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公開番号2024114084
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-23
出願番号2023019481
出願日2023-02-10
発明の名称半導体装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人きさらぎ国際特許事務所
主分類H10B 43/27 20230101AFI20240816BHJP()
要約【課題】好適に製造可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1方向(Z)に延伸するビアコンタクト電極(V1)と、ビアコンタクト電極に接続され第2方向(Y)に延伸する配線(BL)と、配線に対してビアコンタクト電極と反対側に設けられた絶縁層(161)と、を備える。配線は、第1導電部材(BL_M)と、第1導電部材の絶縁層側の面を覆う第1バリア導電膜(BL_B)と、を備える。ビアコンタクト電極は、第1方向に延伸する第1電極領域(R_V11)と、第1電極領域に対して絶縁層側に設けられ、第2方向の長さ(Y_V12)が第1電極領域の第2方向の長さ(Y_V11)よりも大きい第2電極領域(R_V12)と、を備える。第2電極領域の絶縁層側の面は、第1バリア導電膜に接し、第1バリア導電膜に全面にわたって覆われている。
【選択図】図9

特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板の表面と交差する第１方向に延伸するビアコンタクト電極と、
前記ビアコンタクト電極に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延伸する第１配線と、
前記第１配線に対して前記第１方向の前記ビアコンタクト電極と反対側に設けられた絶縁層と
を備え、
前記第１配線は、
前記第２方向に延伸する第１導電部材と、
前記第１導電部材の前記第１方向の前記絶縁層側の面を覆う第１バリア導電膜と
を備え、
前記ビアコンタクト電極は、
前記第１方向に延伸する第１電極領域と、
前記第１電極領域に対して前記第１方向の前記絶縁層側に設けられ、前記第２方向の長さが前記第１電極領域の前記第２方向の長さよりも大きい第２電極領域と
を備え、
前記第２電極領域の前記第１方向の前記絶縁層側の面は、前記第１バリア導電膜に接し、前記第１バリア導電膜に全面にわたって覆われている
半導体装置。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
前記第１バリア導電膜は、
前記第２電極領域に対して、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向の一方側に設けられた第１部分と、
前記第２電極領域に対して前記第３方向の他方側に設けられた第２部分と
を備え、
前記第２電極領域と前記第１部分とは、前記第１導電部材の一部を介して離間し、
前記第２電極領域と前記第２部分とは、前記第１導電部材の他の一部を介して離間する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の表面に設けられたトランジスタを更に備え、
前記基板は、前記第１配線に対して前記第１方向の前記絶縁層と反対側に設けられ、
前記第１配線は、前記ビアコンタクト電極を介して前記トランジスタに電気的に接続されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の表面と交差する第１方向に延伸するビアコンタクト電極と、
前記ビアコンタクト電極に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延伸する配線と、
前記配線に対して前記第１方向の前記ビアコンタクト電極と反対側に設けられた絶縁層と
を備え、
前記配線は、
前記第２方向に延伸する第１導電部材と、
前記第１導電部材の前記第１方向の前記絶縁層側の面を覆う第１バリア導電膜と
を備え、
前記ビアコンタクト電極は、
前記第１方向に延伸する第１電極領域と、
前記第１電極領域に対して前記第１方向の前記絶縁層側に設けられ、前記第２方向の長さが前記第１電極領域の前記第２方向の長さよりも大きい第２電極領域と
を備え、
前記第１バリア導電膜は、
前記第２電極領域の、前記第１方向及び前記第２方向と交差する第３方向の一方側の面に接する第１部分と、
前記第２電極領域の前記第３方向の他方側の面に接する第２部分と
を備える半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電部材と前記第１電極領域とは、前記第１方向から見て重ならない位置に設けられている
請求項１又は４記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 3,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板と、基板の表面と交差する方向に延伸するビアコンタクト電極と、ビアコンタクト電極に接続された配線と、を備える半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１６／０１７２２９６号
米国特許出願公開第２０１７／００７７０２６号
米国特許出願公開第２０１０／００８５０６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
好適に製造可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態に係る半導体装置は、基板と、基板の表面と交差する第１方向に延伸するビアコンタクト電極と、ビアコンタクト電極に接続され、第１方向と交差する第２方向に延伸する第１配線と、第１配線に対して第１方向のビアコンタクト電極と反対側に設けられた絶縁層と、を備える。第１配線は、第２方向に延伸する第１導電部材と、第１導電部材の第１方向の絶縁層側の面を覆う第１バリア導電膜と、を備える。ビアコンタクト電極は、第１方向に延伸する第１電極領域と、第１電極領域に対して第１方向の絶縁層側に設けられ、第２方向の長さが第１電極領域の第２方向の長さよりも大きい第２電極領域と、を備える。第２電極領域の第１方向の絶縁層側の面は、第１バリア導電膜に接し、第１バリア導電膜に全面にわたって覆われている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す模式的な分解斜視図である。
メモリダイＭＤの一部の構成を示す模式的な底面図である。
メモリダイＭＤの一部の構成を示す模式的な断面図である。
図３の一部を拡大して示す模式的な断面図である。
図４のＡで示す部分を拡大して示す模式的な断面図である。
ビット線ＢＬ及びビアコンタクト電極Ｖ１の構成について説明するための模式的な底面図である。
ビット線ＢＬ及びビアコンタクト電極Ｖ１の構成について説明するための模式的な断面図である。
ビット線ＢＬ及びビアコンタクト電極Ｖ１の構成について説明するための模式的な断面図である。
ビット線ＢＬ及びビアコンタクト電極Ｖ１の構成について説明するための模式的な断面図である。
配線ｍ０ａ及びビアコンタクト電極Ｖ１ａの構成について説明するための模式的な断面図である。
配線ｍ０ａ及びビアコンタクト電極Ｖ１ａの構成について説明するための模式的な断面図である。
配線ｍ０ａ及びビアコンタクト電極Ｖ１ａの構成について説明するための模式的な断面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
同製造方法について説明するための模式的な断面図である。
比較例に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
第３実施形態に係る半導体装置の一部の構成を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
次に、実施形態に係る半導体装置を、図面を参照して詳細に説明する。尚、以下の実施形態はあくまでも一例であり、本発明を限定する意図で示されるものではない。また、以下の図面は模式的なものであり、説明の都合上、一部の構成等が省略される場合がある。また、複数の実施形態について共通する部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【０００８】
また、本明細書において「半導体装置」と言った場合には、ダイシング後のダイを意味する事もあるし、ダイシング前のウェハを意味することもある。また、前者の場合、パッケージ後のダイを意味することもあるし、パッケージ前のダイを意味することもある。
【０００９】
また、本明細書において、第１の構成が第２の構成に「電気的に接続されている」と言った場合、第１の構成は第２の構成に直接接続されていても良いし、第１の構成が第２の構成に配線、半導体部材又はトランジスタ等を介して接続されていても良い。例えば、３つのトランジスタを直列に接続した場合には、２つ目のトランジスタがＯＦＦ状態であったとしても、１つ目のトランジスタは３つ目のトランジスタに「電気的に接続」されている。
【００１０】
また、本明細書において、第１の構成が第２の構成及び第３の構成の「間に接続されている」と言った場合、第１の構成、第２の構成及び第３の構成が直列に接続され、且つ、第２の構成が第１の構成を介して第３の構成に接続されていることを意味する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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