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公開番号
2025167104
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-11-07
出願番号
2024071404
出願日
2024-04-25
発明の名称
粒子及びその選定方法、砥粒の製造方法、研磨液の製造方法、研磨方法、部品の製造方法、並びに、半導体部品の製造方法
出願人
株式会社レゾナック
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
21/304 20060101AFI20251030BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】砥粒を得るための粒子の選定方法であって、砥粒を用いて被研磨材料を研磨した場合における被研磨材料の研磨速度を調整することが可能な粒子の選定方法等を提供する。
【解決手段】砥粒を得るための粒子の選定方法であって、前記粒子がセリウムを含み、陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値に基づき前記粒子を選定する、粒子の選定方法。セリウムを含む砥粒の製造方法であって、前記粒子の選定方法により選定された粒子を粉砕する、砥粒の製造方法。前記砥粒の製造方法により得られた砥粒と、水と、を混合する、研磨液の製造方法。前記研磨液の製造方法により得られた研磨液を用いて被研磨部材を研磨する、研磨方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
砥粒を得るための粒子の選定方法であって、
前記粒子がセリウムを含み、
陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値に基づき前記粒子を選定する、粒子の選定方法。
続きを表示(約 570 文字)
【請求項2】
前記粒子がセリウム酸化物を含む、請求項1に記載の粒子の選定方法。
【請求項3】
セリウムを含む砥粒の製造方法であって、
請求項1又は2に記載の粒子の選定方法により選定された粒子を粉砕する、砥粒の製造方法。
【請求項4】
前記砥粒がセリウム酸化物を含む、請求項3に記載の砥粒の製造方法。
【請求項5】
請求項3に記載の砥粒の製造方法により得られた砥粒と、水と、を混合する、研磨液の製造方法。
【請求項6】
請求項5に記載の研磨液の製造方法により得られた研磨液を用いて被研磨部材を研磨する、研磨方法。
【請求項7】
前記被研磨部材が酸化ケイ素を含む、請求項6に記載の研磨方法。
【請求項8】
請求項6に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。
【請求項9】
請求項6に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
【請求項10】
砥粒を得るための粒子であって、
セリウムを含み、
陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値が330ps以上である、粒子。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、粒子及びその選定方法、砥粒の製造方法、研磨液の製造方法、研磨方法、部品の製造方法、半導体部品の製造方法等に関する。
続きを表示(約 3,000 文字)
【背景技術】
【0002】
近年の電子デバイスの製造工程では、高密度化、微細化等のための加工技術の重要性がますます高まっている。加工技術の一つであるCMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング:化学機械研磨)技術は、電子デバイスの製造工程において、シャロートレンチ分離(シャロー・トレンチ・アイソレーション:STI)の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成等に必須の技術となっている。CMPに用いられる研磨液としては、セリウム酸化物を含む砥粒を含有する研磨液が知られている(例えば、下記特許文献1及び2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開平10-106994号公報
特開平08-022970号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
研磨液において用いられる砥粒は、砥粒を得るための粒子に対して粉砕処理等の処理を施すことにより得ることができる。このような砥粒を含有する研磨液に対しては、用途に応じて被研磨材料の研磨速度を調整することが求められ、被研磨材料の研磨速度を調整するための新たな手法が求められる。
【0005】
本開示の一側面は、砥粒を得るための粒子の選定方法であって、砥粒を用いて被研磨材料を研磨した場合における被研磨材料の研磨速度を調整することが可能な粒子の選定方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記粒子の選定方法により選定された粒子を用いた砥粒の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記砥粒の製造方法により得られた砥粒を用いた研磨液の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨液の製造方法により得られた研磨液を用いた研磨方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いた部品の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いた半導体部品の製造方法を提供することを目的とする。本開示の他の一側面は、砥粒を得るための粒子であって、砥粒を用いて被研磨材料を研磨した場合における被研磨材料の研磨速度を調整することが可能な粒子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示は、いくつかの側面において、下記の[1]~[11]等に関する。
[1]砥粒を得るための粒子の選定方法であって、前記粒子がセリウムを含み、陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値に基づき前記粒子を選定する、粒子の選定方法。
[2]前記粒子がセリウム酸化物を含む、[1]に記載の粒子の選定方法。
[3]セリウムを含む砥粒の製造方法であって、[1]又は[2]に記載の粒子の選定方法により選定された粒子を粉砕する、砥粒の製造方法。
[4]前記砥粒がセリウム酸化物を含む、[3]に記載の砥粒の製造方法。
[5][3]又は[4]に記載の砥粒の製造方法により得られた砥粒と、水と、を混合する、研磨液の製造方法。
[6][5]に記載の研磨液の製造方法により得られた研磨液を用いて被研磨部材を研磨する、研磨方法。
[7]前記被研磨部材が酸化ケイ素を含む、[6]に記載の研磨方法。
[8][6]又は[7]に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて部品を得る、部品の製造方法。
[9][6]又は[7]に記載の研磨方法により研磨された被研磨部材を用いて半導体部品を得る、半導体部品の製造方法。
[10]砥粒を得るための粒子であって、セリウムを含み、陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値が330ps以上である、粒子。
[11]セリウム酸化物を含む、[10]に記載の粒子。
【発明の効果】
【0007】
本開示の一側面によれば、砥粒を得るための粒子の選定方法であって、砥粒を用いて被研磨材料を研磨した場合における被研磨材料の研磨速度を調整することが可能な粒子の選定方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記粒子の選定方法により選定された粒子を用いた砥粒の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記砥粒の製造方法により得られた砥粒を用いた研磨液の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨液の製造方法により得られた研磨液を用いた研磨方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いた部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、前記研磨方法により研磨された被研磨部材を用いた半導体部品の製造方法を提供することができる。本開示の他の一側面によれば、砥粒を得るための粒子であって、砥粒を用いて被研磨材料を研磨した場合における被研磨材料の研磨速度を調整することが可能な粒子を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の実施形態について説明する。但し、本開示は下記実施形態に限定されるものではない。
【0009】
本明細書において、「~」を用いて示された数値範囲は、「~」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。数値範囲の「A以上」とは、A、及び、Aを超える範囲を意味する。数値範囲の「A以下」とは、A、及び、A未満の範囲を意味する。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実験例に示されている値に置き換えてもよい。「A又はB」とは、A及びBのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「砥粒」とは、複数の粒子の集合を意味するが、便宜的に、砥粒を構成する一の粒子を砥粒と呼ぶことがある。
【0010】
本実施形態に係る粒子及びその選定方法は、砥粒(研磨液に用いられる砥粒)を得るための粒子及びその選定方法である。本実施形態に係る粒子及びその選定方法において、粒子はセリウムを含む。本実施形態に係る粒子の選定方法では、陽電子消滅法により測定される陽電子寿命の平均値(平均陽電子寿命)に基づき粒子を選定する。本実施形態に係る粒子は、用途に応じて、陽電子消滅法により測定される陽電子寿命(粒子の陽電子寿命)の平均値(平均陽電子寿命)として任意の数値を有する。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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