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公開番号2025179918
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-11
出願番号2024086857
出願日2024-05-29
発明の名称半導体装置および車両
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/07 20060101AFI20251204BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】装置の構成要素の配置の自由度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、複数の第1半導体素子31と、複数の第2半導体素子32と、第1電力端子41と、第2電力端子42と、第3電力端子43とを備える。第1電力端子41および第2電力端子42は、第1方向xにおいて互いに離れている。複数の第1半導体素子31は、第1方向xにおいて第1電力端子41と第2電力端子42との間に位置するとともに、第1方向xに配列されている。複数の第2半導体素子32は、第1方向xにおいて第2電力端子42と複数の第1半導体素子31との間に位置するとともに、第1方向xに配列されている。第1電力端子41に印加される電圧は、第3電力端子43に印加される電圧より高い。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
各々が第１電極および第２電極を有する複数の第１半導体素子と、
各々が第３電極および第４電極を有する複数の第２半導体素子と、
前記第１電極に導通する第１電力端子と、
前記第２電極および前記第３電極に導通する第２電力端子と、
前記第４電極に導通する第３電力端子と、を備え、
前記第３電極の極性は、前記第２電極の極性と異なっており、
前記第１電力端子および前記第２電力端子は、第１方向において互いに離れており、
前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において前記第１電力端子と前記第２電力端子との間に位置するとともに、前記第１方向に配列されており、
前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において前記第２電力端子と前記複数の第１半導体素子との間に位置するとともに、前記第１方向に配列されており、
前記第１電力端子に印加される電圧は、前記第３電力端子に印加される電圧より高い、半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１電力端子に導通する第１導電層をさらに備え、
前記複数の第１半導体素子の各々において、前記第１電極および前記第２電極は、前記第１方向に対して直交する第２方向において互いに反対側に位置しており、
前記第１電極は、前記第１導電層に導電接合されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２電力端子に導通する第２導電層をさらに備え、
前記複数の第２半導体素子の各々において、前記第３電極および前記第４電極は、前記第２方向において互いに反対側に位置しており、
前記第３電極は、前記第２導電層に導電接合されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２電極と前記第２導電層とに導電接合された第１導通部材をさらに備える、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第４電極に導電接合され、かつ前記第３電力端子に導通する第２導通部材をさらに備える、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２方向に視て、前記第２導通部材は、前記第１導通部材に重なっている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁層をさらに備え、
前記第１導電層および前記第２導電層は、前記絶縁層の前記第２方向の一方側に接合されている、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１方向および前記第２方向の各々に対して直交する第３方向において、前記第３電力端子は、前記第１電力端子の隣に位置する、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２方向において前記絶縁層を基準として前記第１導電層および前記第２導電層と同じ側に位置する第３導電層をさらに備え、
前記第３導電層は、前記絶縁層に接合されており、
前記第３電力端子は、前記第３導電層に導電接合されており、
前記第２導通部材は、前記第３導電層に導通している、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２導通部材は、前記第３電力端子に導電接合されており、
前記第２方向に視て、前記第２導通部材は、前記第３導電層および前記第３電力端子の各々に重なっている、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置と、当該半導体装置が搭載された車両とに関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどのスイッチング機能を有する複数の半導体素子を搭載した半導体装置が広く知られている。当該半導体装置は、主に電力変換に用いられる。特許文献１には、当該半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、複数の第１半導体素子と、各々が複数の第１半導体素子に導通する複数の第２半導体素子とを備える。さらに当該半導体装置は、複数の第２半導体素子に導通する第１端子と、複数の第１半導体素子に導通する第２端子と、複数の第１半導体素子、および複数の第２半導体素子に導通する第３端子とを備える。第２端子および第３端子は、第１方向において複数の第１半導体素子、および複数の第２半導体素子を基準として、互いに反対側に位置する。
【０００３】
特許文献１に開示されている半導体装置においては、複数の第１半導体素子は、第１方向に対して直交する第２方向に配列されている。同様に、複数の第２半導体素子も第２方向に配列されている。これにより、当該半導体装置においては、第１方向ｘにおける第２端子と第３端子との間隔が、より短くなる傾向となる。ここで、当該半導体装置の用途においては、第１方向ｘにおける第２端子と第３端子との間隔をより長くすることが要請される場合がある。この場合、当該半導体装置の構成においては、その要請に応えることが困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－５３８０１号公報
【０００５】
［概要］
本開示は上記事情に鑑み、装置の構成要素の配置の自由度を向上させることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、各々が第１電極および第２電極を有する複数の第１半導体素子と、各々が第３電極および第４電極を有する複数の第２半導体素子と、前記第１電極に導通する第１電力端子と、前記第２電極および前記第３電極に導通する第２電力端子と、前記第４電極に導通する第３電力端子とを備える。前記第３電極の極性は、前記第２電極の極性と異なっている。前記第１電力端子および前記第２電力端子は、第１方向において互いに離れている。前記複数の第１半導体素子は、前記第１方向において前記第１電力端子と前記第２電力端子との間に位置するとともに、前記第１方向に配列されている。前記複数の第２半導体素子は、前記第１方向において前記第２電力端子と前記複数の第１半導体素子との間に位置するとともに、前記第１方向に配列されている。前記第１電力端子に印加される電圧は、前記第３電力端子に印加される電圧より高い。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される車両は、駆動源と、半導体装置とを備える。前記半導体装置は、前記駆動源に導通している。前記半導体装置は、本開示の第１の側面によって提供される半導体装置に対して、第１導電層、第２導電層、第１導通部材、第２導通部材、絶縁層、第１信号端子および第２信号端子をさらに具備する。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３は、図２に対応する平面図であり、第２導通部材をさらに透過している。
図４は、図２に対応する平面図であり、第１導通部材および第２導通部材の図示を省略している。
図５は、図１に示す半導体装置の底面図である
図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
図１０は、図８の部分拡大図であり、第１半導体素子およびその近傍を示している。
図１１は、図９の部分拡大図であり、第２半導体素子およびその近傍を示している。
図１２は、図１に示す半導体装置が搭載された車両の概要図である。
図１３は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂および第２導通部材を透過している。
図１４は、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿う断面図である。
図１５は、図１３のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図である。
図１６は、図１３のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿う断面図である。
図１７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図１８は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図１９は、図１８に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。
図２１は、図１９のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。
図２２は、本開示の一実施形態に係る半導体モジュールの平面図である。
図２３は、図２２のＸＸＩＩＩ－ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
図２４は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２５は、図２４のＸＸＶ－ＸＸＶ線に沿う断面図の部分拡大図である。
図２６は、図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図の部分拡大図であ
図２７は、本開示の第５実施形態の第１変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２８は、本開示の第５実施形態の第２変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図２９は、本開示の第５実施形態の第３変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３０は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３１は、本開示の第６実施形態の第１変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３２は、本開示の第６実施形態の第２変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３３は、本開示の第６実施形態の第３変形例に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
【００１０】
［詳細な説明］
本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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