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公開番号2025159752
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-22
出願番号2024062479
出願日2024-04-09
発明の名称パターン製造方法
出願人シャープディスプレイテクノロジー株式会社
代理人弁理士法人NIP&SBPJ国際特許事務所
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20251015BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高いアスペクト比を有するパターンを製造することができる簡潔なパターン製造方法を提供する。
【解決手段】パターン製造方法は、a)膜を形成する工程と、b)インジウムを含みスズを含まない酸化物からなるハードマスクを前記膜上に形成して前記ハードマスクにより覆われた第1の部分及び前記ハードマスクにより覆われない第2の部分を前記膜に形成する工程と、c)前記第2の部分をドライエッチングする工程と、d)工程c)の後に前記ハードマスクを剥離する工程と、を備える。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
ａ）膜を形成する工程と、
ｂ）インジウムを含みスズを含まない酸化物からなるハードマスクを前記膜上に形成して前記ハードマスクに覆われた第１の部分及び前記ハードマスクに覆われない第２の部分を前記膜に形成する工程と、
ｃ）前記第２の部分をドライエッチングする工程と、
ｄ）工程ｃ）の後に前記ハードマスクを剥離する工程と、
を備えるパターン製造方法。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記酸化物は、酸化インジウム亜鉛又は酸化インジウムガリウム亜鉛である
請求項１に記載のパターン製造方法。
【請求項３】
前記ハードマスクは、アモルファスからなり、
工程ｃ）は、前記ハードマスクが前記アモルファスからなる状態を維持する
請求項１又は２に記載のパターン製造方法。
【請求項４】
前記ハードマスクは、前記ハードマスクの温度が２００℃以上になった場合でも前記アモルファスからなる状態を維持することができ、
工程ｃ）において、前記ハードマスクの温度が２００℃以上になる
請求項３に記載のパターン製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクは、弱酸に溶解可能であり、
工程ｃ）において、前記ハードマスクを前記弱酸に溶解させることを含む
請求項１又は２に記載のパターン製造方法。
【請求項６】
前記ハードマスクは、１００ｎｍ以下の厚さを有する
請求項１又は２に記載のパターン製造方法。
【請求項７】
前記膜は、層間絶縁膜であり、
工程ｃ）は、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する
請求項１又は２に記載のパターン製造方法。
【請求項８】
工程ａ）は、
ａ－１）前記酸化物からなる酸化物膜を前記膜上に形成する工程と、
ａ－２）レジストパーンを前記酸化物膜上に形成して前記レジストパターンに覆われた保護部分及び前記レジストパターンに覆われない非保護部分を前記酸化物膜に形成する工程と、
ａ－３）前記非保護部分を弱酸によりエッチングして前記ハードマスクを得る工程と、
を備え、
前記パターン製造方法は、
ｅ）工程ｂ）の後であって工程ｃ）の前又は工程ｃ）の後であって工程ｄ）の前に前記レジストパターンを剥離する工程
を備える
請求項１又は２に記載のパターン製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、パターン製造方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、膜スタックをエッチングするパターニングプロセスを開示する。当該パターニングプロセスにおいては、膜スタック上に底部反射防止コーティング層が形成され、底部反射防止コーティング層上にハードマスク層が形成され、ハードマスク層上にフォトレジスト層が形成される。ハードマスク層は、金属含有材料からなる。また、フォトレジスト層がパターニングされ、パターニングされたフォトレジスト層の開口部がハードマスク層に転写されるようにハードマスク層がパターニングされ、パターニングされたハードマスク層の開口部が底部反射防止コーティング層に転写されるように底部反射防止コーティング層がパターニングされる。また、膜スタックがエッチングされる。当該パターニングプロセスにおいては、パターニングされた底部反射防止コーティング層が膜スタック上に形成され、パターニングされたハードマスク層がパターニングされた底部反射防止コーティング層に形成され、パターニングされたフォトレジスト層が、パターニングされたハードマスク層上に形成される。（段落００１４，００３３，００３５，００４０，００４９，００５８及び００６４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０２３－５２７６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されたパターニングプロセスは、著しく複雑である。
【０００５】
本開示の一態様は、この問題に鑑みてなされた。本開示の一態様は、例えば、高いアスペクト比を有するパターンを製造することができる簡潔なパターン製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様のパターン製造方法は、ａ）膜を形成する工程と、ｂ）インジウムを含みスズを含まない酸化物からなるハードマスクを前記膜上に形成して前記ハードマスクにより覆われた第１の部分及び前記ハードマスクにより覆われない第２の部分を前記膜に形成する工程と、ｃ）前記第２の部分をドライエッチングする工程と、ｄ）工程ｃ）の後に前記ハードマスクを剥離する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンを模式的に図示する断面図である。
第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンを模式的に図示する上面図である。
第１実施形態のパターン製造方法の流れを示すフローチャートである。
第１実施形態の変形例のパターン製造方法の流れを示すフローチャートである。
絶縁膜、及びポジレジストからなるマスクを模式的に図示する断面図である。
絶縁膜、及びネガレジストからなるマスクを模式的に図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
１第１実施形態
１．１パターン製造方法
図１Ａ，図２Ａ，図３Ａ，図４Ａ，図５Ａ及び図６Ａは、第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する断面図である。図７Ａは、第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンを模式的に図示する断面図である。図１Ｂ，図２Ｂ，図３Ｂ，図４Ｂ，図５Ｂ及び図６Ｂは、第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンの中間品を模式的に図示する上面図である。図７Ｂは、第１実施形態のパターン製造方法により製造されるパターンを模式的に図示する上面図である。図８は、第１実施形態のパターン製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１０】
第１実施形態のパターン製造方法においては、図８に示されるステップＳ１０１からＳ１０７までが実行される。
（【００１１】以降は省略されています）

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