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公開番号2025174015
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2024079996
出願日2024-05-16
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20251120BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端子に対するワイヤの剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、第1方向の一方側に位置する第1電極11を有する半導体素子10と、第1電極11に導通する第1端子21と、第1電極11と第1端子21とに導電接合された第1ワイヤ30とを備える。第1ワイヤ30は、主部31と、主部31の一端につながる第1接合部32と、主部31の他端につながる第2接合部33とを有する。第1接合部32は、第1電極11に導電接合されている。第2接合部33は、第1端子21に導電接合されている。前記第1方向に視て、第2接合部33が延びる方向は、主部31が延びる方向と異なる。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
第１方向の一方側に位置する第１電極を有する半導体素子と、
前記第１電極に導通する第１端子と、
前記第１電極と前記第１端子とに導電接合された第１ワイヤと、を備え、
前記第１ワイヤは、主部と、前記主部の一端につながる第１接合部と、前記主部の他端につながる第２接合部と、を有し、
前記第１接合部は、前記第１電極に導電接合されており、
前記第２接合部は、前記第１端子に導電接合されており、
前記第１方向に視て、前記第２接合部が延びる方向は、前記主部が延びる方向と異なる、半導体装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１方向に視て、前記第１接合部が延びる方向は、前記主部が延びる方向と異なる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１方向に視て、前記第２接合部が延びる方向は、前記第１接合部が延びる方向と異なる、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１端子は、前記第１方向の一方側を向くとともに、前記第２接合部が導電接合される第１面を有し、
前記主部は、自身が延びる方向に対する横断面である第１断面および第２断面を含み、
前記第１断面は、前記第１方向において前記第１面から最も遠くに位置しており、
前記第２断面は、前記主部と前記第２接合部との境界をなしており、
前記第１方向に視て前記第１断面と前記第２断面との第１間隔に対する、前記第１方向における前記第１面と前記第１断面との第２間隔の比率は、２５％以上である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１断面の前記第１方向の寸法は、前記半導体素子の前記第１方向の寸法より大きい、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１電極は、前記第１方向において前記第１面と同じ側を向くとともに、前記第１接合部が導電接合される第２面を有し、
前記第１面は、前記第１方向において前記第２面と前記第１断面との間に位置する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２間隔と前記第１断面の前記第１方向の寸法との和は、前記第１方向における前記第１面と前記第２面との第３間隔より小さい、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２接合部は、前記主部につながる第１部と、前記第１部を基準として前記主部とは反対側に位置する第２部と、を含み、
前記第２部の前記第１方向の寸法は、前記第２断面の前記第１方向の寸法より小さい、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１方向に視て、自身が延びる方向における前記第２部の寸法は、自身が延びる方向における前記第１部の寸法より小さい、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２部の前記第１方向の寸法は、前記第１部から離れるに従って徐々に小さい、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１半導体素子と、各々が当該第１半導体素子に導通する第１リードおよび第３リードとを備える半導体装置の一例が開示されている。第１半導体素子は、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子である。当該半導体装置においては、第１半導体素子がオンになると、第１リードから第３リードに向けて電流が流れる。当該半導体装置は、たとえばＤＣ－ＤＣコンバータの回路を構成する要素に利用される。
【０００３】
特許文献１に開示されている半導体装置は、第１半導体素子と第３リードとに導電接合された第２のワイヤをさらに備える。ここで、第３リードにより大きな電流を流すため、第２のワイヤの横断面積をより大きくすることがある。この場合、第１半導体素子から第２のワイヤに伝導した熱により、当該第２のワイヤには熱応力が発生する。第２のワイヤに発生する熱応力がより大きくなると、第３リードと当該第２のワイヤとの界面に作用するせん断応力がより大きくなるため、当該第３リードから当該第２のワイヤが剥離するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－１４４９０号公報
【０００５】
［概要］
本開示は上記事情に鑑み、端子に対するワイヤの剥離を抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、第１方向の一方側に位置する第１電極を有する半導体素子と、前記第１電極に導通する第１端子と、前記第１電極と前記第１端子とに導電接合された第１ワイヤとを備える。前記第１ワイヤは、主部と、前記主部の一端につながる第１接合部と、前記主部の他端につながる第２接合部とを有する。前記第１接合部は、前記第１電極に導電接合されている。前記第２接合部は、前記第１端子に導電接合されている。前記第１方向に視て、前記第２接合部が延びる方向は、前記主部が延びる方向と異なる。
【０００７】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、半導体素子と第１端子とに導電接合される第１ワイヤを形成する工程を備える。前記半導体素子は、第１方向の一方側に位置する第１電極を有する。前記第１ワイヤは、主部と、前記主部の一端につながり、かつ前記第１電極に導電接合される第１接合部と、前記主部の他端につながり、かつ前記第１端子に導電接合される第２接合部とを有する。前記第１ワイヤを形成する工程では、接合具を用いて金属材料を加工することによって、第１接合部、前記主部、前記第２接合部の順に形成される。前記第２接合部の形成にあたっては、前記接合具を前記第１方向の回りに回転させた後、前記金属材料から前記第２接合部を切り離す。
【０００８】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１に対応する平面図であり、封止樹脂を透過している。
図３は、図１に示す半導体装置の底面図である。
図４は、図１に示す半導体装置の正面図である。
図５は、図１に示す半導体装置の右側面図である。
図６は、図２のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図２のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図２のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図３の部分拡大図である。
図１０は、図７の部分拡大図である。
図１１は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
図１２は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
図１３は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
図１４は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する部分拡大断面図である。
図１５は、本開示の第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置の部分拡大平面図であり、図９に対応している。
図１６は、本開示の第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置の部分拡大平面図であり、図９に対応している。
図１７は、本開示の第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置の部分拡大平面図であり、図９に対応している。
図１８は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置の断面図であり、図７に対応している。
図１９は、図１８に示す半導体装置の断面図であり、図８に対応している。
図２０は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置の平面図であり、封止樹脂を透過している。
【００１０】
［詳細な説明］
本開示の詳細について、添付図面に基づき説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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