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公開番号2025166989
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2024071216
出願日2024-04-25
発明の名称半導体装置、および半導体装置の製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20251030BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】再配線の低抵抗化を図るのに適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置A10は、半導体素子10と、半導体素子10の厚さ方向zのz1側に位置する電極21と、電極21に対して厚さ方向zのz1側に位置するとともに、電極21に導通する再配線40と、再配線40に対して厚さ方向zのz1側に位置するとともに、再配線40に導通する端子50と、を備える。再配線40は、第1再配線411および第2再配線412を含む。第2再配線412の厚さ方向zの寸法t2は、第1再配線411の厚さ方向zの寸法t1よりも大きい。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の厚さ方向の一方側に位置する電極と、
前記電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記電極に導通する再配線と、
前記再配線に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記再配線に導通する端子と、を備え、
前記再配線は、第１再配線および第２再配線を含み、
前記第２再配線の前記厚さ方向の寸法は、前記第１再配線の前記厚さ方向の寸法よりも大きい、半導体装置。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
前記第２再配線の前記厚さ方向の寸法は、前記第１再配線の前記厚さ方向の寸法の１５０％以上である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２再配線の前記厚さ方向の寸法は、前記第１再配線の前記厚さ方向の寸法の１５０％以上１０００％以下である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子は、第１回路と、前記第１回路により駆動制御される第２回路と、を有し、
前記第１再配線は前記第１回路に導通しており、前記第２再配線は前記第２回路に導通している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端子は、前記第１再配線に導通する第１端子と、前記第２再配線に導通する第２端子と、を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の前記第２端子が前記第２再配線につながる、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記端子に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記端子に導通する導電性接合層をさらに備える、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記厚さ方向において前記半導体素子と前記再配線との間に位置する第１絶縁膜をさらに備え、
前記第１絶縁膜には、前記厚さ方向に貫通するとともに、前記電極を露出させる第１開口が設けられており、
前記再配線の一部は、前記第１開口に収容されている、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１絶縁膜に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記再配線を覆う第２絶縁膜をさらに備え、
前記第２絶縁膜には、前記厚さ方向に貫通するとともに、前記再配線を露出させる第２開口が設けられており、
前記端子の一部は、前記第２開口に収容されている、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜の前記厚さ方向の寸法は、前記第１絶縁膜の前記厚さ方向の寸法よりも大きい、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体装置の一例が開示されている。当該半導体装置は、素子形成面を有する基板と、素子形成面に設けられたパッド端子と、パッド端子の一部、および素子形成面を覆うパッシベーション膜と、パッド端子から延び出たＣｕ再配線と、Ｃｕ再配線を覆う有機被膜と、有機被膜を覆う樹脂膜とを具備する。特許文献１に開示されている半導体装置において、Ｃｕ再配線に流れる電流が大きい場合、Ｃｕ再配線の平面視における面積を大きくすることで、当該Ｃｕ再配線の低抵抗化が図られる。しかしながら、半導体装置の大電流化等に伴い、Ｃｕ再配線のより一層の低抵抗化が求められる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１６５３３５号公報
【０００４】
［概要］
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、再配線の低抵抗化を図るのに適した半導体装置を提供することを主たる課題とする。
【０００５】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の厚さ方向の一方側に位置する電極と、前記電極に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記電極に導通する再配線と、前記再配線に対して前記厚さ方向の一方側に位置するとともに、前記再配線に導通する端子と、を備え、前記再配線は、第１再配線および第２再配線を含み、前記第２再配線の前記厚さ方向の寸法は、前記第１再配線の前記厚さ方向の寸法よりも大きい。
【０００６】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、厚さ方向の一方側に電極が配置された半導体素子を準備する工程と、前記半導体素子の前記厚さ方向の一方側に、前記電極を露出させる第１開口を有する第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜の前記第１開口に一部が収容されるように、前記電極、および前記第１絶縁膜の一部に第１金属層を形成する工程と、前記第１金属層の一部に第２金属層を形成する工程と、前記第１金属層および前記第２金属層の前記厚さ方向の一方側に、前記第１金属層の一部および前記第２金属層の一部を露出させる第２開口を有する第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜の前記第２開口に一部が収容されるように、前記第１金属層の一部、前記第２金属層の一部および前記第２絶縁膜の一部に端子を形成する工程と、を含む。
【０００７】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図２は、図１の平面図において、複数の端子および複数の導電性接合層を省略した図である。
図３は、図２の平面図において、第２絶縁膜を省略した図である。
図４は、図１のＩＶ－ＩＶ線に沿う部分拡大断面図である。
図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う部分拡大断面図である。
図６は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。
図７は、図６に続く工程を示す断面図である。
図８は、図７に続く工程を示す断面図である。
図９は、図８に続く工程を示す断面図である。
図１０は、図８に続く工程を示す断面図である。
図１１は、図９に続く工程を示す断面図である。
図１２は、図１１に続く工程を示す断面図である。
図１３は、図１２に続く工程を示す断面図である。
図１４は、図１２に続く工程を示す断面図である。
図１５は、図１３に続く工程を示す断面図である。
図１６は、図１５に続く工程を示す断面図である。
図１７は、図１６に続く工程を示す断面図である。
図１８は、図１６に続く工程を示す断面図である。
図１９は、図１７に続く工程を示す断面図である。
図２０は、図１８に続く工程を示す断面図である。
図２１は、図１９に続く工程を示す断面図である。
図２２は、図２０に続く工程を示す断面図である。
図２３は、図２１に続く工程を示す断面図である。
図２４は、図２２に続く工程を示す断面図である。
図２５は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す、図４と同様の断面図である。
図２６は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す、図５と同様の断面図である。
図２７は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す、図４と同様の断面図である。
図２８は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す、図４と同様の断面図である。
図２９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す、図５と同様の断面図である。
【０００９】
［詳細な説明］
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１０】
以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
（【００１１】以降は省略されています）

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