TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024155846
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-31
出願番号2024067252
出願日2024-04-18
発明の名称表示装置、電子機器
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10K 59/38 20230101AFI20241024BHJP()
要約【課題】量子ドットを用いた色変換層が劣化しにくい表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、を有し、絶縁層は、基板上に位置し、かつ、開口を有し、色変換層は、開口内に位置する部分を有し、第1の無機膜は、開口内で絶縁層と色変換層との間に位置する部分と、前記開口内で基板と色変換層との間に位置する部分と、を有し、第2の無機膜は、色変換層上に位置する部分を有する、表示装置を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、を有し、
前記絶縁層は、前記基板上に位置し、かつ、開口を有し、
前記色変換層は、前記開口内に位置する部分を有し、
前記第1の無機膜は、前記開口内で前記絶縁層と前記色変換層との間に位置する部分と、前記開口内で前記基板と前記色変換層との間に位置する部分と、を有し、
前記第2の無機膜は、前記色変換層上に位置する部分を有する、表示装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、を有し、
前記絶縁層は、前記基板上に位置し、かつ、開口を有し、
前記色変換層は、前記開口内に位置する部分を有し、
前記第1の無機膜は、前記開口内で前記絶縁層と前記色変換層との間に位置する部分と、前記開口内で前記基板と前記色変換層との間に位置する部分と、前記絶縁層上に位置する部分と、を有し、
前記第2の無機膜は、前記色変換層上に位置する部分と、前記絶縁層上で第1の無機膜上に位置する部分と、を有する、表示装置。
【請求項3】
請求項2において、
前記第1の無機膜は、前記第2の無機膜と接する部分を有する、表示装置。
【請求項4】
基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、第3の無機膜と、を有し、
前記絶縁層は、前記基板上に位置し、かつ、開口を有し、
前記色変換層は、前記開口内に位置する部分を有し、
前記第1の無機膜は、前記開口内で前記絶縁層と前記色変換層との間に位置する部分と、前記開口内で前記基板と前記色変換層との間に位置する部分と、前記絶縁層上に位置する部分と、を有し、
前記第2の無機膜は、前記色変換層上に位置する部分と、前記絶縁層上で第1の無機膜上に位置する部分を有し、
前記第3の無機膜は、前記基板と前記絶縁層との間に位置する部分と、前記基板と前記第1の無機膜の間に位置する部分と、を有する、表示装置。
【請求項5】
請求項4において、
前記第1の無機膜は、前記第2の無機膜および前記第3の無機膜と接する部分を有する、表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記基板の上面から前記絶縁層の上面までの高さが、前記基板の上面から前記色変換層の上面までの高さより高い、表示装置。
【請求項7】
請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
着色層を有し、
前記着色層は、前記基板と前記絶縁層との間に位置する部分と、前記基板と前記第1の無機膜の間に位置する部分と、を有する、表示装置。
【請求項8】
請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
発光デバイスを有し、
前記発光デバイスは、前記色変換層と重なる、表示装置。
【請求項9】
請求項1乃至請求項5のいずれか一の表示装置と、検知部、入力部、または、通信部と、を有する電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、有機半導体デバイス、発光デバイス、受光デバイス、発光装置、受光装置、表示装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
続きを表示(約 1,600 文字)【背景技術】
【0002】
量子ドット(QD:Quantum dot)を色変換層に使用したディスプレイが普及し始めている。量子ドットとは、直径が数ナノメートル程度と小さい半導体のナノ粒子のことである。量子サイズ効果により、粒子のサイズによってバンドギャップを調節することができるため、粒子のサイズに依存して入射光を異なる波長の光に変換することができる。具体的には、粒子のサイズが小さくなるにつれて、短波長の光に変換することができるようになり、粒子のサイズが大きくなるにつれて、長波長の光に変換することができるようになる。量子ドットを色変換層に使用したディスプレイでは、この性質を活用して、副画素ごとに粒子のサイズを変えることで、同じ波長の光を副画素ごとに異なる色の光に変換し、フルカラー表示を可能にしている。
【0003】
ただし、量子ドットには、効率を高めるために毒性の高いカドミウムを使用する必要があること、耐久性が低いこと、などのデメリットがある。例えば特許文献1には、量子ドットが酸素などの不純物により劣化する恐れがあることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特許6159302号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
量子ドットを色変換層に用いた発光装置において量子ドットが劣化し、色変換層が劣化すると、表示装置の表示品位が落ちるなどの問題が起きてしまう。
【0006】
そこで、本発明の一態様は、色変換層への酸素の侵入を防止することを課題とする。または、本発明の一態様は、色変換層が劣化しにくい表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様は、製造工程において色変換層を容易に形成することのできる表示装置を提供することを課題とする。または、本発明の一態様の表示装置は、表示装置の表示品位を向上させることを課題とする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題とする。
【0007】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様は、基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、を有し、絶縁層は、基板上に位置し、かつ、開口を有し、色変換層は、開口内に位置する部分を有し、第1の無機膜は、開口内で絶縁層と色変換層との間に位置する部分と、開口内で基板と色変換層との間に位置する部分と、を有し、第2の無機膜は、色変換層上に位置する部分を有する、表示装置である。
【0009】
また、本発明の一態様は、基板と、絶縁層と、色変換層と、第1の無機膜と、第2の無機膜と、を有し、絶縁層は、基板上に位置し、かつ、開口を有し、色変換層は、開口内に位置する部分を有し、第1の無機膜は、開口内で絶縁層と色変換層との間に位置する部分と、開口内で基板と色変換層との間に位置する部分と、絶縁層上に位置する部分と、を有し、第2の無機膜は、色変換層上に位置する部分と、絶縁層上で第1の無機膜上に位置する部分と、を有する、表示装置である。
【0010】
また、本発明の一態様は、上記構成の表示装置において、第1の無機膜は、第2の無機膜と接する部分を有する、表示装置である。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する
Flag Counter

関連特許

個人
層状熱素子
3日前
三桜工業株式会社
全樹脂熱利用発電素子
25日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
1か月前
ローム株式会社
ホール素子
4日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置、電子機器
24日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
1か月前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
24日前
旺宏電子股ふん有限公司
メモリデバイス
3日前
TDK株式会社
光検知装置及び信号処理方法
24日前
キヤノン株式会社
有機発光素子
26日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置
10日前
旺宏電子股ふん有限公司
半導体デバイス及びその製造方法
9日前
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
光センサの材料、及び素子構造
24日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光装置
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
18日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
5日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
18日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置、表示装置の製造方法
16日前
ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置およびその製造方法
1か月前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置の製造方法
16日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置及び表示装置の製造方法
16日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置の製造方法および表示装置
10日前
キオクシア株式会社
半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
16日前
国立大学法人 東京大学
熱電変換モジュールおよび熱流センサ
24日前
株式会社エネコートテクノロジーズ
素子の製造方法
1か月前
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社
半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
1か月前
公益財団法人電磁材料研究所
圧電性材料膜およびその製造方法ならびに振動発電素子
16日前
パイオニア株式会社
発光装置
26日前
三星電子株式会社
磁気抵抗素子及び半導体装置
3日前
ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション
リン光性材料
16日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
3日前
エスケーハイニックス株式会社
半導体装置およびその製造方法
26日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子、表示装置、電子機器および照明装置
3日前
株式会社ジャパンディスプレイ
表示装置、表示装置用マザー基板、及び、表示装置の製造方法
1か月前
続きを見る