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公開番号2024057288
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-24
出願番号2022163926
出願日2022-10-12
発明の名称弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサおよびウエハ
出願人太陽誘電株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240417BHJP(基本電子回路)
要約【課題】メイン応答の劣化を抑制し、かつスプリアスを抑制することが可能な弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、基板10と、基板10上に設けられる圧電層14と、圧電層14上に設けられ、平均ピッチは圧電層14の厚さの0.5倍以上である複数の電極指18を備える少なくとも一対の櫛型電極20と、基板10と圧電層14との間に設けられ、圧電層14のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第1絶縁層11と、第1絶縁層11と圧電層14との間に設けられ、第1絶縁層11のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第2絶縁層12とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられる圧電層と、
前記圧電層上に設けられ、平均ピッチは前記圧電層の厚さの０．５倍以上である複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、
前記基板と前記圧電層との間に設けられ、前記圧電層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記圧電層との間に設けられ、前記第１絶縁層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第２絶縁層と、
を備える弾性波デバイス。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記基板のバルク波の音速は前記第２絶縁層のバルク波の音速より速い請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電層と前記第２絶縁層との間に設けられ、酸化シリコン層またはフッ素を添加した酸化シリコン層である第３絶縁層を備え、
前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との界面と、前記圧電層と前記一対の櫛型電極との界面と、の距離は前記平均ピッチの４倍以下である請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、
前記第２絶縁層の厚さは、前記平均ピッチの４倍以下であり、
前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の２倍以下である請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、
前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の１．１倍以下である請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第２絶縁層の厚さは、前記平均ピッチの３倍以下である請求項５に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、
前記第２絶縁層の厚さは、前記平均ピッチの３倍以下であり、
前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の１．３５倍以下である請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、
前記第２絶縁層の厚さは、前記平均ピッチの０．８倍以下であり、
前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の２倍以下である請求項３に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記圧電層と前記第２絶縁層との間に厚さが前記平均ピッチの１／１６倍以上の他の層は設けられておらず、
前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、
前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の１．１倍以下である請求項２に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１絶縁層は、多結晶または非晶質の酸化アルミニウム層である請求項５から９のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、マルチプレクサおよびウエハに関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波共振器として、弾性表面波共振器が知られている。弾性表面波共振器を形成する圧電層を支持基板に接合することが知られている。圧電層の厚さを弾性表面波の波長以下とすることが知られている（例えば特許文献１）。圧電層と支持基板との間に圧電層より音速の低い低音速層を設けることが知られている（例えば特許文献２から７）。低音速層と支持基板との間に圧電層より音速の速い高音速層を設けることが知られている（例えば特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１７－０３４３６３号公報
特開２０１５－１１５８７０号公報
特開２０１５－１２２５６６号公報
特開２０１９－２０１３４５号公報
特開２０２２－２５３７４号公報
米国特許第１００２０７９６号明細書
国際公開第２０１７／０４３４２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
低音速層と支持基板との間に高音速層を設けることにより、スプリアス応答を抑制することができる。しかし、メイン応答が劣化してしまうことがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、メイン応答の劣化を抑制し、かつスプリアス応答を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられる圧電層と、前記圧電層上に設けられ、平均ピッチは前記圧電層の厚さの０．５倍以上である複数の電極指を備える少なくとも一対の櫛型電極と、前記基板と前記圧電層との間に設けられ、前記圧電層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記圧電層との間に設けられ、前記第１絶縁層のバルク波の音速より速いバルク波の音速を有する第２絶縁層と、を備える弾性波デバイスである
【０００７】
上記構成において、前記基板のバルク波の音速は前記第２絶縁層のバルク波の音速より速い構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記圧電層と前記第２絶縁層との間に設けられ、酸化シリコン層またはフッ素を添加した酸化シリコン層である第３絶縁層を備え、前記第２絶縁層と前記第３絶縁層との界面と、前記圧電層と前記一対の櫛型電極との界面と、の距離は前記平均ピッチの４倍以下である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、前記第２絶縁層の厚さは、前記平均ピッチの４倍以下であり、前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の２倍以下である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記圧電層は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板であり、前記第２絶縁層のバルク波の音速は前記第１絶縁層のバルク波の音速の１．１倍以下である構成とすることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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