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公開番号2024090121
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-04
出願番号2022205796
出願日2022-12-22
発明の名称処理方法および電子デバイス
出願人ダイキン工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類B05D 3/04 20060101AFI20240627BHJP(霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般)
要約【課題】本開示は、電子デバイスに備えられた表示パネルの新たな表面処理方法の提供を目的とする。
【解決手段】電子デバイスに備えられた表示パネルの処理方法であって、
前記表示パネルの表面の少なくとも一部の領域にプラズマを照射すること、
少なくとも、前記プラズマを照射した領域に表面処理剤を適用して、第1の表面処理層を形成すること、を含み、
前記表面処理剤は、含フッ素シラン化合物を含む、処理方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
電子デバイスに備えられた表示パネルの処理方法であって、
前記表示パネルの表面の少なくとも一部の領域にプラズマを照射すること、
少なくとも、前記プラズマを照射した領域に表面処理剤を適用して、第１の表面処理層を形成すること、を含み、
前記表面処理剤は、含フッ素シラン化合物を含む、処理方法。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記プラズマは、低温プラズマである、請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記プラズマを照射する前において、前記プラズマを照射する領域の少なくとも一部における水接触角は、１００°未満である、請求項１に記載の処理方法。
【請求項４】
前記プラズマの照射は、照射強度１Ｗ／ｃｍ
２
以上１００Ｗ／ｃｍ
２
以下、照射距離１ｍｍ以上３００ｍｍ以下の条件で実施される、請求項１に記載の処理方法。
【請求項５】
前記プラズマの照射は、プラズマの照射速度１ｍｍ／秒以上５０ｍｍ／秒以下の条件で実施される、請求項１に記載の処理方法。
【請求項６】
前記表面処理剤の適用は、前記プラズマの照射を終了した後、６０分以内に実施される、請求項１に記載の処理方法。
【請求項７】
前記プラズマの照射は、プラズマ温度６０℃以下で実施される、請求項１に記載の処理方法。
【請求項８】
前記第１の表面処理層を形成した後において、前記第１の表面処理層を有する部位における前記表示パネルの表面の水接触角は、１００°以上である、請求項１に記載の処理方法。
【請求項９】
前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）：
TIFF
2024090121000024.tif
22
101
［式中：
Ｒ
Ｆ１
は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ
１
－Ｒ
Ｆ
－Ｏ
ｑ
－またはフルオロアルキル基であり；
Ｒ
Ｆ２
は、－Ｒｆ
２
ｐ
－Ｒ
Ｆ
－Ｏ
ｑ
－またはフルオロアルキレン基であり；
Ｒｆ
１
は、各出現においてそれぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ
１－１６
アルキル基であり；
Ｒｆ
２
は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ
１－６
アルキレン基であり；
Ｒ
Ｆ
は、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０又は１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０又は１であり；
Ｒ
Ｓｉ
は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解性基、水素原子又は１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ
Ｓｉ
は、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
Ｘ
Ａ
は、それぞれ独立して、単結合又は２～１０価の有機基であり；
αは、１～９の整数であり；
βは、１～９の整数であり；
γは、それぞれ独立して、１～９の整数である。］
で表される少なくとも１種の含フッ素シラン化合物を含む、請求項１～８のいずれか１項に記載の処理方法。
【請求項１０】
表示パネルを備える電子デバイスであって、
前記表示パネルは、ガラス基材と、前記ガラス基材の表面の一部を覆う第１の層と、前記ガラス基材の表面の他の一部を覆う第２の層と、を有し、
前記第１の層は、含フッ素シラン化合物を含む表面処理剤により形成される層であり、
前記第１の層と前記第２の層の組成は、互いに異なる、電子デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子デバイスに備えられた表示パネルの処理方法および電子デバイスに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
基材に種々の特性を付与することを目的として、各種のコーティングが形成される。
【０００３】
特許文献１および２には、少なくとも部分的にコーティングのない表面を必要とする基板を調製するに際して、コーティングした基板から、プラズマを用いてコーティングを除去する方法が記載されている。
【０００４】
特許文献３には、残す部分と剥がす部分を含むフィルムが接着剤を介して被処理面に貼り付けられる被処理基板を、貼り付け前に表面処理する際に、プロセスガスをプラズマ化して、非処理面に接触させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１１－８２１８４号公報
特表２００７－５２７０９３号公報
特開２０１９－７３３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、電子デバイスに備えられた表示パネルの新たな表面処理方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、以下の態様を提供する。
［１］
電子デバイスに備えられた表示パネルの処理方法であって、
前記表示パネルの表面の少なくとも一部の領域にプラズマを照射すること、
少なくとも、前記プラズマを照射した領域に表面処理剤を適用して、第１の表面処理層を形成すること、を含み、
前記表面処理剤は、含フッ素シラン化合物を含む、処理方法。
［２］
前記プラズマは、低温プラズマである、［１］に記載の処理方法。
［３］
前記プラズマを照射する前において、前記プラズマを照射する領域の少なくとも一部における水接触角は、１００°未満である、［１］または［２］に記載の処理方法。
［４］
前記プラズマの照射は、照射強度１Ｗ／ｃｍ
２
以上１００Ｗ／ｃｍ
２
以下、照射距離１ｍｍ以上３００ｍｍ以下の条件で実施される、［１］～［３］のいずれか１つに記載の処理方法。
［５］
前記プラズマの照射は、プラズマの照射速度１ｍｍ／秒以上５０ｍｍ／秒以下の条件で実施される、［１］～［４］のいずれか１つに記載の処理方法。
［６］
前記表面処理剤の適用は、前記プラズマの照射を終了した後、６０分以内に実施される、［１］～［５］のいずれか１つに記載の処理方法。
［７］
前記プラズマの照射は、プラズマ温度６０℃以下で実施される、［１］～［６］のいずれか１つに記載の処理方法。
［８］
前記第１の表面処理層を形成した後において、前記第１の表面処理層を有する部位における前記表示パネルの表面の水接触角は、１００°以上である、［１］～［７］のいずれか１つに記載の処理方法。
［９］
前記含フッ素シラン化合物は、下記式（１）または（２）：
TIFF
2024090121000001.tif
22
101
［式中：
Ｒ
Ｆ１
は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｆ
１
－Ｒ
Ｆ
－Ｏ
ｑ
－またはフルオロアルキル基であり；
Ｒ
Ｆ２
は、－Ｒｆ
２
ｐ
－Ｒ
Ｆ
－Ｏ
ｑ
－またはフルオロアルキレン基であり；
Ｒｆ
１
は、各出現においてそれぞれ独立して、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ
１－１６
アルキル基であり；
Ｒｆ
２
は、１個又はそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよいＣ
１－６
アルキレン基であり；
Ｒ
Ｆ
は、各出現においてそれぞれ独立して、２価のフルオロポリエーテル基であり；
ｐは、０又は１であり；
ｑは、各出現においてそれぞれ独立して、０又は１であり；
Ｒ
Ｓｉ
は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基、加水分解性基、水素原子又は１価の有機基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
少なくとも１つのＲ
Ｓｉ
は、水酸基又は加水分解性基が結合したＳｉ原子を含む１価の基であり；
【発明の効果】
【０００８】
本開示は、電子デバイスに備えられた表示パネルの新たな表面処理方法を提供し得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施例において、動摩擦係数を測定した表示パネル上の位置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態：処理方法）
電子デバイスに備えられた表示パネルの処理方法であって、
前記表示パネルの表面の少なくとも一部の領域にプラズマを照射すること、
少なくとも、前記プラズマを照射した領域に表面処理剤を適用して、第１の表面処理層を形成すること、を含み、
前記表面処理剤は、含フッ素シラン化合物を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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