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公開番号2024123450
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-12
出願番号2023030874
出願日2023-03-01
発明の名称半導体記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H05K 1/02 20060101AFI20240905BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】一実施形態は、信頼性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、絶縁基材と、配線パターンと、絶縁膜と、電子部品とを備える。前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第1パッドと、第1配線とを含む。前記第1配線は、第1部分と、第2部分と、第3部分とを有する。前記第1部分は、前記絶縁膜の第1開口の内側で前記第1パッドに接続され、第1方向に延びている。前記第2部分は、前記第1開口の内側で前記第1パッドと接続され、前記第1パッドから離れるに従い前記第1部分との間の距離が大きくなる第2方向に延びている。前記第3部分は、前記第1部分および前記第2部分に対して前記第1パッドとは反対側に配置され、前記第1部分および前記第2部分と接続されている。前記第1配線は、前記第1パッドの周方向において90度の角度範囲内で前記第1パッドに接続されている。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含み、
前記絶縁膜は、前記第１パッドよりも大きな第１開口を有し、
前記第１配線は、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、第１方向に延びた第１部分と、
前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びた第２部分と、
前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドと接続された、
半導体記憶装置。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
前記周方向において前記第１部分と前記第２部分との間に隙間が存在する、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第２部分は、前記周方向において前記第１部分から離れた位置で前記第１パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１配線は、前記周方向において６０度の角度範囲内で前記第１パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第１配線は、前記第３部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第１パッドと前記線部とを最短距離で結ぶ仮想的な線を第１仮想線とする場合、
前記第１方向は、前記第１仮想線に対して第１側に傾斜し、
前記第２方向は、前記第１仮想線に対して前記第１側とは反対側の第２側に傾斜した、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記配線パターンは、前記第１パッドの隣に配置されて円弧状の縁を含む第２パッドと、第２配線とをさらに含み、
前記絶縁膜は、前記第２パッドよりも大きな第２開口をさらに有し、
前記第２配線は、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第１方向とは異なる第３方向に延びた第１部分と、
前記第２開口の内側で前記第２パッドと接続され、前記第２方向とは異なる方向であって、前記第２パッドから離れるに従い前記第２配線の前記第１部分との間の距離が大きくなる第４方向に延びた第２部分と、
前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置され、前記第２配線の前記第１部分および前記第２部分と接続された第３部分と、
を有し、
前記第２配線は、前記第２パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第２パッドと接続された、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第１配線は、前記第１配線の前記第３部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第２配線は、前記第２配線の前記第３部分に対して前記第２パッドとは反対側に配置されて線状に延びた線部を含み、
前記第１配線の前記線部と、前記第２配線の前記線部とは、少なくとも部分的に平行に延びている、
請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記電子部品は、前記第１パッドに接続される半田接合部を有した、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
絶縁基材と、
前記絶縁基材に設けられた配線パターンと、
前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜と、
前記配線パターンに電気的に接続された電子部品と、
を備え、
前記配線パターンは、第１パッドと、第１配線とを含み、
前記第１配線は、線状に延びた線部と、前記線部と前記第１パッドとの間に設けられ前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる部分を含む接続部とを有し、
前記絶縁膜は、前記第１パッドに対応して設けられた第１開口を有し、
前記第１開口の開口縁は、第１縁部と、前記第１縁部に対して前記第１開口の内側に突出した第２縁部とを有し、
前記第１縁部と前記第２縁部との境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部と重なる位置に設けられた、
半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記接続部は、前記線部から前記第１パッドに近付くに従い幅が広くなる第１部分と、前記第１部分と前記第１パッドとの間に設けられ、全長に亘り前記第１パッドの最大幅と同じ幅を有して前記第１部分と前記第１パッドとを接続した第２部分とを含み、
前記第１縁部と前記第２縁部との前記境界は、前記絶縁基材の厚さ方向から見た場合、前記接続部の前記第２部分と重なる位置に設けられた、
請求項９に記載の半導体記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント基板と、プリント基板に実装された電子部品とを有した半導体記憶装置が知られている。電子部品の半田接合部は、プリント基板のパッドに接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２００４／００７５１７７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一実施形態は、信頼性の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態の半導体記憶装置は、絶縁基材と、配線パターンと、絶縁膜と、電子部品とを備える。前記配線パターンは、前記絶縁基材に設けられている。前記絶縁膜は、前記絶縁基材の表面に設けられ、前記配線パターンの一部を覆う。前記電子部品は、前記配線パターンに電気的に接続されている。前記配線パターンは、円弧状の縁を含む第１パッドと、第１配線とを含む。前記絶縁膜は、前記第１パッドよりも大きな第１開口を有する。前記第１配線は、第１部分と、第２部分と、第３部分とを有する。前記第１部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、第１方向に延びている。前記第２部分は、前記第１開口の内側で前記第１パッドと接続され、前記第１パッドから離れるに従い前記第１部分との間の距離が大きくなる第２方向に延びている。前記第３部分は、前記第１部分および前記第２部分に対して前記第１パッドとは反対側に配置され、前記第１部分および前記第２部分と接続されている。前記第１配線は、前記第１パッドの周方向において９０度の角度範囲内で前記第１パッドに接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
第１実施形態の半導体記憶装置を一部分解して示す斜視図。
第１実施形態の基板ユニットの一部を示す断面図。
第１実施形態の配線パターンの配線構造を説明するための平面図。
図４中に示されたＦ５線で囲まれた領域を拡大して示す断面図。
第１実施形態の第１変形例の基板の一部を示す断面図。
第１実施形態の第２変形例の基板の一部を示す断面図。
第２実施形態の基板の一部を示す断面図。
第２実施形態の変形例の基板の一部を示す断面図。
第３実施形態の基板の一部を示す断面図。
第４実施形態の基板の一部を示す断面図。
第５実施形態の半導体記憶装置を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。
【０００８】
本出願では用語を以下のように定義する。「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合を含み得る。「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続を含み得る。すなわち「接続」とは、接続対象である２つの要素が直接に接続される場合に限定されず、接続対象である２つの要素が別の要素を間に介在させて接続される場合を含み得る。
【０００９】
＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向は、以下のように定義される。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面２１ａと平行な方向である（図２参照）。＋Ｘ方向は、後述する基板２１の第１端部２１ｅ１から第２端部２１ｅ２に向かう方向である（図２参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する基板２１の第３端部２１ｅ３から第４端部２１ｅ４に向かう方向である（図２参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、基板２１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、後述する基板２１の第２面２１ｂから第１面２１ａに向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。
【００１０】
（第１実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図５を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。
図１は、第１実施形態の半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のような記憶装置である。半導体記憶装置１は、例えば、サーバまたはパーソナルコンピュータのような情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
（【００１１】以降は省略されています）

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