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公開番号2024087547
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-07-01
出願番号2022202431
出願日2022-12-19
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人サクラ国際特許事務所
主分類H01L 23/29 20060101AFI20240624BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、表面1aと、表面1aに露出するグランド電極(導電層111)と、を有する配線基板1と、表面1aの上方に設けられ、チップ構造体20と、チップ構造体20を封止する樹脂層21と、を有する積層体2と、積層体2を封止する樹脂層4と、配線基板1と積層体2との間に設けられた樹脂層3と、樹脂層21と表面1aとの間及び樹脂層21と樹脂層4との間に設けられ、グランド電極(導電層111)に接する導電性シールド層5と、を具備する。導電性シールド層5は、樹脂層21の側面に接する。グランド電極(導電層111)を表面1aに垂直な方向から見たとき、グランド電極(導電層111)は、樹脂層21の外側に配置される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１の表面と、前記第１の表面に露出するグランド電極と、を有する配線基板と、
前記第１の表面の上方に設けられ、チップ構造体と、前記チップ構造体を封止する第１の樹脂層と、を有する積層体と、
前記積層体を封止する第２の樹脂層と、
前記配線基板と前記積層体との間に設けられた第３の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第１の表面との間、および、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、前記グランド電極に接する第１の導電性シールド層と、
を具備し、
前記第１の導電性シールド層は、前記第１の樹脂層の側面に接し、
前記グランド電極を前記第１の表面に垂直な方向から見たとき、前記グランド電極は、前記第１の樹脂層の外側に配置される、
半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１の導電性シールド層は、銅、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、チタン、およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の導電性シールド層と前記第２の樹脂層との間に設けられるとともに前記第１の導電性シールド層に接する保護膜をさらに具備し、
前記保護膜は、酸化銅、酸化クロム、酸化鉄、酸化ニッケル、および窒化チタンアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一つの化合物を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の樹脂層を前記第１の表面に垂直な方向から見たとき、前記第３の樹脂層の外縁は、前記グランド電極と前記積層体との間に配置される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３の樹脂層は、前記配線基板と前記積層体との間から前記第１の樹脂層の前記側面まで延在する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記チップ構造体は、複数の半導体チップを有し、
前記複数の半導体チップは、互いに積層される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記積層体は、前記チップ構造体と前記第１の導電性シールド層との間に前記第１の導電性シールド層に接する層を有し、
前記層は、シリコンまたは酸化シリコンを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の導電性シールド層の端部は、前記第２の樹脂層から露出する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の樹脂層を覆う第２の導電性シールド層をさらに具備し、
前記第２の導電性シールド層は、前記第２の樹脂層から露出する前記第１の導電性シールド層の端部に接する、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
チップ構造体と、前記チップ構造体を封止する第１の樹脂層と、を有する積層体を配線基板の第１の表面の上方に形成し、
前記配線基板と前記積層体との間に第３の樹脂層を形成し、
前記配線基板に設けられるとともに前記第１の表面に露出するグランド電極に接する第１の導電性シールド層を前記積層体を覆うように形成し、
前記第１の導電性シールド層の上に前記積層体を封止する第２の樹脂層を形成し、
前記第１の導電性シールド層は、前記第１の樹脂層の側面に接し、
前記グランド電極を前記第１の表面に垂直な方向から見たとき、前記グランド電極は、前記第１の樹脂層の外側に配置される、
半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の半導体装置は、配線基板上に積層されるとともに半導体チップを有する積層体を具備する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－１０９２７４号公報
特開２００６－３１０６２９号公報
特開２００６－１５６７９８号公報
特開２０１１－１４２２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態において解決しようとする課題の一つは、高い信頼性を有する半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、第１の表面と、第１の表面に露出するグランド電極と、を有する配線基板と、第１の表面の上方に設けられ、チップ構造体と、チップ構造体を封止する第１の樹脂層と、を有する積層体と、積層体を封止する第２の樹脂層と、配線基板と積層体との間に設けられた第３の樹脂層と、第１の樹脂層と第１の表面との間、および、第１の樹脂層と第２の樹脂層との間に設けられ、グランド電極に接する第１の導電性シールド層と、を具備する。第１の導電性シールド層は、第１の樹脂層の側面に接する。グランド電極を第１の表面に垂直な方向から見たとき、グランド電極は、第１の樹脂層の外側に配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
半導体装置の構造例を示す断面模式図である。
半導体装置の構造例を示す平面模式図である。
半導体装置の製造方法例を説明するためのフローチャートである。
積層体搭載ステップＳ１を説明するための断面模式図である。
封止層形成ステップＳ２を説明するための断面模式図である。
自然酸化膜除去ステップＳ３を説明するための断面模式図である。
導電性シールド層形成ステップＳ４を説明するための断面模式図である。
封止層形成ステップＳ５を説明するための断面模式図である。
マーキング・外部接続端子形成ステップＳ６を説明するための断面模式図である。
個片化ステップＳ７を説明するための断面模式図である。
チップ構造体２０の第１の構造例を示す断面模式図である。
チップ構造体２０の第２の構造例を示す断面模式図である。
半導体装置の第１の変形例を示す断面模式図である。
半導体装置の第２の変形例を示す断面模式図である。
半導体装置の第３の変形例を示す断面模式図である。
半導体装置の第４の変形例を示す断面模式図である。
半導体装置の第５の変形例を示す断面模式図である。
半導体装置の第６の変形例を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。図面に記載された各構成要素の厚さと平面寸法との関係、各構成要素の厚さの比率等は現物と異なる場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し適宜説明を省略する。
【０００８】
本明細書において「接続する」とは、特に指定する場合を除き、物理的に接続することだけでなく、電気的に接続する場合もある。
【０００９】
図１は、半導体装置の構造例を示す断面模式図である。図２は、半導体装置の構造例を示す平面模式図である。図１および図２は、Ｘ軸と、Ｘ軸に垂直なＹ軸と、Ｘ軸およびＹ軸に垂直なＺ軸と、を示す。なお、Ｘ軸は、例えば配線基板１の表面１ａに平行な方向であり、Ｙ軸は表面１ａに平行であって且つＸ軸に垂直な方向であり、Ｚ軸は、表面１ａに垂直な方向である。図１は、Ｘ－Ｚ断面の一例を示す。図２は、Ｘ－Ｙ平面の一例を示す。図２は、便宜のため、一部の構成要素を図示しないまたは点線や鎖線で図示する。
【００１０】
半導体装置１００は、配線基板１と、積層体２と、樹脂層３と、樹脂層４と、導電性シールド層５と、を具備する。なお、図２は、導電性シールド層５を一点鎖線で示す。
（【００１１】以降は省略されています）

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