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公開番号2024040628
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-26
出願番号2022145095
出願日2022-09-13
発明の名称電気光学装置および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20240318BHJP(光学)
要約【課題】レンズの光学性能および画素電極とトランジスターとの間の電気的接続の信頼性を両立する電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置300は、トランジスター1と、トランジスター1に対応して設けられた画素電極10と、トランジスター1と画素電極10との間の層に設けられたレンズ層34と、トランジスター1とレンズ層34との間の層に設けられた中継層30と、中継層30と画素電極10とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ31と、を備え、コンタクトプラグ31は、一部が中継層30内に設けられている。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、
前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１中継層と、
前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第１接続部材と、を備え、
前記第１接続部材は、一部が前記第１中継層内に設けられている、
電気光学装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１中継層と前記レンズ層との間の層に設けられた第１透光層を備え、
前記第１接続部材は、前記レンズ層及び前記第１透光層を貫通する第１コンタクトホール内に設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記レンズ層と前記画素電極との間の層に、前記第１透光層よりも厚みの薄い第２透光層と、
前記レンズ層と前記第２透光層との間の層に設けられた第２中継層と、
前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第２接続部材と、を備え、
前記第２接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重ならないように設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２接続部材は、前記第２透光層を貫通する第２コンタクトホール内に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
平面視において前記トランジスターの半導体層と重なる幅広部を有する遮光層と、
前記遮光層と前記第１中継層とを電気的に接続するための第３接続部材と、を備え、
前記第３接続部材は、平面視において前記第１接続部材と重なる位置に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１中継層と前記遮光層との間の層に第３透光層を備え、
前記第３接続部材は、前記第３透光層を貫通する第３コンタクトホール内に設けられている、
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第３接続部材の前記第１中継層側の面積は、前記第１接続部材の前記第１中継層側の面積よりも大きい、
請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極が設けられた表示領域の外側に、前記第１中継層と同一層に設けられた第１導電層と、
前記画素電極と同一層に設けられた透明導電層と、
前記第１接続部材と同一層に、前記透明導電層と前記第１導電層とを電気的に接続する第４接続部材と、を有する端子を備える、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記透明導電層と前記第１導電層との間に、前記レンズ層と同一層に設けられた層間絶縁層を備え、
前記第４接続部材は、前記層間絶縁層を貫通する第４コンタクトホール内に設けられている、
請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１コンタクトホールが貫通する前記レンズ層の厚みは、前記第４コンタクトホールが貫通する前記層間絶縁層の厚みよりも小さい、
請求項９に記載の電気光学装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
素子基板の基板本体上に形成された画素電極と、画素電極と基板との間に形成されたスイッチング素子と、画素電極とスイッチング素子との間に形成されたレンズを備えた電気光学装置が、特許文献１に記載されている。
特許文献１のものでは、画素電極とスイッチング素子との間を電気的に接続するコンタクトホールの深さが、レンズ用凹面の深さよりも浅い。
【０００３】
この構成は、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなって、電気的接続の信頼性が低下しないようにしたもので、そのために、コンタクトホールを中継する中継電極は、隣り合うレンズの間において、レンズ用凹面の底よりも浅い位置に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－１３９２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本出願人は、発明者等による実験、試作等により、中継電極を、隣り合うレンズの間において、レンズ用凹面の底よりも浅い位置に形成すると、レンズの光学性能に影響を及ぼすおそれがある、という知見を得るに至った。
本発明は、例えば、上述した知見に鑑みなされたものであり、レンズの光学性能および画素電極とスイッチング素子との間の電気的接続の信頼性を両立できる電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の一態様に係る電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられた画素電極と、前記トランジスターと前記画素電極との間の層に設けられたレンズ層と、前記トランジスターと前記レンズ層との間の層に設けられた第１中継層と、前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための第１接続部材と、を備え、前記第１接続部材は、一部が前記第１中継層内に設けられている。
【０００７】
本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態１に係る電気光学装置の平面図。
図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図。
素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。
素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
素子基板の外側領域の断面構造を示す説明図。
素子基板の外側領域の一部を示す平面図。
図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面構造の一部を示す断面図。
実施形態２に係る素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
実施形態３に係る電子機器の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
【００１０】
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、ある構成の上面との記載は、当該構成のＺ１方向側の面、例えば「透光層の上面」は透光層のＺ１方向側の面、を示すものとする。また、ある構成の底面との記載は、当該構成のＺ２方向側の面、例えば「コンタクトプラグの底面」はコンタクトプラグのＺ２方向側の面、を示すものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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