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公開番号2024118643
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-02
出願番号2023025031
出願日2023-02-21
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人個人
主分類H05K 3/46 20060101AFI20240826BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】高い品質を有する配線基板の提供。
【解決手段】配線基板は、ガラス製の基板と基板を貫通する貫通孔と貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、コア基板上に形成されていて、第1面と第1面と反対側の第2面と第1面から第2面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第1面上に形成されている第1導体層と、開口内に形成されていて、スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。第1導体層とビア導体は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。シード層はスパッタリングによって形成されている。樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、第1導体層は信号配線を含み、樹脂絶縁層の第1面は樹脂で形成されており、開口の内壁面は樹脂と無機粒子の表面で形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、
前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する配線基板であって、
前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層はスパッタリングによって形成されており、
前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記第１導体層は信号配線を含み、前記樹脂絶縁層の前記第１面は前記樹脂で形成されており、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
請求項１の配線基板であって、前記信号配線は第１信号配線と第２信号配線によって形成されるペア配線を含んでいる。
【請求項３】
請求項１の配線基板であって、前記第１面は前記無機粒子の表面を含まない。
【請求項４】
請求項３の配線基板であって、前記第１面は前記樹脂のみで形成されている。
【請求項５】
請求項３の配線基板であって、前記第１面から前記無機粒子は露出しない。
【請求項６】
請求項１の配線基板であって、前記樹脂絶縁層中の前記無機粒子の含有量は７５ｗｔ％以上である。
【請求項７】
請求項１の配線基板であって、前記コア基板は前記基板上に形成されている導体層をさらに有しており、前記導体層は前記スルーホール導体を覆うランドを含む。
【請求項８】
請求項７の配線基板であって、前記ランドと前記スルーホール導体は同時に形成されている。
【請求項９】
請求項７の配線基板であって、前記ランドと前記スルーホール導体は別々に形成されている。
【請求項１０】
請求項１の配線基板であって、前記基板は表面と前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面と前記第２面は対向していて、前記表面上に導体回路は形成されておらず、前記表面と前記第２面は接している。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は配線基板に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１はガラス材質のコアを有する多層基板を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１５－１３３４７３号公報
【発明の概要】
【０００４】
［特許文献１の課題］
特許文献１はガラス材質からなる第１絶縁層の光透過率を制御している。光透過率の制御方法の例として、特許文献１は第１絶縁層内に着色剤が含有されると述べている。ガラス材質からなる第１絶縁層が着色剤を均一に含有することは難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、ガラス製の基板と前記基板を貫通する貫通孔と前記貫通孔内に形成されているスルーホール導体とを有するコア基板と、前記コア基板上に形成されていて、第１面と前記第１面と反対側の第２面と前記第１面から前記第２面に至るビア導体用の開口を有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第１導体層と、前記開口内に形成されていて、前記スルーホール導体と電気的に繋がっているビア導体、とを有する。前記第１導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。前記シード層はスパッタリングによって形成されている。前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記第１導体層は信号配線を含み、前記樹脂絶縁層の前記第１面は前記樹脂で形成されており、前記開口の内壁面は前記樹脂と前記無機粒子の表面で形成されている。
【０００６】
本発明の実施形態の配線基板では、コア基板はガラス製の基板を含む。ガラス製の基板は平坦性に優れる。そのため、樹脂絶縁層の第１面は平坦性に優れる。第１面は平滑性に優れる。コア基板上の樹脂絶縁層の第１面は樹脂で形成されている。樹脂絶縁層の第１面上に微細な信号配線を形成することができる。開口の内壁面は樹脂と無機粒子の表面で形成されている。内壁面上に形成されるシード層はスパッタリングによって形成されている。スパッタリング製シード層をスパッタ膜と称することができる。シード層が形成される時、スパッタ膜を形成する粒子が内壁面の無機粒子に付着すると考えられる。スパッタ膜を形成する粒子は無機粒子の中に埋まらないと考えられる。内壁面上に薄いシード層を連続して形成することができる。微細な信号配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の配線基板を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
実施形態の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
改変例の配線基板の製造方法を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［実施形態］
図１は実施形態の配線基板２を示す断面図である。図１に示されるように、配線基板２は、コア基板３と表側ビルドアップ層３００Ｆと裏側ビルドアップ層３００Ｂとを有する。
【０００９】
コア基板３は基板４と貫通孔６とスルーホール導体８を有する。基板４は表面５Ｆと表面５Ｆと反対側の裏面５Ｂを有する。基板４はガラス製である。貫通孔６は基板４を貫通する。貫通孔６の形状は略円柱である。貫通孔６の径はほぼ一定である。貫通孔６の形状は略円錐台であってもよい。貫通孔６の形状は２つの略円錐を繋げることで得られる形状でもよい。２つの円錐は表面側の円錐と裏面側の円錐である。表面側の円錐の底面は表面５Ｆに位置し、裏面側の円錐の底面は裏面５Ｂに位置する。この場合、貫通孔６の側面は表面５Ｆから裏面５Ｂに向かってテーパーしている面と裏面５Ｂから表面５Ｆに向かってテーパーしている面で形成される。
【００１０】
スルーホール導体８は貫通孔６内に形成されている。スルーホール導体８は主に銅によって形成されている。スルーホール導体８は、貫通孔６の内壁面上に形成されるシード層１０ａとシード層１０ａ上に形成される電解めっき層１０ｂを含む。電解めっき層１０ｂは貫通孔６を充填する。シード層１０ａは無電解めっきによって形成される。スルーホール導体８は上端８Ｆと下端８Ｂを有する。上端８Ｆの面と表面５Ｆは実質的に同一な平面を形成する。下端８Ｂの面と裏面５Ｂは実質的に同一な平面を形成する。上端８Ｆは表面５Ｆから露出する。下端８Ｂは裏面５Ｂから露出する。
（【００１１】以降は省略されています）

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