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公開番号2024123938
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-12
出願番号2023031776
出願日2023-03-02
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/02 20060101AFI20240905BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一つの実施形態は、レーザー剥離のスループットを向上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、2次元的に分布する複数の凸部が形成された第1の基板を用意することを含む。半導体装置の製造方法は、第1の基板の複数の凸部に第1の膜を積層することを含む。半導体装置の製造方法は、第2の基板に第2の膜を積層することを含む。半導体装置の製造方法は、第1の膜における第1の基板の反対側の主面と第2の膜における第2の基板の反対側の主面とを接合することを含む。半導体装置の製造方法は、第1の基板の側からレーザー光を照射することを含む。半導体装置の製造方法は、第1の基板を剥離することを含む。レーザー光のスポット領域の直径は、第1の基板の主面における凸部の平均配置ピッチより大きい。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
２次元的に分布する複数の凸部が形成された第１の基板を用意し、
前記第１の基板の前記複数の凸部に第１の膜を積層し、
第２の基板に第２の膜を積層し、
前記第１の膜における前記第１の基板の反対側の主面と前記第２の膜における前記第２の基板の反対側の主面とを接合し、
前記第１の基板の側からレーザー光を照射し、
前記第１の基板を剥離する、
ことを備え、
前記レーザー光のスポット領域の直径は、前記第１の基板の主面における前記凸部の平均配置ピッチより大きい
半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記レーザー光のスポット領域は、前記第１の基板の主面に垂直な方向から透視した場合に前記複数の凸部のうちの２以上の凸部に重なる
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光のスポット領域は、前記第１の基板の主面に垂直な方向から透視した場合に前記２以上の凸部を内側に含む
請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数の凸部は、
前記第１の基板の主面を加工して形成される、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の凸部は、
前記第１の基板の主面に第３の膜を堆積し、
前記第３の膜を加工して形成される、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板の熱膨張係数は、前記第１の膜の熱膨張係数より大きい
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
第１の基板に第１の膜を積層し、第２の基板に第２の膜を積層し、
前記第１の膜における前記第１の基板の反対側の主面と前記第２の膜における前記第２の基板の反対側の主面とを接合し、
前記第１の基板の側からレーザー光を照射し、
前記第１の基板を剥離する、
ことを備え、
Ｋを２以上の整数とするとき、前記照射は、軌道に沿ったＫ回の分割照射で行い、
前記Ｋ回の分割照射のパターンは、開始位置が１照射のスポット領域の寸法に相当する距離で互いにずれており、且つ、それぞれにおいて１照射のスポット領域の寸法のＫ倍に相当するピッチで前記軌道に沿ってスポット領域が並ぶ
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記軌道は、前記第１の基板の主面に垂直な方向から透視した場合にらせん状である
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記軌道は、前記第１の基板の主面に垂直な方向から透視した場合にライン状である
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザー光のスポット領域は、円形状を有する
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際に、２つの基板を接合し、その後、レーザー光を照射することで２つの基板のうち一方の基板を剥離（レーザー剥離）することがある。このレーザー剥離のスループットを向上することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１０３７２５号公報
特開２０２１－１０６１９７号公報
国際公開第２０２０／２１３４７８号
国際公開第２０２１／０１０２８４号
国際公開第２０２１／１３１７１０号
国際公開第２０２１／１３１７１１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一つの実施形態は、レーザー剥離のスループットを向上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、２次元的に分布する複数の凸部が形成された第１の基板を用意することを含む。半導体装置の製造方法は、第１の基板の複数の凸部に第１の膜を積層することを含む。半導体装置の製造方法は、第２の基板に第２の膜を積層することを含む。半導体装置の製造方法は、第１の膜における第１の基板の反対側の主面と第２の膜における第２の基板の反対側の主面とを接合することを含む。半導体装置の製造方法は、第１の基板の側からレーザー光を照射することを含む。半導体装置の製造方法は、第１の基板を剥離することを含む。レーザー光のスポット領域の直径は、第１の基板の主面における凸部の平均配置ピッチより大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す拡大断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す平面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す拡大断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す平面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態における応力の発生を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す拡大断面図。
第１の実施形態の第１の変形例にかかる半導体装置の製造方法を示す平面図。
第１の実施形態の第２の変形例にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第１の実施形態の第３の変形例にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャート。
第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第２の実施形態における分割照射パターンを示す平面図。
第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図。
第２の実施形態の第１の変形例における分割照射パターンを示す平面図。
第２の実施形態の第２の変形例における分割照射パターンを示す平面図。
第２の実施形態の第２の変形例における応力の発生を示す平面図。
第２の実施形態の第３の変形例における分割照射パターンを示す平面図。
第２の実施形態の第３の変形例における応力の発生を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法では、２つの基板が接合され、その後、レーザー光を照射することで２つの基板のうち一方の基板が剥離（レーザー剥離）されるが、このレーザー剥離が効率的に行われるための工夫が施される。
【０００９】
以下では、接合される２つの基板のうち剥離されずに残る他方の基板を基準とし、他方の基板の主面に垂直な方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な面内で互いに直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。
【００１０】
例えば、半導体装置１の製造方法は、図１～図１２に示すように行われ得る。図１は、半導体装置１の製造方法を示すフローチャートである。図２（ａ）～図２（ｆ）、図３（ａ）、図３（ｂ）、図５（ａ）～図５（ｂ）、図６、図７（ａ）～図７（ｃ）、図９（ａ）～図９（ｃ）、図１０、図１２（ａ）～図１２（ｅ）、図１３は、半導体装置１の製造方法を示すＹＺ断面図である。図３（ａ）は、図２（ａ）の拡大断面図である。図３（ｂ）は、図２（ｅ）の拡大断面図である。図６は、図５（ａ）の拡大断面図である。図１３は、図１２（ｅ）の拡大断面図である。図１１は、応力の発生を示すＹＺ断面図である。図４、図８は、半導体装置１の製造方法を示すＸＹ平面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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