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公開番号2024157951
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-11-08
出願番号2023072650
出願日2023-04-26
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20241031BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】接続信頼性の良好な配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、第1絶縁層11、第1導体層12、第1ビア開口11aを充填する第1ビア導体13を含む第1ビルドアップ部と、第2絶縁層及び第2導体層を含む第2ビルドアップ部と、を含んでいる。第1導体層12に含まれる配線の配線幅及び配線間距離は、第2導体層に含まれる配線の配線幅及び配線間距離よりも小さく、第1導体層12及び第1ビア導体13は第1層12a及び第2層12bを備え、第1層12は、1絶縁層11の表面、並びに、第1ビア開口11aの内壁面及び底面に接する下層12aaと、下層12aaを被覆する上層12abと、を有しており、下層12aaは、銅とアルミニウムと特定元素とを含有する合金により形成されるスパッタ膜であり、上層12abは、銅により形成されるスパッタ膜である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、
交互に積層された第１絶縁層及び第１導体層、並びに、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア開口及び前記第１ビア開口を充填する第１ビア導体を含む第１ビルドアップ部と、
交互に積層された第２絶縁層及び第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、
を含む配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は、前記第２ビルドアップ部の上に積層されていて前記第２ビルドアップ部よりも前記第１面側に位置しており、
前記第１導体層に含まれる配線の配線幅の最小値は、前記第２導体層に含まれる配線の配線幅の最小値よりも小さく、
前記第１導体層に含まれる配線の配線間距離の最小値は、前記第２導体層に含まれる配線の配線間距離の最小値よりも小さく、
前記第１導体層及び前記第１ビア導体は、前記第１絶縁層の表面、並びに、前記第１ビア開口の内壁面及び底面を被覆する第１層と、前記第１層上の第２層とを備え、
前記第１層は、前記１絶縁層の表面、並びに、前記第１ビア開口の内壁面及び底面に接する下層と、前記下層を被覆する上層と、を有しており、
前記下層は、銅とアルミニウムと特定元素とを含有する合金により形成されるスパッタ膜であって、前記特定元素はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つであり、
前記上層は、銅により形成されるスパッタ膜である。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記特定元素はケイ素である。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板であって、前記合金中のケイ素の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記合金はさらに炭素を含む。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板であって、前記合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板であって、前記合金はさらに酸素を含む。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板であって、前記合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板であって、前記下層の銅の含有率は９０ａｔ％以上である。
【請求項１０】
請求項１記載の配線基板であって、前記上層の銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、導体層と、導体層を覆う樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層上に形成される導体回路と、樹脂絶縁層を貫通して導体回路と導体層を接続するバイアホールと、を含むプリント配線板が開示されている。導体回路及びバイアホールは、樹脂絶縁層に接する合金層及び無電解銅めっき膜を含む層と、無電解銅めっき膜上に形成される電解銅めっき膜からなる層とを含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－１２４６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示のプリント配線板では、合金層と無電解銅めっき膜層との密着力が比較的低い場合があると考えられる。バイアホール及び導体回路の接続信頼性が望ましくない場合があると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、交互に積層された第１絶縁層及び第１導体層、並びに、前記第１絶縁層を貫通する第１ビア開口及び前記第１ビア開口を充填する第１ビア導体を含む第１ビルドアップ部と、交互に積層された第２絶縁層及び第２導体層を含む第２ビルドアップ部と、を含んでいる。前記第１ビルドアップ部は、前記第２ビルドアップ部の上に積層されていて前記第２ビルドアップ部よりも前記第１面側に位置しており、前記第１導体層に含まれる配線の配線幅の最小値は、前記第２導体層に含まれる配線の配線幅の最小値よりも小さく、前記第１導体層に含まれる配線の配線間距離の最小値は、前記第２導体層に含まれる配線の配線間距離の最小値よりも小さく、前記第１導体層及び前記第１ビア導体は、前記第１絶縁層の表面、並びに、前記第１ビア開口の内壁面及び底面を被覆する第１層と、前記第１層上の第２層とを備え、前記第１層は、前記１絶縁層の表面、並びに、前記第１ビア開口の内壁面及び底面に接する下層と、前記下層を被覆する上層と、を有しており、前記下層は、銅とアルミニウムと特定元素とを含有する合金により形成されるスパッタ膜であって、前記特定元素はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つであり、前記上層は、銅により形成されるスパッタ膜である。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、上層及び下層がスパッタ膜である。上層及び下層が比較的強く密着し、第１ビア導体及び第１導体層の接続信頼性が比較的良好な配線基板が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す図１の部分拡大図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、並びに配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。また、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。
【０００９】
実施形態の配線基板１は、交互に積層された導体層及び絶縁層によってそれぞれ構成される第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含む積層構造を有している。第１ビルドアップ部１０は、その厚さ方向（積層方向）に直交する２つの表面として、一方の面１０Ｆ、及び、一方の面１０Ｆと反対側の他方の面１０Ｂを有している。第２ビルドアップ部２０は、その厚さ方向（積層方向）に直交する２つの表面として、一方の面２０Ｆ、及び、一方の面２０Ｆと反対側の他方の面２０Ｂを有している。配線基板１は、その厚さ方向と直交する２つの表面（第１面１Ｆ及び第１面１Ｆと反対側の第２面１Ｂ）を有している。本実施形態の配線基板１は、好ましくはコア層を含まないコアレス配線基板である。
【００１０】
図１に示される例では、配線基板１は、第２ビルドアップ部２０の第１ビルドアップ部１０側と反対側に、絶縁層及び導体層から構成される第３ビルドアップ部３０をさらに含んでいる。第３ビルドアップ部３０は、その厚さ方向（積層方向）に直交する２つの表面として、一方の面３０Ｆ、及び、一方の面３０Ｆと反対側の他方の面３０Ｂを有している。図示される例においては、第１ビルドアップ部１０の一方の面１０Ｆが第１面１Ｆを構成し、第３ビルドアップ部３０の他方の面３０Ｂが第２面１Ｂを構成している。なお、配線基板１が第３ビルドアップ部３０を有していない場合、第２面１Ｂは、第２ビルドアップ部２０の他方の面２０Ｂにより構成され得る。
（【００１１】以降は省略されています）

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