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公開番号2024045877
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-03
出願番号2022150943
出願日2022-09-22
発明の名称マイクロ流路デバイス
出願人AGC株式会社,国立大学法人東北大学
代理人個人,個人
主分類C03C 27/08 20060101AFI20240327BHJP(ガラス;鉱物またはスラグウール)
要約【課題】マイクロ流路デバイスを構成するガラス基板の変形を抑制する、技術を提供する。
【解決手段】マイクロ流路デバイスは、液体が流れる流路と、前記流路を構成する溝が形成されるガラス基板と、前記溝を塞ぐカバー基板と、を備える。前記マイクロ流路デバイスは、前記ガラス基板と前記カバー基板を接合する接合膜を備える。前記接合膜は、金属元素を含有する無機物からなる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
液体が流れる流路と、前記流路を構成する溝が形成されるガラス基板と、前記溝を塞ぐカバー基板と、を備える、マイクロ流路デバイスであって、
前記ガラス基板と前記カバー基板を接合する接合膜を備え、前記接合膜は金属元素を含有する無機物からなる、マイクロ流路デバイス。
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
前記接合膜は前記液体に接触する金属酸化物膜を有し、前記金属酸化物膜は前記金属元素を含有する、請求項１に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項３】
前記液体に接触する前記金属酸化物膜は、ポーリングの電気陰性度が１．５以上である金属元素を含有する、請求項２に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項４】
前記液体に接触する前記金属酸化物膜は、Ｓｉ、Ｎｂ、ＴａおよびＷの少なくとも１つを含有する、請求項２または３に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項５】
前記液体に接触する前記金属酸化物膜は、ＳｉおよびＷの少なくとも１つを含有する、請求項２または３に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項６】
前記接合膜は、前記液体に接触しない位置に金属膜を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項７】
前記接合膜は、前記液体に接触しない位置に金属酸化物膜を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項８】
前記接合膜の厚みが１０ｎｍ以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のマイクロ流路デバイス。
【請求項９】
前記カバー基板は、ガラス基板である、請求項１～３のいずれか１項に記載のマイクロ流路デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、マイクロ流路デバイスに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
医療、化学および分析などの分野で、マイクロ流路デバイスが使用されることがある。マイクロ流路デバイスは、例えば２μｍ～３ｍｍの溝幅の流路を有する。流路を構成する溝は、ガラス基板または樹脂基板の表面に形成され、カバー基板で塞がれる。カバー基板は、例えばガラス基板または樹脂基板である。
【０００３】
特許文献１には、流路を構成する溝が形成されたガラス基板と、溝を塞ぐガラス基板とを、ガラスの徐冷点以上軟化点未満で融着して接合することで、マイクロ化学チップを製造することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－５６４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、複数枚のガラス基板を、ガラスの徐冷点以上軟化点未満の温度で融着して接合することが開示されている。ガラス基板を高温で加熱するので、ガラス基板が変形する恐れがある。ガラス基板が変形すると、実験または分析の精度が低下してしまう。
【０００６】
本開示の一態様は、マイクロ流路デバイスを構成するガラス基板の変形を抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係るマイクロ流路デバイスは、液体が流れる流路と、前記流路を構成する溝が形成されるガラス基板と、前記溝を塞ぐカバー基板と、を備える。前記マイクロ流路デバイスは、前記ガラス基板と前記カバー基板を接合する接合膜を備える。前記接合膜は、金属元素を含有する無機物からなる。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様によれば、無機物からなる接合膜を介してガラス基板とカバー基板を接合することで、接合温度を低下でき、ガラス基板の変形を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１（Ａ）は一実施形態に係るマイクロ流路デバイスを示す断面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のマイクロ流路デバイスの接合前の状態を示す断面図である。
図２（Ａ）は変形例に係るマイクロ流路デバイスを示す断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のマイクロ流路デバイスの接合前の状態を示す断面図である。
図３（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＳｉ膜の透過率を示す図であり、図３（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＳｉ膜の透過率を示す図である。
図４（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＺｒ膜の透過率を示す図であり、図４（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＺｒ膜の透過率を示す図である。
図５（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＮｂ膜の透過率を示す図であり、図５（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＮｂ膜の透過率を示す図である。
図６（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＨｆ膜の透過率を示す図であり、図６（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＨｆ膜の透過率を示す図である。
図７（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＴａ膜の透過率を示す図であり、図７（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＴａ膜の透過率を示す図である。
図８（Ａ）は厚さ０．５ｎｍのＷ膜の透過率を示す図であり、図８（Ｂ）は厚さ３．０ｎｍのＷ膜の透過率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値および上限値として含むことを意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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