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公開番号2024077155
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-07
出願番号2022189039
出願日2022-11-28
発明の名称無電解めっき液及び配線基板の製造方法
出願人東京エレクトロン株式会社,学校法人関西大学
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 18/44 20060101AFI20240531BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】無電解めっきによってルテニウムを素材上に安定的に析出させるのに有利な技術を提供する。
【解決手段】無電解めっき液は、ルテニウム塩、錯化剤、還元剤、及びpH調整剤を含有し、還元剤は、ヒドラジン-水和物を含み、錯化剤は、カルボキシル基を1個若しくは2個有するカルボン酸を含む。
【選択図】図1B
特許請求の範囲【請求項１】
ルテニウム塩、錯化剤、還元剤、及びｐＨ調整剤を含有し、
前記還元剤は、ヒドラジン－水和物を含み、
前記錯化剤は、カルボキシル基を１個若しくは２個有するカルボン酸を含む、無電解めっき液。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記錯化剤は、前記カルボン酸としてコハク酸を含み、
前記コハク酸の濃度は、１０～１５０ｍｏｌ／ｍ
３
である、請求項１に記載の無電解めっき液。
【請求項３】
前記錯化剤は、前記カルボン酸として乳酸を含み、
前記乳酸の濃度は、１０～１００ｍｏｌ／ｍ
３
である、請求項１に記載の無電解めっき液。
【請求項４】
前記ヒドラジン－水和物の濃度は、５ｍｏｌ／ｍ
３
～４０ｍｏｌ／ｍ
３
である、請求項１に記載の無電解めっき液。
【請求項５】
１１以上のｐＨを有する請求項１に記載の無電解めっき液。
【請求項６】
請求項１～５のいずれか一項に記載の無電解めっき液を、基板の配線用の凹部を区画する凹部区画面に接触させた状態で、無電解めっきによって前記凹部にルテニウムを含むめっき体を堆積させる工程を含む、配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記凹部は、ビア及びトレンチのうち少なくともいずれか一方を含む請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記凹部区画面は、区画底面及び区画側面を含み、
前記区画底面は、前記無電解めっきによりルテニウムが堆積される金属面を含む、請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記凹部区画面は、シード層を含み
前記無電解めっき液を前記シード層に接触させた状態で前記無電解めっきが行われて、前記シード層上にルテニウムが堆積される請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記無電解めっきを促進させる触媒が付着している前記凹部区画面に前記無電解めっき液を接触させた状態で、前記無電解めっきが行われる、請求項６に記載の配線基板の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、無電解めっき液及び配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
基板上に金属膜を形成する手法として無電解めっきが利用されている。例えば特許文献１は、無電解銅めっきによって基板の配線溝や配線孔に銅を堆積させる手法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開２００５／０３８０８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年における半導体配線の微細化の進展に伴って、配線材料としてルテニウム（Ｒｕ）が注目されている。
【０００５】
ルテニウムの成膜はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）が利用されて実施可能であるが、無電解めっきによってもルテニウムの成膜を行うことが可能である。特に、無電解めっきは、生産性に優れるとともに、様々な形状の金属膜を形成可能であり、半導体基板の配線などの微細構造体の製造に適している。
【０００６】
本開示は、無電解めっきによってルテニウムを素材上に安定的に析出させるのに有利な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、ルテニウム塩、錯化剤、還元剤、及びｐＨ調整剤を含有し、還元剤は、ヒドラジン－水和物を含み、錯化剤は、カルボキシル基を１個若しくは２個有するカルボン酸を含む、無電解めっき液に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、無電解めっきによってルテニウムを素材上に安定的に析出させるのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１Ａは、配線基板の第１製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図１Ｂは、配線基板の第１製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図１Ｃは、配線基板の第１製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図２Ａは、配線基板の第２製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図２Ｂは、配線基板の第２製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図２Ｃは、配線基板の第２製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
図３は、配線基板の第３製造方法の一例を示す基板の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の典型的な実施形態について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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