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公開番号2025179809
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-10
出願番号2025080579
出願日2025-05-13
発明の名称基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人弁理士法人共生国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251203BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板のエッジ方向への乱流の発生を最小化するための基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、基板処理空間に超臨界流体を供給する第1供給ポートを含む上部モジュールと、上部モジュールと結合し、基板処理空間に超臨界流体を供給する第2供給ポートを含む下部モジュールと、基板処理空間に配置される遮断プレートと、下部モジュールと結合し、遮断プレートを支持するプレート支持部と、遮断プレートと結合し、基板を支持する第1基板支持部と、を有し、下部モジュールと遮断プレートとの間の流体移動路は、その断面のサイズを変動させるスロート構造を含む。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理空間に超臨界流体を供給する第１供給ポートを含む上部モジュールと、
前記上部モジュールと結合し、前記基板処理空間に前記超臨界流体を供給する第２供給ポートを含む下部モジュールと、
前記基板処理空間に配置される遮断プレートと、
前記下部モジュールと結合し、前記遮断プレートを支持するプレート支持部と、
前記遮断プレートと結合し、基板を支持する第１基板支持部と、を有し、
前記下部モジュールと前記遮断プレートとの間の流体移動路は、その断面のサイズを変動させるスロート構造を含むことを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記スロート構造は、第１突出部を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１突出部は、前記遮断プレート及び前記下部モジュールの内の少なくとも一つに形成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記スロート構造は、第２突出部をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２突出部は、前記遮断プレート及び前記下部モジュールの内の少なくとも一つに形成されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１突出部及び前記第２突出部は、密集していることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１突出部及び前記第２突出部は、分散していることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記遮断プレートは、
プレート本体と、
前記プレート本体の側面と結合し、前記プレート本体の幅に平行な方向にその長さが延長される長さ延長部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記長さ延長部の厚さは、前記プレート本体の厚さ未満であるか、又は前記プレート本体の厚さと等しいことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記プレート本体及び前記長さ延長部の合計幅は、前記基板の幅未満であるか、又は前記基板の幅と等しいことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、乾燥工程を行う基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備に関し、特に、乱流の発生を最小化するための基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備に関する。
続きを表示（約 3,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する際、パターン倒壊（ＰａｔｔｅｒｎＣｏｌｌａｐｓｅ）を改善するために、ケミカルを用いたクリーニング工程後に超臨界流体を用いた乾燥工程を行うことができる。
【０００３】
しかし、超臨界流体が基板の上部に到達すると、基板のエッジ（Ｅｄｇｅ）付近で乱流（ＴｕｒｂｕｌｅｎｔＦｌｏｗ）が発生して、パターンが剪断応力（ＳｈｅａｒＳｔｒｅｓｓ）を受けることがある。
この剪断応力により、基板のエッジ領域にパターン倒壊が発生する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記従来の基板処理装置における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、乱流の発生を最小化するための基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、基板処理空間に超臨界流体を供給する第１供給ポートを含む上部モジュールと、前記上部モジュールと結合し、前記基板処理空間に前記超臨界流体を供給する第２供給ポートを含む下部モジュールと、前記基板処理空間に配置される遮断プレートと、前記下部モジュールと結合し、前記遮断プレートを支持するプレート支持部と、前記遮断プレートと結合し、基板を支持する第１基板支持部と、を有し、前記下部モジュールと前記遮断プレートとの間の流体移動路は、その断面のサイズを変動させるスロート構造を含むことを特徴とする。
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による半導体製造設備は、ケミカルを用いて基板をウェットクリーニングするクリーニングプロセスチャンバと、超臨界流体を用いて前記ケミカルが残留する前記基板を乾燥させる乾燥工程チャンバと、を有し、前記乾燥工程チャンバは、基板処理空間に前記超臨界流体を供給する第１供給ポートを含む上部モジュールと、前記上部モジュールと結合し、前記基板処理空間に前記超臨界流体を供給する第２供給ポートを含む下部モジュールと、前記基板処理空間に配置される遮断プレートと、前記下部モジュールと結合し、前記遮断プレートを支持するプレート支持部と、前記遮断プレートと結合し、前記基板を支持する第１基板支持部と、を含み、前記下部モジュールと前記遮断プレートとの間の流体移動路は、その断面のサイズを変動させるスロート構造を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、基板処理空間に超臨界流体を供給する第１供給ポートを含む上部モジュールと、前記上部モジュールと結合し、前記基板処理空間に前記超臨界流体を供給する第２供給ポートを含む下部モジュールと、前記基板処理空間に配置される遮断プレートと、前記下部モジュールと結合し、前記遮断プレートを支持するプレート支持部と、前記遮断プレートと結合し、基板を支持する第１基板支持部と、を有し、前記下部モジュールと前記遮断プレートとの間の流体移動路は、その断面のサイズを変動させるスロート構造を含み、前記スロート構造は、第１突出部を含み、前記第１突出部は、前記遮断プレート及び前記下部モジュールの内の少なくとも一つに形成され、前記遮断プレートは、フィラー本体と、前記フィラー本体上に積層されるフィラー体積増加板と、前記フィラー体積増加板上に積層されるフィラーキャップと、を含み、前記フィラー体積増加板及び前記フィラーキャップは、水平移動し、前記フィラー体積増加板及び前記フィラーキャップは、垂直に分割され、複数に分割されたフィラーキャップは、複数に分割されたフィラー体積増加板とその移動方向が異なり、前記第１基板支持部及び前記プレート支持部の内の少なくとも一つの支持部は、昇降することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備によれば、スロート構造が適用された遮断プレートにより、超臨界流体が基の上部に到達する際の乱流を最小化できる構造的変更を提供することができ、また、工程条件、プロセスチャンバの構造など変化し得る状況に応じて柔軟に遮断プレートに構造的変更を提供することにより、工程性能を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の実施形態による半導体製造設備を説明するための第１例示上面図である。
本発明の実施形態による半導体製造設備を説明するための第２例示上面図である。
本発明の実施形態によるプロセスチャンバを説明するための第１例示図である。
本発明の実施形態によるプロセスチャンバを説明するための第２例示図である。
本発明の実施形態によるプロセスチャンバを説明するための第３例示図である。
本発明の実施形態によるプロセスチャンバを説明するための第３例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造の効果を説明するための例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第１例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第２例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第３例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第４例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第５例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第６例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第７例示図である。
本発明の実施形態によるスロート構造を説明するための第８例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第２例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第３例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第４例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第５例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第６例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第７例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第８例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第９例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１０例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１１例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１２例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１３例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１４例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１５例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１６例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１７例示図である。
本発明の実施形態による遮断プレートの構造を説明するための第１８例示図である。
本発明の実施形態による第２基板支持部を説明するための例示図である。
本発明の実施形態によるプレート支持部を説明するための例示図である。
本発明の実施形態による超臨界乾燥工程を例示的に説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
次に、本発明に係る基板処理装置及びそれを含む半導体製造設備を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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