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公開番号2024152283
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023066389
出願日2023-04-14
発明の名称素子、ボロメータ及び素子製造方法
出願人日本電気株式会社
代理人個人,個人
主分類G01J 1/02 20060101AFI20241018BHJP(測定;試験)
要約【課題】ナノカーボンを含む膜に接続された電極を形成しやすい素子、ボロメータ及び素子製造方法を提供する。
【解決手段】素子は、第一絶縁層と、ナノカーボンを含む膜である中間層と、第二絶縁層と、が順に積層され、中間層が切り出された積層端面を有する積層構造と、積層端面において、中間層に接続されているコンタクト電極と、を備える。
【選択図】図13
特許請求の範囲【請求項１】
第一絶縁層と、ナノカーボンを含む膜である中間層と、第二絶縁層と、が順に積層され、前記中間層が切り出された積層端面を有する積層構造と、
前記積層端面において、前記中間層に接続されているコンタクト電極と、
を備える
素子。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記積層端面の前記第一絶縁層と前記第二絶縁層との間において、前記中間層が前記コンタクト電極に向かって露出している請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記積層端面において、前記第一絶縁層の端面である第一端面と、前記中間層の端面である中間端面と、前記第二絶縁層の端面である第二端面とが連続している請求項１または２に記載の素子。
【請求項４】
前記コンタクト電極が、前記第二絶縁層の表面に重なって延びている請求項１または２に記載の素子。
【請求項５】
前記中間層が、半導体型カーボンナノチューブを含む請求項１または２に記載の素子。
【請求項６】
前記中間層がシランカップリング剤を介して、前記第一絶縁層に積層されている請求項１または２に記載の素子。
【請求項７】
請求項１または２に記載の素子と、
前記素子が配置されている基板と、
を備える
ボロメータ。
【請求項８】
第一絶縁層を形成するステップと、
前記第一絶縁層に、ナノカーボンを有する中間層を積層するステップと、
前記中間層に、第二絶縁層を積層するステップと、
前記中間層が切り出された積層端面を形成するステップと、
前記積層端面において、前記中間層に接続されているコンタクト電極を形成するステップと、
を含む素子製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、素子、ボロメータ及び素子製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ボロメータをはじめとする赤外線センサに、ナノカーボンを使用することが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、カーボンナノチューブから構成される、ネットワーク状の構造を有する膜の上に形成された電極が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－２５０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された電極は、絶縁膜を形成する前に、カーボンナノチューブの膜上に電極を形成している。このためカーボンナノチューブの膜の表面が露出している状態で電極を形成するため、カーボンナノチューブネットワーク等のナノカーボンを含む膜に接続された電極を形成しにくいことがある。
【０００６】
本開示の目的は、上述した課題を解決する素子、ボロメータ及び素子製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る素子は、第一絶縁層と、ナノカーボンを含む膜である中間層と、第二絶縁層と、が順に積層され、前記中間層が切り出された積層端面を有する積層構造と、前記積層端面において、前記中間層に接続されているコンタクト電極と、を備える。
【０００８】
本開示の一態様に係る素子製造方法は、第一絶縁層を形成するステップと、前記第一絶縁層に、ナノカーボンを有する中間層を積層するステップと、前記中間層に、第二絶縁層を積層ステップと、前記中間層が切り出された積層端面を形成するステップと、前記積層端面において、前記中間層に接続されているコンタクト電極を形成するステップと、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
上記一態様によれば、ナノカーボンを含む膜に接続された電極を形成しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第一実施形態におけるボロメータの断面図である。
第一実施形態における製造方法のフロー図である。
第一実施形態における第一絶縁層形成直後の積層断面図である。
第一実施形態におけるＡＰＴＥＳ単分子膜形成直後の積層断面図である。
第一実施形態におけるナノカーボンを含む膜形成直後の積層断面図である。
第一実施形態における第二絶縁層形成直後の積層断面図である。
第一実施形態におけるエッチング処理直後の積層断面図である。
第一実施形態におけるコンタクト電極形成直後の積層断面図である。
エッチング後の素子の積層構造の平面図である。
電極形成後の素子の平面図である。
比較例における素子の積層断面図（Ａ）である。
比較例における素子の積層断面図（Ｂ）である。
第二実施形態における素子の最小構成の積層断面図である。
第三実施形態における製造方法の最小構成のフロー図である。
ナノカーボンを含む膜の成膜有無による素子の電気伝導特性の比較を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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