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公開番号2025156160
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2025052935
出願日2025-03-27
発明の名称成膜方法、太陽電池の製造方法および太陽電池
出願人株式会社カネカ
代理人個人,個人
主分類H10F 10/166 20250101AFI20251002BHJP()
要約【課題】パターンの成膜精度を向上する成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜方法は、基材11上にパターンを成膜する成膜方法であって、基材11上に、接着部材50を介して、パターンに相当するパターン開口110を有する金属製の成膜用マスク100を配置する配置工程と、成膜用マスク100を用いて、基材11上にパターンを成膜する成膜工程と、成膜用マスク100を除去する除去工程とを含む。この成膜方法によれば、接着部材50を介して、基材11に成膜用マスク100を接着固定することができ、基材11に対する成膜用マスク100の位置ずれを低減することができ、パターンの成膜精度を向上することができる。
【選択図】図3A

特許請求の範囲【請求項１】
基材上にパターンを成膜する成膜方法であって、
前記基材上に、接着部材を介して、前記パターンに相当するパターン開口を有する金属製の成膜用マスクを配置する配置工程と、
前記成膜用マスクを用いて、前記基材上に前記パターンを成膜する成膜工程と、
前記成膜用マスクを除去する除去工程と、
を含む、成膜方法。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記接着部材は、水溶性樹脂であり、
前記配置工程では、前記接着部材を真空乾燥することによって、前記基材上に前記成膜用マスクを接着固定し、
前記除去工程では、水を用いて、前記成膜用マスクおよび前記接着部材を剥離する、
請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記接着部材は、ＵＶ硬化性樹脂であり、
前記配置工程では、前記基材上に前記接着部材を配置し、前記接着部材にＵＶ光を照射した後、前記基材上に前記成膜用マスクを配置し、前記接着部材の遅延硬化を利用することによって、前記基材上に前記成膜用マスクを接着固定し、
前記除去工程では、力を加えることによって、前記成膜用マスクおよび前記接着部材を剥離する、
請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
半導体基板の裏面側の一部に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体基板の裏面側の他の一部に形成された第２導電型半導体層とを備えるバックコンタクト型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の裏面に、第１接着部材を介して、前記第１導電型半導体層のパターンに相当するパターン開口を有する金属製の第１成膜用マスクを配置する第１配置工程と、
前記第１成膜用マスクを用いて、前記半導体基板の裏面に前記第１導電型半導体層を成膜する第１成膜工程と、
前記第１成膜用マスクを除去する第１除去工程と、
前記半導体基板の裏面に、第２接着部材を介して、前記第２導電型半導体層のパターンに相当するパターン開口を有する金属製の第２成膜用マスクを配置する第２配置工程と、
前記第２成膜用マスクを用いて、前記半導体基板の裏面に前記第２導電型半導体層を成膜する第２成膜工程と、
前記第２成膜用マスクを除去する第２除去工程と、
を含む、太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記第１接着部材および前記第２接着部材は、水溶性樹脂であり、
前記第１配置工程では、前記第１接着部材を真空乾燥することによって、前記半導体基板の裏面に前記第１成膜用マスクを接着固定し、
前記第１除去工程では、水を用いて、前記第１成膜用マスクおよび前記第１接着部材を剥離し、
前記第２配置工程では、前記第２接着部材を真空乾燥することによって、前記半導体基板の裏面に前記第２成膜用マスクを接着固定し、
前記第２除去工程では、水を用いて、前記第２成膜用マスクおよび前記第２接着部材を剥離する、
請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記第１接着部材および前記第２接着部材は、ＵＶ硬化性樹脂であり、
前記第１配置工程では、前記半導体基板の裏面に前記第１接着部材を配置し、前記第１接着部材にＵＶ光を照射した後、前記半導体基板の裏面に前記第１成膜用マスクを配置し、前記第１接着部材の遅延硬化を利用することによって、前記半導体基板の裏面に前記第１成膜用マスクを接着固定し、
前記第１除去工程では、力を加えることによって、前記第１成膜用マスクおよび前記第１接着部材を剥離し、
前記第２配置工程では、前記半導体基板の裏面に前記第２接着部材を配置し、前記第２接着部材にＵＶ光を照射した後に、前記半導体基板の裏面に前記第２成膜用マスクを配置し、前記第２接着部材の遅延硬化を利用することによって、前記半導体基板の裏面に前記第２成膜用マスクを接着固定し、
前記第２除去工程では、力を加えることによって、前記第２成膜用マスクおよび前記第２接着部材を剥離する、
請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
請求項４～６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法によって製造されたバックコンタクト型の太陽電池。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、太陽電池の製造方法、およびこの製造方法によって製造された太陽電池に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
例えばバックコンタクト型の太陽電池は、裏面側に、櫛型形状のパターンの第１半導体層および第２半導体層を有する。このような第１半導体層および第２半導体層のパターンの成膜方法として、ＣＶＤ法を用いて成膜する際に、メタルマスク等のシャドウマスクを用いて成膜およびパターニングを同時に行うことが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００９－２００２６７号公報
国際公開第２０１６／０７６３００号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、金属製の成膜用マスク（メタルマスク）を用いる場合、成膜用マスクのセット時（配置時）、または、工程間の成膜用マスクセット基板の搬送時（例えば、成膜用マスクの配置工程からＣＶＤ成膜工程への基板の搬送時）に、基板に対する成膜用マスクの位置がずれてしまい、半導体層のパターンの成膜精度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、パターンの成膜精度を向上する成膜方法、太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る成膜方法は、基材上にパターンを成膜する成膜方法であって、前記基材上に、接着部材を介して、前記パターンに相当するパターン開口を有する金属製の成膜用マスクを配置する配置工程と、前記成膜用マスクを用いて、前記基材上に前記パターンを成膜する成膜工程と、前記成膜用マスクを除去する除去工程とを含む。
【０００７】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板の裏面側の一部に形成された第１導電型半導体層と、前記半導体基板の裏面側の他の一部に形成された第２導電型半導体層とを備えるバックコンタクト型の太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の裏面に、第１接着部材を介して、前記第１導電型半導体層のパターンに相当するパターン開口を有する金属製の第１成膜用マスクを配置する第１配置工程と、前記第１成膜用マスクを用いて、前記半導体基板の裏面に前記第１導電型半導体層を成膜する第１成膜工程と、前記第１成膜用マスクを除去する第１除去工程と、前記半導体基板の裏面に、第２接着部材を介して、前記第２導電型半導体層のパターンに相当するパターン開口を有する金属製の第２成膜用マスクを配置する第２配置工程と、前記第２成膜用マスクを用いて、前記半導体基板の裏面に前記第２導電型半導体層を成膜する第２成膜工程と、前記第２成膜用マスクを除去する第２除去工程とを含む。
【０００８】
本発明に係る太陽電池は、上記の太陽電池の製造方法によって製造されたバックコンタクト型の太陽電池である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、パターンの成膜精度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。
図１の太陽電池におけるII－II線断面図（一部）である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１配置工程（第１半導体層形成工程）を示す図である。
図３Ａに示すIIIB－IIIB線断面図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１成膜工程（第１半導体層形成工程）を示す図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第１除去工程（第１半導体層形成工程）を示す図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２配置工程（第２半導体層形成工程）を示す図である。
図３Ｅに示すIIIF－IIIF線断面図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２成膜工程（第２半導体層形成工程）を示す図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第２除去工程（第２半導体層形成工程）を示す図である。
本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極層形成工程を示す図である。
実施例の半導体基板の元素分析の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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