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公開番号2025166930
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2024071127
出願日2024-04-25
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/52 20060101AFI20251030BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】剥離を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置A10は、第1リード11と、半導体素子30と、第1方向zにおいて第1リード11および半導体素子30の間に介在する接合シート60と、第1リード11の一部、半導体素子30および接合シート60を覆う封止樹脂50と、を備え、接合シート60は、第1方向zの第1側z1を向き且つ少なくとも一部が半導体素子30と接合された第1面61を有し、第1面61は、第1領域611および第2領域612を含み、第1領域611は、第1方向zに視て少なくとも一部が半導体素子30と重なり、第2領域612は、第1領域611より表面粗さが大きく且つ少なくとも一部が封止樹脂50と接する。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項１】
第１リードと、
半導体素子と、
第１方向において前記第１リードおよび前記半導体素子の間に介在する接合シートと、
前記第１リードの一部、前記半導体素子および前記接合シートを覆う封止樹脂と、を備え、
前記接合シートは、前記第１方向の第１側を向き且つ少なくとも一部が前記半導体素子と接合された第１面を有し、
前記第１面は、第１領域および第２領域を含み、
前記第１領域は、前記第１方向に視て少なくとも一部が前記半導体素子と重なり、
前記第２領域は、前記第１領域より表面粗さが大きく且つ少なくとも一部が前記封止樹脂と接する、半導体装置。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記第１方向に視て、前記半導体素子のすべてが前記第１領域と重なる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１方向に視て、前記第１領域は、前記半導体素子からはみ出している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１方向に視て、前記第２領域は、前記半導体素子から離れている、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１方向に視て、前記第２領域は、前記第１面の周縁の少なくとも一部に接している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１方向に視て、前記第２領域は、前記第１面の周縁のすべてに接している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１面は、前記第１方向に視て矩形状であり、
前記第１方向に視て、前記第２領域は、前記第１面の角部に接している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接合シートは、基材層および前記基材層の前記第１方向の前記第１側に積層された第１層を含み、
前記第１領域は、前記第１層によって構成されている、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２領域の少なくとも一部が、前記第１層によって構成されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記基材層は、前記第１方向の第２側ｚ２を向き且つ少なくとも一部が前記第１リードと接合された第２面を有し、
前記第２面は、第３領域および第４領域を含み、
前記第３領域は、前記第１リードに接し、
前記第４領域は、前記第３領域より表面粗さが大きい、請求項８に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、支持基板、半導体素子および封止樹脂を備える。半導体素子は、中間金属層を介して固相拡散接合によって接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－６３４８８号公報
【０００４】
［概要］
中間金属層および封止樹脂の間に剥離が生じると、半導体装置が適切に機能しないおそれがある。
【０００５】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、剥離を抑制することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することをその課題とする。
【０００６】
本開示の半導体装置は、第１リードと、半導体素子と、第１方向において前記第１リードおよび前記半導体素子の間に介在する接合シートと、前記第１リードの一部、前記半導体素子および前記接合シートを覆う封止樹脂と、を備え、前記接合シートは、前記第１方向の第１側を向き且つ少なくとも一部が前記半導体素子と接合された第１面を有し、前記第１面は、第１領域および第２領域を含み、前記第１領域は、前記第１方向に視て少なくとも一部が前記半導体素子と重なり、前記第２領域は、前記第１領域より表面粗さが大きく且つ少なくとも一部が前記封止樹脂と接する。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す斜視図である。
図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分平面図である。
図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す底面図である。
図５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す側面図である。
図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す正面図である。
図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
図９は、図３のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。
図１０は、図３のＸ－Ｘ線に沿う断面図である。
図１１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大平面図である。
図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。
図１３は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。
図１４は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す部分拡大断面図である。
図１５は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第１変形例を示す部分拡大断面図である。
図１６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の第２変形例を示す部分拡大平面図である。
図１７は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大断図である。
図１８は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大断図である。
図１９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す部分拡大断図である。
【０００９】
［詳細な説明］
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、それらの対象物に順列を付することを意図していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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