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公開番号2024125752
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-19
出願番号2023033794
出願日2023-03-06
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人個人
主分類H05K 3/16 20060101AFI20240911BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高い品質を有する配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第1面と前記第1面と反対側の第2面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第1面上に形成されている第1導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。前記第1導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。前記シード層はスパッタリングによって形成されており、銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなり、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも1つである。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記樹脂絶縁層を貫通し、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層はスパッタリングによって形成されており、銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなり、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
請求項１の配線基板であって、前記特定金属はケイ素である。
【請求項３】
請求項２の配線基板であって、前記合金中のケイ素の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。
【請求項４】
請求項１の配線基板であって、前記合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。
【請求項５】
請求項１の配線基板であって、前記合金はさらに炭素を含む。
【請求項６】
請求項５の配線基板であって、前記合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。
【請求項７】
請求項１の配線基板であって、前記合金はさらに酸素を含む。
【請求項８】
請求項７の配線基板であって、前記合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。
【請求項９】
請求項１の配線基板であって、前記基板は表面と前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面と前記第２面は対向していて、前記表面上に導体回路は形成されておらず、前記表面と前記第２面は接している。
【請求項１０】
請求項９の配線基板であって、前記樹脂絶縁層は前記ビア導体用の開口を有し、前記スルーホール導体は前記表面から露出する上端を有し、前記表面と前記第２面は対向していて、前記表面上に導体回路は形成されておらず、前記表面と前記第２面は接して、前記開口は前記上端と前記表面を露出し、前記シード層は前記上端と前記表面の両方に接する。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１３３４７３号公報
【発明の概要】
【０００４】
［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。前記シード層はスパッタリングによって形成されており、銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなり、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。
【０００６】
本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。樹脂絶縁層の第１面上に微細な信号配線を形成することができる。本発明の実施形態の配線基板では、シード層は銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。樹脂絶縁層とシード層間の密着力が高い。ガラス製のコア基板の熱膨張率と樹脂絶縁層の熱膨張率は大きく異なるため、配線基板がヒートサイクルを受けると樹脂絶縁層とシード層間にストレスが働く。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層が伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層がその伸縮に追従することができると考えられる。シード層は樹脂絶縁層から剥がれ難い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［実施形態］
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。
【０００９】
コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。
【００１０】
スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。
（【００１１】以降は省略されています）

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