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公開番号2025023288
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2024212105,2024082679
出願日2024-12-05,2022-02-04
発明の名称SiCエピタキシャル基板
出願人株式会社プロテリアル
代理人
主分類C30B 29/36 20060101AFI20250206BHJP(結晶成長)
要約【課題】平坦性に優れたSiCエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板2の表面に、炭化珪素をエピタキシャル成長させたエピタキシャル膜3を有するSiCエピタキシャル基板1であって、SiCエピタキシャル基板1は、エピタキシャル膜3からなる主面1aと、その反対面である主面1bとを有し、主面1bにおいて、10mm角のサイトを基準にしたSBIRの最大値が0.1μm以上1.5μm以下の条件を満たすSiCエピタキシャル基板1。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
炭化珪素基板の表面に、ＳｉＣエピタキシャル膜を有するＳｉＣエピタキシャル基板であって、
前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、前記ＳｉＣエピタキシャル膜からなる第１主面と、
前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第１主面および前記第２主面は、それぞれ１０ｍｍ角の評価領域を複数備えており、
前記第２主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＢＩＲの最大値は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であり、
前記第１主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＦＱＲの最大値は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下である
ＳｉＣエピタキシャル基板。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
ＳｉＣエピタキシャル基板群は、１００枚のＳｉＣエピタキシャル基板で構成され、
前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の表面に形成したＳｉＣエピタキシャル膜を備えており、
前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、前記ＳｉＣエピタキシャル膜からなる第１主面と、
前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第１主面および前記第２主面は、それぞれ１０ｍｍ角の評価領域を複数備えており、
前記第２主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＢＩＲの最大値は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であり、
前記第１主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＦＱＲが０．３μｍ以下である評価領域の数は、前記第１主面の評価領域の総数の８５％以上である、
ＳｉＣエピタキシャル基板群。
【請求項３】
ＳｉＣエピタキシャル基板群は、１００枚のＳｉＣエピタキシャル基板で構成され、
前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、前記炭化珪素基板の表面に形成したＳｉＣエピタキシャル膜を備えており、
前記ＳｉＣエピタキシャル基板は、前記ＳｉＣエピタキシャル膜からなる第１主面と、
前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記第２主面は、それぞれ１０ｍｍ角の評価領域を複数備えており、
前記第２主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＢＩＲの最大値は、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であり、
前記第２主面に複数備えた前記評価領域におけるＳＢＩＲが０．５μｍ以下である評価領域の数は、前記第２主面の評価領域の総数の６５％以上である、
ＳｉＣエピタキシャル基板群。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素基板の表面にエピタキシャル膜を有するＳｉＣエピタキシャル基板に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（以下、「ＳｉＣ」と称することもある。）基板の表面に、炭化珪素からなるエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャル基板は、気相成長方法に行うのが一般的である。ところで、このＳｉＣを気相成長させる際に、エピタキシャル膜の形成面とは反対面（裏面）等にも付着し、ＳｉＣが突起状に成長してしまうことが知られている。
【０００３】
このように、基板の裏面にＳｉＣが成長してしまうと、基板面が変化ししてしまったり、三次元的に成長した突起により凹凸が生じてしまったり、いずれの場合も、想定していた基板形状から変化してしまうため、その基板の平坦性が悪化してしまう。そのため、これら基板を用いて半導体素子を作製すると、半導体素子の特性に悪影響を及ぼす原因ともなる。
【０００４】
このような場合、予定していないエピタキシャル成長によって形成されたＳｉＣを、基板の裏面を研磨する等により、除去操作を行う必要があった。このような除去操作を行う場合、基板の表面を保護する保護膜を形成し、除去操作を行った後、その保護膜を除去するというように、ＳｉＣ基板の製造プロセスにおける工程が煩雑になってしまう。
【０００５】
そこで、エピタキシャル成長の前に、裏面に保護膜を形成し、保護膜上に突起を形成させるようにして、基板の裏面に形成されるＳｉＣの突起等を容易に除去可能としたＳｉＣ基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１５－１６０７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、エピタキシャル成長によるエピタキシャル膜を形成する際には、上記の他に、平坦性を損なう場合がある。
【０００８】
例えば、ＳｉＣ基板のエピタキシャル膜は、ＳｉＣ基板の中央部に比べ外周部において原料ガスの揺らぎが発生するため、エピタキシャル成長の速度が変化し、形成されるエピタキシャル膜の厚みにバラツキが生じる場合がある。
【０００９】
また、使用するＳｉＣ基板のもともとの平坦性にバラツキがあり、例えば、中央部と外周部で厚みがやや異なり、全体的にテーパーになっていると、エピタキシャル膜はもともとの基板の平坦性を引き継いで、形成されるＳｉＣエピタキシャル基板の平坦性も担保できない場合がある。
【００１０】
このように、ＳｉＣエピタキシャル基板の平坦性が十分に確保されないと、その後に行われるフォトリソグラフィー工程において、問題が生じてしまう。すなわち、ＳｉＣエピタキシャル基板の裏面を真空チャックに固定し、エピタキシャル膜を有する表面にマスクパターンを形成するが、このとき、ＳｉＣエピタキシャル基板の平坦性が悪化していると、マスクパターンの位置が所望の位置からズレてしまい、得られる半導体チップの歩留まりが低下してしまう。
（【００１１】以降は省略されています）

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