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公開番号2024046887
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-05
出願番号2022152238
出願日2022-09-26
発明の名称デバイスの製造方法
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H03H 3/02 20060101AFI20240329BHJP(基本電子回路)
要約【課題】共振周波数のばらつきを抑えることが可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】素子50と、素子50を駆動するための素子電極61,62と、素子50の周囲に配置された枠部70と、枠部70に配置され素子電極61,62に接続された電極パッド80と、を有する素子基板10と、素子基板10の一方面側に接合された支持基板20と、を備えたデバイスの製造方法であって、エッチング液に耐性を有し、素子50の外形と枠部70との間の第1開口部201と、電極パッド80上の第2開口部202と、を有する保護膜200を、枠部70の他方面側、及び素子50の他方面側に形成する工程と、エッチング液により第1開口部201を通して支持基板20をエッチングし、素子50と支持基板20との間に空間90を形成する工程と、を含む。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
素子と、前記素子を駆動するための素子電極と、前記素子の周囲に配置された枠部と、前記枠部に配置され前記素子電極に接続された電極パッドと、を有する素子基板と、
前記素子基板の一方面側に接合された支持基板と、
を備えたデバイスの製造方法であって、
エッチング液に耐性を有し、前記素子の外形と前記枠部との間の第１開口部と、前記電極パッド上の第２開口部と、を有する保護膜を、前記枠部の他方面側、及び前記素子の他方面側に形成する工程と、
前記エッチング液により前記第１開口部を通して前記支持基板をエッチングし、前記素子と前記支持基板との間に空間を形成する工程と、
を含む、デバイスの製造方法。
続きを表示（約 380 文字）【請求項２】
請求項１に記載のデバイスの製造方法であって、
前記電極パッドは、前記第２開口部から露出する面に窒化チタンが配置されている、デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のデバイスの製造方法であって、
前記保護膜は、酸化シリコンである、デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載のデバイスの製造方法であって、
前記支持基板は、シリコン基板であり、
前記エッチング液は、水酸化テトラメチルアンモニウムである、デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載のデバイスの製造方法であって、
前記保護膜を形成する工程の後に、前記第１開口部及び前記第２開口部を同時に形成する工程を有する、デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、振動デバイスを形成するために、振動部の上や電極パッドの上に形成されたシリコン酸化膜をマスクとしてウェットエッチングを行い、振動部の下側にキャビティ（空洞）を形成し、その後、電極パッド上のシリコン酸化膜を除去するために、更に、ウェットエッチングを行い、電極パッドの表面を露出させる、振動デバイスの製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－３６０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、電極パッド上のシリコン酸化膜を除去した際に、振動部の周囲に配置され、共振周波数の補正に用いられるシリコン酸化膜も除去してしまうことから、振動素子の共振周波数のバラツキが大きくなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
デバイスの製造方法は、素子と、前記素子を駆動するための素子電極と、前記素子の周囲に配置された枠部と、前記枠部に配置され前記素子電極に接続された電極パッドと、を有する素子基板と、前記素子基板の一方面側に接合された支持基板と、を備えたデバイスの製造方法であって、エッチング液に耐性を有し、前記素子の外形と前記枠部との間の第１開口部と、前記電極パッド上の第２開口部と、を有する保護膜を、前記枠部の他方面側、及び前記素子の他方面側に形成する工程と、前記エッチング液により前記第１開口部を通して前記支持基板をエッチングし、前記素子と前記支持基板との間に空間を形成する工程と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
振動デバイスの構成を示す平面図。
図１に示す振動デバイスのＡ－Ａ線に沿う断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
振動デバイスの製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
まず、図１及び図２を参照しながら、振動デバイス１００の構成を説明する。
【０００８】
図１及び図２に示すように、振動デバイス１００は、素子基板１０と、素子基板１０の一方面側に接合された支持基板２０と、を備えている。具体的には、振動デバイス１００は、素子基板１０と支持基板２０との間にＢＯＸ（Buried Oxide）層３０を有するＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板４０を有している。
【０００９】
ＳＯＩ基板４０は、シリコン層１０ａと、酸化シリコン（ＳｉＯ
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）層３０ａと、シリコン層２０ａとが、この順で積層された基板である。シリコン層１０ａは、例えば、単結晶シリコンで構成される。素子基板１０は、シリコン層１０ａを有する。支持基板２０は、シリコン層２０ａを有する。
【００１０】
素子基板１０は、素子５０と、素子５０を駆動するための素子電極６１，６２と、素子５０の周囲に配置された枠部７０と、枠部７０に配置され素子電極６１，６２と電気的に接続された電極パッド８０と、を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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