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公開番号2024141069
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023052511
出願日2023-03-29
発明の名称SiC延長インゴットの製造方法
出願人有限会社サクセス,有限会社ドライケミカルズ
代理人弁護士法人滝田三良法律事務所
主分類C30B 29/36 20060101AFI20241003BHJP(結晶成長)
要約【課題】本発明は、本発明は、結晶の成長性に依存することなく長尺なインゴットを得ることができ、結晶の品質を維持しながら優れた加工性を実現することができる延長インゴットおよびSiC延長インゴットの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】筒状に研削加工された単体のSiCインゴットを軸方向に接合させて延長させたSiC延長インゴットは、単体のSiCインゴットは、その端面が鏡面に研削加工され、鏡面に研削加工された前記SiCインゴットの端面同士が結合することにより延長されてなる。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
筒状に研削加工された単体のＳｉＣインゴットを軸方向に接合させて延長させたＳｉＣ延長インゴットであって、
前記単体のＳｉＣインゴットは、その端面が鏡面に研削加工され、
鏡面に研削加工された前記ＳｉＣインゴットの端面同士が結合することにより延長されてなることを特徴とするＳｉＣ延長インゴット。
続きを表示（約 390 文字）【請求項２】
請求項１記載のＳｉＣ延長インゴットにおいて、
前記単体のＳｉＣインゴットは、その側面を切り欠いたノッチを有し、
前記ＳｉＣインゴット同士は、前記ノッチを合わせた状態で、鏡面に研削加工された端面同士が結合することにより延長されてなることを特徴とするＳｉＣ延長インゴット。
【請求項３】
筒状に研削加工された単体のＳｉＣインゴットを軸方向に接合させて延長させたＳｉＣ延長インゴットの製造方法であって、
前記単体のＳｉＣインゴットに対して、その端面を鏡面に研削加工する研削加工工程と、
前記研削加工工程により鏡面に研削加工された前記ＳｉＣインゴットに対して、端面同士を結合させる結合工程と
を備え、前記結合工程により前記単体のＳｉＣインゴットを軸方向に延長させたことを特徴とするＳｉＣ延長インゴットの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、筒状に研削加工された単体のＳｉＣインゴットを軸方向に接合させて延長させたＳｉＣ延長インゴットおよびその製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法は、下記特許文献１に示すように、昇華法によるＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法であって、坩堝の下部に、高熱伝導率原料を備える高熱伝導率原料層と、高熱伝導率原料層の上側又は下側の少なくとも一方に低熱伝導率原料を備える低熱伝導率原料層とを配置して原料部を形成し、高熱伝導率原料層中に原料部の最高温度がくるように加熱を行って、ＳｉＣ単結晶インゴットの成長を行うものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０-０８３７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のかかるＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法によれば、坩堝内に配置された原料の温度均一性を向上し、原料の有効活用することができ、結晶の成長性を向上させることがきる。
【０００５】
しかしながら、ＳｉＣ結晶では多少の成長性の向上が図られ長尺化に寄与するとしても、成長性や長尺化は限界があり、シリコンのような長尺のインゴットを得ることは困難である。
【０００６】
一方、ＳＯＩウェハの作製のように、単に、シリコンウェーハの鏡面同士を接着剤等で接着させたり、接着剤等を用いない場合に（接着状態は完全なものではないので）熱処理を加えて結合させることも考えられるが、接着剤や熱処理によりその後のＳｉＣインゴットの加工工程への影響や結晶自体の品質低下につながってしまう虞がある。
【０００７】
以上の事情に鑑みて、本発明は、結晶の成長性に依存することなく長尺なインゴットを得ることができ、結晶の品質を維持しながら優れた加工性を実現することができる延長インゴットおよびＳｉＣ延長インゴットの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１発明のＳｉＣ延長インゴットは、筒状に研削加工された単体のＳｉＣインゴットを軸方向に接合させて延長させたＳｉＣ延長インゴットであって、
前記単体のＳｉＣインゴットは、その端面が鏡面に研削加工され、
鏡面に研削加工された前記ＳｉＣインゴットの端面同士が結合することにより延長されてなることを特徴とする。
【０００９】
第１発明のＳｉＣ延長インゴットによれば、単体のＳｉＣインゴットの端面同士を結合して延長するため、結晶自体の成長性に依存することなく、結合を繰り返すことで所望の長尺のインゴットを得ることができる。
【００１０】
また、結合は、鏡面に研削加工された端面同士を結合させた結晶結合であるため、簡易でありながら強固な結合を実現することができる。そのため、長尺化させた当該ＳｉＣ延長インゴットからウェハを切り出す際にも、その形状を維持した状態から切り出しが可能となり加工性に優れたインゴットを得ることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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