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公開番号
2025182127
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-12-11
出願番号
2025170213,2022539481
出願日
2025-10-08,2021-07-27
発明の名称
半導体装置
出願人
ローム株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H01L
25/07 20060101AFI20251204BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】複数の半導体素子への制御電圧の印加を均一にすること。
【解決手段】半導体装置A1は、第1制御電極を具備する第1半導体素子21Aと、第2制御電極を具備する第2半導体素子22Aと、第3制御電極を具備する第3半導体素子23Aと、制御端子11Dと、各制御電極と制御端子11Dとを導通させる第1導通部材3Aと、を備える。制御端子11Dは、第1半導体素子21Aに対してY方向の一方側に配置される。第1導通部材3Aは、第1制御電極に接合された第1枝部31A、第2制御電極に接合された第2枝部32A、第3制御電極に接合された第3枝部33A、および制御端子11Dに導通する端子枝部34Aと、第1枝部31Aおよび第2枝部32Aを連結する第1連結部35A、第2枝部32Aおよび第3枝部33Aを連結する第2連結部36A、および第3枝部33Aおよび端子枝部34Aの間に介在する第3連結部37A、を有する。
【選択図】図24
特許請求の範囲
【請求項1】
スイッチング機能を有し第1制御電極を具備する第1半導体素子と、
スイッチング機能を有し第2制御電極を具備する第2半導体素子と、
スイッチング機能を有し第3制御電極を具備する第3半導体素子と、
制御端子と、
前記第1制御電極、前記第2制御電極および前記第3制御電極と前記制御端子とを導通させる第1導通部材と、を備える半導体装置であって、
前記第1半導体素子、前記第2半導体素子および前記第3半導体素子は、第1方向の一方側から他方側にこの順で配列されており、
前記制御端子は、前記第1半導体素子に対して前記第1方向の前記一方側に配置されており、
前記第1導通部材は、前記第1制御電極に接合された第1枝部、前記第2制御電極に接合された第2枝部、前記第3制御電極に接合された第3枝部、および前記制御端子に導通する端子枝部と、前記第1枝部および前記第2枝部を連結する第1連結部、前記第2枝部および前記第3枝部を連結する第2連結部、および前記第3枝部および前記端子枝部の間に介在する第3連結部、を有する、半導体装置。
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【請求項2】
前記第1連結部は、前記第1方向に沿って延びている、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第2連結部は、前記第1方向に沿って延びている、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1連結部および前記第2連結部は、前記第1方向に沿って視て互いに重なる、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第3連結部は、前記第1方向に沿って延びている、請求項4に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第3連結部は、前記第1連結部および前記第2連結部に対して前記第1方向と直角である第2方向に離間している、請求項5に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1導通部材は、前記第2連結部の前記第1方向他方側部分と前記第3連結部の前記第1方向他方側部分とに繋がり且つ前記第2方向に沿って延びる第1中継部を有する、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1導通部材は、前記第3連結部の前記第1方向一方側部分と前記端子枝部の前記第1方向他方側部分とに繋がり且つ前記第2方向に沿って延びる第2中継部を有する、請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記制御端子が前記第2方向において占める領域は、前記第1枝部、前記第2枝部および前記第3枝部が前記第2方向においてそれぞれ占める領域と、互いに重なる、請求項8に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第1導通部材は、金属板材料から構成される、請求項1~9のいずれか一項に記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
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【背景技術】
【0002】
従来、半導体装置は、ダイパッド及び複数のリードを含むリードフレームと、ダイパッドに搭載されたトランジスタと、トランジスタの各電極とリードとを接続するワイヤと、トランジスタ及びワイヤを封止する封止樹脂とを備える(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2017-174951号公報
【0004】
[概要]
ところで、半導体装置には、半導体装置が流す電流に応じて複数のトランジスタが搭載されるものがある。各トランジスタは、互いに並列的に接続される。つまり、各トランジスタの制御電極と駆動電極は、ワイヤによって1つのパッドに接続される。この場合、例えば各トランジスタの制御電極に接続されるワイヤの長さが互いに異なる。これにより、各トランジスタにおいて、リードと制御電極との間のインダクタンス値(L)や抵抗値(R)等の電気的特性にばらつきが生じる。また、各トランジスタの制御電極への導通経路に起因して、制御電圧の印加が不均一となることが懸念される。このような電気的特性の相違は、各トランジスタの動作、たとえばオンオフのタイミングに影響する。上記の半導体装置は、例えばインバータ回路やDC-DCコンバータ回路に用いられる。このような場合、2つの半導体装置にそれぞれ含まれるトランジスタのばらつきを考慮した大きなマージンの設計が必要となる。
【0005】
本開示の一態様である半導体装置は、スイッチング機能を有し第1制御電極を具備する第1半導体素子と、スイッチング機能を有し第2制御電極を具備する第2半導体素子と、スイッチング機能を有し第3制御電極を具備する第3半導体素子と、制御端子と、前記第1制御電極、前記第2制御電極および前記第3制御電極と前記制御端子とを導通させる第1導通部材と、を備える半導体装置であって、前記第1半導体素子、前記第2半導体素子および前記第3半導体素子は、第1方向の一方側から他方側にこの順で配列されており、前記制御端子は、前記第1半導体素子に対して前記第1方向の前記一方側に配置されており、前記第1導通部材は、前記第1制御電極に接合された第1枝部、前記第2制御電極に接合された第2枝部、前記第3制御電極に接合された第3枝部、および前記制御端子に導通する端子枝部と、前記第1枝部および前記第2枝部を連結する第1連結部、前記第2枝部および前記第3枝部を連結する第2連結部、および前記第3枝部および前記端子枝部の間に介在する第3連結部、を有する。
【0006】
また、本開示の別の一態様である半導体装置は、スイッチング機能を有し第1制御電極を具備する第1半導体素子と、スイッチング機能を有し第2制御電極を具備する第2半導体素子と、スイッチング機能を有し第3制御電極を具備する第3半導体素子と、制御端子と、前記第1制御電極、前記第2制御電極および前記第3制御電極と前記制御端子とを導通させる第1導通部材と、を備える半導体装置であって、前記第1半導体素子、前記第2半導体素子および前記第3半導体素子は、第1方向の一方側から他方側にこの順で配列されており、前記制御端子は、前記第1半導体素子に対して前記第1方向の前記一方側に配置されており、前記第1導通部材は、第1枝部、第2枝部、第3枝部、端子枝部、第1連結部、第2連結部、第1中継部、第2中継部、第3連結部、第3中継部および第4連結部を有し、前記第1枝部は、前記第1制御電極に接合されており、前記第2枝部は、前記第2制御電極に接合されており、前記第3枝部は、前記第3制御電極に接合されており、前記端子枝部は、前記制御端子に導通しており、前記第1連結部は、前記第1枝部および前記第2枝部を連結しており、前記第2連結部は、前記第2枝部および前記第3枝部を連結しており、前記第1中継部は、前記第1連結部から前記第1方向と直角である第2方向に延びており、前記第2中継部は、前記第2連結部から前記第2方向に延びており、前記第3連結部は、前記第1中継部および前記第2中継部を連結しており、前記第3中継部は、前記第3連結部から前記第2方向に延びており、前記第4連結部は、前記第3中継部と前記端子枝部との間に介在している。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、第1実施形態の半導体装置を示す斜視図である。
図2は、第1実施形態の半導体装置を示す斜視図である。
図3は、第1実施形態の半導体装置を示す平面図である。
図4は、第1実施形態の半導体装置を示す側面図である。
図5は、図3の5-5線断面図である。
図6は、図3の6-6線断面図である。
図7は、図3の一部拡大図である。
図8は、変更例の半導体装置を示す平面図である。
図9は、第2実施形態の半導体装置を示す平面図である。
図10は、第3実施形態の半導体装置を示す斜視図である。
図11は、図10の半導体装置の平面図である。
図12は、図10の半導体装置の側面図である。
図13は、図11の13-13線断面図である。
図14は、変更例の半導体装置を示す平面図である。
図15は、第4実施形態の半導体装置を示す平面図である。
図16は、図15の半導体装置の一部拡大平面図である。
図17は、第5実施形態の半導体装置を示す平面図である。
図18は、図17の半導体装置の一部拡大平面図である。
図19は、第6実施形態の半導体装置を示す平面図である。
図20は、図19の半導体装置の一部拡大平面図である。
図21は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図22は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。
図23は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示す要部斜視図である。
図24は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。
図25は、図24のV-V線に沿う断面図である。
図26は、図24のVI-VI線に沿う断面図である。
図27は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。
図28は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図29は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
図30は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図31は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す側面図である。
図32は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図33は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図34は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
図35は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す側面図である。
図36は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す斜視図である。
図37は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す平面図である。
図38は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す正面図である。
図39は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す側面図である。
図40は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す斜視図である。
図41は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す正面図である。
図42は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す平面図である。
図43は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す側面図である。
図44は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第3導通部材を示す斜視図である。
図45は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第3導通部材を示す平面図である。
図46は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第3導通部材を示す正面図である。
図47は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第3導通部材を示す側面図である。
図48は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第4導通部材を示す斜視図である。
図49は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第4導通部材を示す正面図である。
図50は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第4導通部材を示す平面図である。
図51は、本開示の第7実施形態に係る半導体装置の第4導通部材を示す側面図である。
図52は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置を示す要部平面図である。
図53は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図54は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
図55は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図56は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す側面図である。
図57は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図58は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図59は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
図60は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す側面図である。
図61は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す斜視図である。
図62は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す平面図である。
図63は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す正面図である。
図64は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す側面図である。
図65は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す斜視図である。
図66は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す正面図である。
図67は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す平面図である。
図68は、本開示の第8実施形態に係る半導体装置の第2導通部材を示す側面図である。
図69は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図70は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
図71は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図72は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す斜視図である。
図73は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す平面図である。
図74は、本開示の第9実施形態に係る半導体装置の第1導通部材を示す正面図である。
【0008】
[詳細な説明]
以下、実施形態及び変更例について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態及び変更例は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の各実施形態及び変更例は、種々の変更を加えることができる。また、以下の実施形態及び変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0009】
本明細書において、「部材Aが部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bとが物理的に直接的に接続される場合、並びに、部材A及び部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
【0010】
同様に、「部材Cが部材Aと部材Bとの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cとが直接的に接続される場合、並びに、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cとが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合を含む。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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