TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
公開番号2024084760
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-25
出願番号2024040263,2020058366
出願日2024-03-14,2020-03-27
発明の名称金属磁性粒子、金属磁性体コア及びインダクタ
出願人株式会社村田製作所
代理人弁理士法人WisePlus
主分類H01F 1/147 20060101AFI20240618BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性粒子及びインダクタ、絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性粒子を得ることのできる金属磁性粒子の製造方法、並びに、絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性体コアを得ることのできる金属磁性体コアの製造方法を提供すること。
【解決手段】Fe及びSiを含む合金粒子(10)の表面に、酸化物層が設けられた金属磁性粒子(1)であって、上記酸化物層は、上記合金粒子側から第1酸化物層(20)、第2酸化物層(30)、第3酸化物層(40)、第4酸化物層(50)を有し、走査型透過電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分析を用いた元素含有量のライン分析において、上記第1酸化物層(20)は、Si量が極大値をとる層であり、上記第2酸化物層(30)は、Fe量が極大値をとる層であり、上記第3酸化物層(40)は、Si量が極大値をとる層であり、上記第4酸化物層(50)は、Fe量が極大値をとる層である、ことを特徴とする金属磁性粒子(1)。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
Fe及びSiを含む合金粒子の表面に、酸化物層が設けられた金属磁性粒子であって、
前記酸化物層は、前記合金粒子側から第1酸化物層、第2酸化物層、第3酸化物層、第4酸化物層を有し、
走査型透過電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分析を用いた元素含有量のライン分析において、
前記第1酸化物層は、Si量が極大値をとる層であり、
前記第2酸化物層は、Fe量が極大値をとる層であり、
前記第3酸化物層は、Si量が極大値をとる層であり、
前記第4酸化物層は、Fe量が極大値をとる層である、ことを特徴とする金属磁性粒子。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記合金粒子におけるSiの重量割合は、前記Fe及び前記Siの合計重量100重量部に対して、1.5重量部以上、8.0重量部以下である請求項1に記載の金属磁性粒子。
【請求項3】
前記合金粒子が、前記Fe及び前記Siの合計重量100重量部に対して1.0重量部未満のCrを含有する請求項1又は2に記載の金属磁性粒子。
【請求項4】
請求項1~3のいずれか1項に記載の金属磁性粒子を備えることを特徴とするインダクタ。
【請求項5】
Fe及びSiを含む合金粒子の表面に前記合金粒子側からSi酸化膜、Fe酸化膜を有する原料粒子とSiアルコキシド及びアルコールとを混合する工程、
前記Siアルコキシドを加水分解して乾燥することにより、酸化ケイ素を含む被覆膜が形成された被覆膜形成粒子を形成する工程、
前記被覆膜形成粒子を酸化雰囲気中で熱処理することにより、前記合金粒子の表面に酸化物層を形成する工程、を含み、
前記被覆膜の平均厚さが、10nm以上、14nm以下であることを特徴とする金属磁性粒子の製造方法。
【請求項6】
前記熱処理の温度が、600℃以上、740℃以下である請求項5に記載の金属磁性粒子の製造方法。
【請求項7】
前記Siアルコキシドは、テトラエトキシシランである請求項5又は6に記載の金属磁性粒子の製造方法。
【請求項8】
Fe及びSiを含む合金粒子の表面に前記合金粒子側からSi酸化膜、Fe酸化膜を有する原料粒子とSiアルコキシド及びアルコールとを混合する工程、
前記Siアルコキシドを加水分解して乾燥することにより、酸化ケイ素を含む被覆膜が形成された被覆膜形成粒子を形成する工程、
前記被覆膜形成粒子を成形する成形工程、
前記被覆膜形成粒子の成形体を酸化雰囲気中で熱処理することにより、前記合金粒子の表面に酸化物層を形成する工程、を含み、
前記被覆膜の平均厚さが、10nm以上、14nm以下であることを特徴とする金属磁性体コアの製造方法。
【請求項9】
前記成形工程は、前記被覆膜形成粒子を含むグリーンシートを積層及び加圧する工程を有する請求項8に記載の金属磁性体コアの製造方法。
【請求項10】
前記成形工程は、前記被覆膜形成粒子を含むペーストを印刷及び乾燥する工程を有する請求項8に記載の金属磁性体コアの製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、金属磁性粒子、インダクタ、金属磁性粒子の製造方法及び金属磁性体コアの製造方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)【背景技術】
【0002】
電源回路で使用されるパワーインダクタは、小型化、低損失化、大電流対応化が要求されており、これらの要求に対応すべく、その磁性材料に飽和磁束密度の高い金属磁性粒子を使用する事が検討されている。金属磁性粒子は飽和磁束密度が高いという利点があるが、材料単体の絶縁抵抗が低いため、電子部品の磁性体として使用する為には、金属磁性粒子同士の絶縁を確保する必要がある。このため、金属磁性粒子の絶縁性を向上させる方法が種々検討されている。
【0003】
例えば、特許文献1には、金属磁性粒子の表面をガラス等の絶縁膜でコートする方法が開示されている。また、特許文献2には、金属磁性粒子の表面に、材料由来の酸化物層を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特許第5082002号
特許第4866971号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献1に記載された方法では、ガラス等の絶縁膜を金属磁性粒子の表面に均一に形成することができず、膜厚の薄い箇所が絶縁破壊の起点となってしまうという問題があった。
また、特許文献2に記載された方法では、原料由来の酸化物層が潜在的に欠陥を含むため、絶縁信頼性が充分でないという問題があった。また、特許文献2に記載された金属磁性材料は、原料粒子の酸化の進行を防ぐために、高い温度で熱処理することができないという問題もあった。
【0006】
本発明は、絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性粒子及びインダクタ、絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性粒子を得ることのできる金属磁性粒子の製造方法、並びに、絶縁性及び直流重畳特性に優れた金属磁性体コアを得ることのできる金属磁性体コアの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の金属磁性粒子は、Fe及びSiを含む合金粒子の表面に、酸化物層が設けられた金属磁性粒子であって、上記酸化物層は、上記合金粒子側から第1酸化物層、第2酸化物層、第3酸化物層、第4酸化物層を有し、走査型透過電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分析を用いた元素含有量のライン分析において、上記第1酸化物層は、Si量が極大値をとる層であり、上記第2酸化物層は、Fe量が極大値をとる層であり、上記第3酸化物層は、Si量が極大値をとる層であり、上記第4酸化物層は、Fe量が極大値をとる層である、ことを特徴とする。
【0008】
本発明のインダクタは、本発明の金属磁性粒子を備えることを特徴とする。
【0009】
本発明の金属磁性粒子の製造方法は、Fe及びSiを含む合金粒子の表面に上記合金粒子側からSi酸化膜、Fe酸化膜を有する原料粒子とSiアルコキシド及びアルコールとを混合する工程、上記Siアルコキシドを加水分解して乾燥することにより、酸化ケイ素を含む被覆膜が形成された被覆膜形成粒子を形成する工程、上記被覆膜形成粒子を酸化雰囲気中で熱処理することにより、上記合金粒子の表面に酸化物層を形成する工程、を含み、上記被覆膜の平均厚さが、10nm以上、14nm以下であることを特徴とする。
【0010】
本発明の金属磁性体コアの製造方法は、Fe及びSiを含む合金粒子の表面に上記合金粒子側からSi酸化膜、Fe酸化膜を有する原料粒子とSiアルコキシド及びアルコールとを混合する工程、上記Siアルコキシドを加水分解して乾燥することにより、酸化ケイ素を含む被覆膜が形成された被覆膜形成粒子を形成する工程、上記被覆膜形成粒子を成形する成形工程、上記被覆膜形成粒子の成形体を酸化雰囲気中で熱処理することにより、上記合金粒子の表面に酸化物層を形成する工程、を含み、上記被覆膜の平均厚さが、10nm以上、14nm以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

個人
集積回路
18日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
10日前
ローム株式会社
半導体装置
8日前
株式会社PFA
異物除去具
8日前
株式会社ダイヘン
碍子
2日前
マクセル株式会社
電池
3日前
株式会社魁半導体
プラズマ処理装置
11日前
株式会社ヨコオ
変換回路
8日前
日本航空電子工業株式会社
押釦
15日前
トヨタ自動車株式会社
搬送装置
1日前
京セラ株式会社
積層型電子部品
1日前
東レエンジニアリング株式会社
転写方法
15日前
住友電装株式会社
コネクタ
3日前
シャープ株式会社
入力装置
15日前
住友電装株式会社
コネクタ
4日前
ローム株式会社
半導体装置
17日前
東レエンジニアリング株式会社
転写装置
1日前
三洲電線株式会社
撚線導体
11日前
日本航空電子工業株式会社
コネクタ
8日前
三菱電機株式会社
半導体装置
22日前
オムロン株式会社
電磁石装置
8日前
三菱電機株式会社
半導体装置
9日前
オムロン株式会社
電磁石装置
8日前
三菱電機株式会社
半導体装置
1日前
オムロン株式会社
電磁継電器
17日前
オムロン株式会社
電磁継電器
17日前
TDK株式会社
アンテナ装置
18日前
住友電装株式会社
雌端子金具
9日前
株式会社はくぶん
電池ボックス装置
4日前
日本圧着端子製造株式会社
コネクタ
4日前
三菱電機株式会社
半導体装置
22日前
TDK株式会社
電子部品
11日前
ルビコン株式会社
キャパシタンス装置
16日前
SMK株式会社
コネクタ
8日前
CKD株式会社
ユニットカバー
16日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1日前
続きを見る