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公開番号2024060807
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-07
出願番号2022168326
出願日2022-10-20
発明の名称基板処理装置、及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20240425BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の搬入出口が設けられる処理容器と、前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、前記ガスを供給するガス供給部と、前記ガスを加熱するヒータと、制御部と、を備える。前記制御部は、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第2設定温度に維持する制御と、前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を第1設定温度に維持する制御と、前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第1設定温度から前記第2設定温度に上げる制御と、を行う。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板の搬入出口が設けられる処理容器と、
前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板保持部で保持している前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、
前記基板保持部で保持している前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、
前記カバーに前記ガスを供給するガス供給部と、
前記カバーに設けられ、前記ガスを加熱するヒータと、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第１設定温度よりも高い第２設定温度に維持する制御と、
前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を前記第１設定温度に維持する制御と、
前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる制御と、
を行う、基板処理装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記液供給部は、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に、前記処理液と、前記処理液を前記基板から除去するリンス液と、をこの順番で供給し、
前記制御部は、前記処理液の供給完了以降であって前記リンス液の供給開始以前に前記ヒータの出力を下げることで前記ヒータの温度を前記第２設定温度から下げる制御を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記待機工程の開始から設定時間内に、前記ヒータの出力を上げることで前記ヒータの温度を前記第１設定温度に戻す制御を行う、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記カバーの中央部には、前記カバーを上下方向に貫通する開口部が設けられており、
前記基板処理装置は、前記処理容器の天井に設けられるダウンフロー形成部を備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ガスの吐出流量を第１設定流量よりも大きい第２設定流量に維持する制御と、
前記待機工程の間に前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量に維持する制御と、
前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる間に、前記ガスの吐出流量を前記第１設定流量から前記第２設定流量に上げる制御と、
を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記カバーを、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に位置する処理位置と、前記処理位置よりも上方の待機位置と、の間で昇降させる昇降部を備え、
前記制御部は、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量に維持した状態で、前記カバーを前記待機位置から前記処理位置に下降する制御を行う、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記処理液の供給完了以降であって、前記カバーを前記処理位置から前記待機位置に上昇する前に、前記ガスの吐出流量を前記第２設定流量から前記第１設定流量に下げる制御を行う、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記ヒータの温度を、前記第１設定温度よりも低い温度から前記第１設定温度まで、予め設定された昇温時間で昇温するように、前記ヒータの出力を制御する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記待機工程中に、時間の経過に応じて前記第１設定温度を段階的に下げる制御を行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ガス吐出口は、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
前記ヒータは、前記基板の径方向に沿って複数設けられ、
前記制御部は、複数の前記ヒータの出力を独立に制御する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させる基板回転保持部と、基板回転保持部で保持された基板の下面に処理液を供給する処理液供給部とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１４３７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一態様は、基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板の搬入出口が設けられる処理容器と、前記処理容器の内部で前記基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部で保持している前記基板の下面に処理液を供給する液供給部と、前記基板保持部で保持している前記基板の上面に向けてガスを吐出するガス吐出口が設けられたカバーと、前記カバーに前記ガスを供給するガス供給部と、前記カバーに設けられ、前記ガスを加熱するヒータと、制御部と、を備える。前記制御部は、前記基板の下面に対する前記処理液の供給中に、前記ヒータの温度を第１設定温度よりも高い第２設定温度に維持する制御と、前記基板の搬出開始から次の前記基板の搬入完了までの待機工程の間に、前記ヒータの温度を前記第１設定温度に維持する制御と、前記待機工程の間に前記ヒータの出力を上げることで、次の前記基板の搬入完了までに前記ヒータの温度を前記第１設定温度から前記第２設定温度に上げる制御と、を行う。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、基板の処理効率の低下を抑制すると共に、ヒータの消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。
図２は、図１の基板処理装置におけるガスと処理液の流れの一例を示す断面図である。
図３は、一実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。
図４は、基板処理装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
図５（Ａ）は昇温時間の制御の第１例を示す図であり、図５（Ｂ）は昇温時間の制御の第２例を示す図である。
図６は、第１設定温度の変更の一例を示す図である。
図７は、第１変形例に係る基板処理装置におけるガスと処理液の流れの変形例を示す断面図である。
図８は、第２変形例に係る基板処理装置におけるガスと処理液の流れの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
【０００９】
図１を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、処理容器１０と、基板保持部２０と、回転駆動部３５と、液供給部４０と、カバー５０と、ガス供給部６０と、ヒータ７０と、カバー昇降部７５と、回収カップ８０と、制御部９０と、を備える。
【００１０】
処理容器１０は、基板Ｗを収容する。処理容器１０の側壁には、基板Ｗの搬入出口１１が設けられる。ゲートバルブ１２は、制御部９０による制御下で、搬入出口１１を開閉する。処理容器１０の天井には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）１３設けられる。ＦＦＵ１３は、処理容器１０の内部にダウンフローを形成するダウンフロー形成部の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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