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公開番号2024139797
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-10
出願番号2023050700
出願日2023-03-28
発明の名称化合物、硬化性樹脂組成物およびその硬化物
出願人日本化薬株式会社
代理人
主分類C08F 12/34 20060101AFI20241003BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】本発明は、優れた低誘電特性を有する化合物、硬化性樹脂組成物及びその硬化物を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024139797000020.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">57</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">166</com:WidthMeasure> </com:Image>
(上記式(1)中、複数存在するRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。複数存在するlはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
下記式(1)で表される化合物。
TIFF
2024139797000014.tif
57
166
(上記式(1)中、複数存在するRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。複数存在するlはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
続きを表示(約 840 文字)【請求項2】
下記式(A)で表される化合物と下記式(B)で表される化合物とを反応して得られる化合物。
TIFF
2024139797000015.tif
28
166
(上記式(A)中、複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
TIFF
2024139797000016.tif
25
166
(上記式(B)中、Rは水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。lは1~4の整数を表す。Xはハロゲン原子を表す。)
【請求項3】
請求項1又は2に記載の化合物を含有する硬化性樹脂組成物。
【請求項4】
請求項1又は2に記載の化合物を硬化して得られる硬化物。
【請求項5】
請求項3に記載の硬化性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。
【請求項6】
下記式(A)で表される化合物と、下記式(B)で表される化合物とを塩基性触媒存在下、非プロトン性極性溶媒中で反応させて得られる、下記式(1)で表される化合物の製造方法。
TIFF
2024139797000017.tif
57
166
(上記式(1)中、複数存在するRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。複数存在するlはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
TIFF
2024139797000018.tif
28
166
(上記式(A)中、複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
TIFF
2024139797000019.tif
25
166
(上記式(B)中、Rは水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。lは1~4の整数を表す。Xはハロゲン原子を表す。)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、特定構造を有する化合物、硬化性樹脂組成物およびその硬化物に関するものであり、半導体封止材、プリント配線基板、ビルドアップ積層板などの電気・電子部品、炭素繊維強化プラスチック、ガラス繊維強化プラスチックなどの軽量高強度材料、3Dプリンティング用途に好適に使用される。
続きを表示(約 1,500 文字)【背景技術】
【0002】
近年、電気・電子部品を搭載する積層板はその利用分野の拡大により、要求特性が広範かつ高度化している。従来の半導体チップは金属製のリードフレームに搭載することが主流であったが、中央処理装置(以下、CPUと表す。)などの処理能力の高い半導体チップは高分子材料で作られる積層板に搭載されることが多くなってきている。
【0003】
現在開発が加速している第5世代通信システム「5G」では、さらなる大容量化と高速通信が進むことが予想されている。5Gでは使用する周波数の高周波化が進むことになるが、高周波を利用した高速通信の実現には伝送損失の低減が重要であり、基板材料の更なる低誘電特性が求められることとなる。プリント基板上で発生する伝送損失は導体損失と誘電体損失に由来する。非特許文献1で述べられている通り、導体損失は誘電体の比誘電率の平方根および誘電正接に比例するため、伝送損失低減には比誘電率以上に寄与度の高い誘電正接を改善することが効果的であると言える。低誘電材料としてはPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)やLCP(液晶ポリマー)に代表される熱可塑性材料が挙げられるが、熱硬化性樹脂と比較し成形性に乏しい。これを踏まえ、低誘電特性に優れた熱硬化性樹脂の開発が望まれている。
【0004】
このような背景を受けて、低誘電特性に優れる高分子材料が検討されている。例えば、特許文献1ではマレイミド樹脂とプロペニル基含有フェノール樹脂を含む組成物が提案されている。しかしながら、一方で硬化反応時に反応に関与しないフェノール性水酸基が残存するため、電気特性が十分とは言えない。また特許文献2では水酸基をアリル基で置換したアリルエーテル樹脂が開示されている。しかしながら、190℃においてクライゼン転位が起こることが示されており、一般的な基板の成型温度である200℃においては、硬化反応に寄与しないフェノール性水酸基が生成することから電気特性を満足できるものではない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
プリント基板上高速信号伝送における信号損失要因(三井金属鉱業株式会社)第29回エレクトロニクス実装学会春季公演大会16P1-17
【特許文献】
【0006】
特開平04-359911号公報
国際公開第2016/002704号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、優れた低誘電特性を有する化合物、硬化性樹脂組成物及びその硬化物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
すなわち本発明は、下記[1]~[6]に関する。なお、本願において「(数値1)~(数値2)」は上下限値を含むことを示す。
[1]
下記式(1)で表される化合物。
【0009】
TIFF
2024139797000001.tif
57
166
【0010】
(上記式(1)中、複数存在するRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1~5の炭化水素基を表す。複数存在するlはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。複数存在するmはそれぞれ独立して1~4の整数を表す。)
[2]
下記式(A)で表される化合物と下記式(B)で表される化合物とを反応して得られる化合物。
(【0011】以降は省略されています)

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