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公開番号2024088277
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-02
出願番号2022203364
出願日2022-12-20
発明の名称半導体記憶装置
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01G 2/02 20060101AFI20240625BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一実施形態は、設計自由度の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、基板と、電子部品と、ホルダとを備える。前記基板は、切欠きまたは開口である空間部を有する。前記電子部品は、前記空間部に配置された部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有する。前記ホルダは、前記空間部に配置され、前記部品本体を保持する。前記空間部は、第1方向に沿う第1縁と、前記第1方向とは交差した第2方向で前記第1縁から離れて前記第1方向に沿う第2縁とを有する。前記ホルダは、少なくとも一部が環状に形成されて前記部品本体が内側に挿入されるホルダ本体と、前記第1方向に沿って設けられて前記第1縁に係合する第1溝と、前記第1方向に沿って設けられて前記第2縁に係合する第2溝とを有した。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
切欠きまたは開口である空間部を有した基板と、
前記空間部に配置された部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有した電子部品と、
前記空間部に配置され、前記部品本体を保持したホルダと、
を備え、
前記空間部は、第１方向に沿う第１縁と、前記第１方向とは交差した第２方向で前記第１縁から離れるとともに、前記第１方向に沿う第２縁とを有し、
前記ホルダは、少なくとも一部が環状に形成されて前記部品本体が内側に挿入されるホルダ本体と、前記第１方向に沿って設けられて前記第１縁に係合する第１溝と、前記第１方向に沿って設けられて前記第２縁に係合する第２溝とを有した、
半導体記憶装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記ホルダの前記第１方向の長さは、前記部品本体の前記第１方向の長さよりも短い、
請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記部品本体は、円柱状であり、
前記ホルダ本体は、前記部品本体の外周面に沿うリング状である、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記第１溝および前記第２溝は、前記基板の厚さ方向に関して、前記ホルダの中心と同じ位置に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記第１溝および前記第２溝は、前記基板の厚さ方向に関して、前記ホルダの中心とは異なる位置に設けられた、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記基板は、パッドを含む第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを有し、
前記第１溝および前記第２溝は、前記基板の厚さ方向に関して、前記ホルダの中心から見て前記第２面側に設けられ、
前記リードは、前記部品本体から直線状に延びて前記パッドに接合された、
請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記基板の厚さ方向を第３方向とする場合、
前記第１溝および前記第２溝の各々は、前記第２方向および前記第３方向に沿う断面において、前記第３方向の幅が前記基板の厚さよりも大きい第１部分と、前記第３方向の幅が前記基板の厚さよりも小さい第２部分と、前記第１部分から前記第２部分に向かうに従い前記第３方向の幅が徐々に小さくなる第３部分とを含む、
請求項１または請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
一端が開放された切欠きを有した基板と、
前記切欠きに配置された部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有した電子部品と、
前記切欠きに配置され、前記部品本体を保持したホルダと、
を備え、
前記切欠きは、第１方向に沿う第１縁と、前記第１方向とは交差した第２方向で前記第１縁から離れるとともに、前記第１方向に沿う第２縁とを有し、
前記ホルダは、前記第１方向に沿って設けられて前記第１縁に係合する第１溝と、前記第１方向に沿って設けられて前記第２縁に係合する第２溝とを有し、
前記基板の厚さ方向を第３方向とする場合、
前記第１溝および前記第２溝の各々は、前記第２方向および前記第３方向に沿う断面において、前記第３方向の幅が前記基板の厚さよりも大きい第１部分と、前記第３方向の幅が前記基板の厚さよりも小さい第２部分と、前記第１部分から前記第２部分に向かうに従い前記第３方向の幅が徐々に小さくなる第３部分とを含む、
半導体記憶装置。
【請求項９】
前記ホルダは、前記第１方向から見た場合に前記部品本体と重なる部分を含むカバーと、前記カバーから前記部品本体の外形の少なくとも一部に沿って延びて前記第２方向で前記部品本体を保持する保持部とをさらに有した、
請求項８に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記ホルダの前記第３方向の幅は、前記部品本体の前記第３方向の幅よりも小さい、
請求項９に記載の半導体記憶装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
基板と、基板に実装されたコンデンサとを有した半導体記憶装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２１／０３４５４８９号明細書
特開２０１４－０９６５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一実施形態は、設計自由度の向上を図ることができる半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体記憶装置は、基板と、電子部品と、ホルダとを備える。前記基板は、切欠きまたは開口である空間部を有する。前記電子部品は、前記空間部に配置された部品本体と、前記部品本体から突出して前記基板に接続されたリードとを有する。前記ホルダは、前記空間部に配置され、前記部品本体を保持する。前記空間部は、第１方向に沿う第１縁と、前記第１方向とは交差した第２方向で前記第１縁から離れるとともに、前記第１方向に沿う第２縁とを有する。前記ホルダは、少なくとも一部が環状に形成されて前記部品本体が内側に挿入されるホルダ本体と、前記第１方向に沿って設けられて前記第１縁に係合する第１溝と、前記第１方向に沿って設けられて前記第２縁に係合する第２溝とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態の半導体記憶装置を示す斜視図。
第１実施形態の基板ユニットを示す斜視図。
第１実施形態の実装構造を説明するための図。
第１実施形態のホルダを示す正面図。
第１実施形態のコンデンサと基板に取り付けられたホルダを示す断面図。
図５に示された実装構造のＦ６線に囲まれた領域を拡大して示す断面図。
第１実施形態の変形例の実装構造を説明するための図。
第２実施形態の実装構造を説明するための図。
第２実施形態のホルダを示す正面図。
第２実施形態のコンデンサと基板に取り付けられたホルダを示す断面図。
図１０に示された実装構造のＦ１１線に囲まれた領域を拡大して示す断面図。
第３実施形態の実装構造を説明するための図。
第３実施形態のホルダを示す正面図。
第３実施形態のコンデンサと基板に取り付けられたホルダを示す正面図。
第４実施形態の実装構造を説明するための図。
図１５に示された実装構造のＦ１６－Ｆ１６線に沿う断面図。
図１５に示された実装構造のＦ１７－Ｆ１７線に沿う断面図。
第５実施形態の実装構造を説明するための図。
第６実施形態の実装構造を説明するための図。
第６実施形態の実装構造の組立方法の一例を説明するための図。
第１から第６実施形態の変形例の実装構造を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の半導体記憶装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。本出願で「平行」、「直交」、または「同じ」とは、それぞれ「略平行」、「略直交」、または「略同じ」である場合も含み得る。本出願で「重なる」とは、２つの対象物の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの対象物が直接に接しない場合（例えば２つの対象物の間に別の部材が存在する場合）も含み得る。本出願で「接続」とは、機械的な接続に限定されず、電気的な接続も含み得る。すなわち「接続」とは、対象物と直接に接続される場合に限定されず、別の部材を間に介在させて接続される場合も含み得る。
【０００８】
ここで先に、＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向、および－Ｚ方向を定義する。＋Ｘ方向、－Ｘ方向、＋Ｙ方向、および－Ｙ方向は、後述する基板２１の第１面Ｓ１（図２参照）と平行な方向である。＋Ｘ方向は、後述する基板２１の第１端２１ａから第２端２１ｂに向かう方向である（図２参照）。－Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対の方向である。＋Ｘ方向と－Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および－Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、後述する基板２１の第３端２１ｃから第４端２１ｄ向かう方向である（図２参照）。－Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対の方向である。＋Ｙ方向と－Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および－Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向であり、後述する基板２１の厚さ方向である。＋Ｚ方向は、後述する基板２１の第２面Ｓ２から第１面Ｓ１に向かう方向である（図２参照）。－Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対の方向である。＋Ｚ方向と－Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。＋Ｘ方向は、「第１方向」の一例である。＋Ｙ方向は、「第２方向」の一例である。＋Ｚ方向は、「第３方向」の一例である。
【０００９】
（第１実施形態）
＜１．半導体記憶装置の全体構成＞
図１から図６を参照し、第１実施形態の半導体記憶装置１について説明する。半導体記憶装置１は、例えばＳＳＤ（Solid State Drive）のようなストレージデバイスである。半導体記憶装置１は、例えば、サーバやパーソナルコンピュータなどの情報処理装置に取り付けられ、情報処理装置の記憶領域として利用される。本出願では、半導体記憶装置１が取り付けられる情報処理装置を「ホスト装置」と称する。
【００１０】
図１は、半導体記憶装置１を示す斜視図である。半導体記憶装置１は、例えば、筐体１０と、基板ユニット２０とを有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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