工程を示す概略的な断面図。
図10に続く工程を示す概略的な断面図。
表示素子を形成するための工程の一例を示す概略的な断面図。
図12に続く工程を示す概略的な断面図。
図13に続く工程を示す概略的な断面図。
図14に続く工程を示す概略的な断面図。
図15に続く工程を示す概略的な断面図。
図16に続く工程を示す概略的な断面図。
薬液処理について説明するための図。
薬液処理が実施された後の画素開口の端部を含む概略的な断面図。
薬液処理が実施された後の画素開口の端部を含む概略的な断面図。
表示装置の製造方法の他の例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸及びZ軸を記載する。X軸に沿った方向を第1方向Xと称し、Y軸に沿った方向を第2方向Yと称し、Z軸に沿った方向を第3方向Zと称する。第3方向Zは、第1方向Xと第2方向Yを含む平面に対して法線方向である。また、第3方向Zと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
個人
層状熱素子
3日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
1か月前
三桜工業株式会社
全樹脂熱利用発電素子
25日前
TDK株式会社
圧電デバイス
1か月前
ローム株式会社
ホール素子
4日前
株式会社東芝
電子回路及び計算装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置、電子機器
24日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
24日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1か月前
旺宏電子股ふん有限公司
メモリデバイス
3日前
キヤノン株式会社
有機発光素子
26日前
TDK株式会社
光検知装置及び信号処理方法
24日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
10日前
国立研究開発法人物質・材料研究機構
横型熱電効果の計測装置及び方法
1か月前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置
1か月前
旺宏電子股ふん有限公司
半導体デバイス及びその製造方法
9日前
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
光センサの材料、及び素子構造
24日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
18日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
26日前
パナソニックIPマネジメント株式会社
光電変換材料および光検出方法
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
5日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
18日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置、表示装置の製造方法
16日前
国立研究開発法人情報通信研究機構
信号処理回路および信号処理方法
1か月前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置の製造方法
16日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置の製造方法
16日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置およびその製造方法
1か月前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
16日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置の製造方法および表示装置
10日前
国立大学法人 東京大学
熱電変換モジュールおよび熱流センサ
24日前
エスケーハイニックス株式会社
半導体装置
1か月前
続きを見る
他の特許を見る