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公開番号2025154912
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024058192
出願日2024-03-29
発明の名称リン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハ
出願人JX金属株式会社
代理人アクシス国際弁理士法人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】オリエンテーションフラットを用いたウエハのアライメント精度の向上とチッピング発生の抑制とを両立することが可能なリン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】主面、裏面、及び、オリエンテーションフラットを有する円盤状のリン化インジウム基板であり、主面側のオリエンテーションフラットからの面取り幅が90μm未満であり、裏面側のオリエンテーションフラットからの面取り幅、主面側のエッジ部からの面取り幅、及び、裏面側のエッジ部からの面取り幅が、それぞれ90μm以上である、リン化インジウム基板。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
主面、裏面、及び、オリエンテーションフラットを有する円盤状のリン化インジウム基板であり、
前記主面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅が９０μｍ未満であり、
前記裏面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅、前記主面側のエッジ部からの面取り幅、及び、前記裏面側のエッジ部からの面取り幅が、それぞれ９０μｍ以上である、リン化インジウム基板。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記主面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅が６０μｍ未満であり、
前記裏面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅、前記主面側のエッジ部からの面取り幅、及び、前記裏面側のエッジ部からの面取り幅が、それぞれ１００μｍ以上である、請求項１に記載のリン化インジウム基板。
【請求項３】
前記オリエンテーションフラットは、
前記裏面から傾斜した面、及び、
前記裏面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、請求項１に記載のリン化インジウム基板。
【請求項４】
前記裏面側のエッジ部は、
前記裏面から傾斜した面、及び、
前記裏面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、請求項１に記載のリン化インジウム基板。
【請求項５】
前記主面側のエッジ部は、
前記主面から傾斜した面、及び、
前記主面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、請求項１に記載のリン化インジウム基板。
【請求項６】
請求項１～５のいずれか一項に記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、リン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハに関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
インジウムリン（ＩｎＰ）は、ＩＩＩ族のインジウム（Ｉｎ）とＶ族のリン（Ｐ）とからなるＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料である。半導体材料としての特性は、バンドギャップ１．３５ｅＶ、電子移動度～５４００ｃｍ
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／Ｖ・ｓであり、高電界下での電子移動度はシリコンやガリウム砒素といった他の一般的な半導体材料より高い値になるという特性を有している。また、常温常圧下での安定な結晶構造は立方晶の閃亜鉛鉱型構造であり、その格子定数は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）やリン化ガリウム（ＧａＰ）等の化合物半導体と比較して大きな格子定数を有するという特徴を有している。
【０００３】
リン化インジウム基板の原料となるリン化インジウムのインゴットは、通常、所定の厚さにスライシングされ、所望の形状に研削され、適宜機械研磨された後、研磨屑や研磨により生じたダメージを除去するために、エッチングや精密研磨（ポリシング）等に供される。
【０００４】
リン化インジウム基板の結晶方位を示すために一般に行われるのは、例えば、特許文献１に開示されているような、円形基板（ウエハ）の所定領域の弓形部分を切り取り、特定の面方位を有する面を露出させるオリエンテーションフラット法である。方位を示す短い線分をオリエンテーションフラットと呼ぶ。ウエハプロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準にウエハの向きを定めて様々な工程を行うようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１４－０２８７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウエハプロセスにおいて、上記オリエンテーションフラットはウエハの向きを定めるための基準となるものである。具体的には、例えば、オリエンテーションフラットに二本の並列した柱状冶具を押し当てて、オリエンテーションフラットをウエハの向きを定めるための基準としている。
【０００７】
このように、オリエンテーションフラットは、ウエハの向きを定めるための基準となるものであり、その精度（アライメント精度）が非常に重要である。しかしながら、オリエンテーションフラットの主面側が削れている等により、オリエンテーションフラットを含む平面と主面を含む平面との交線から主面までの距離が大きいと、上述のウエハの向きを精度良く定めることが困難となる。一方、裏面側では、オリエンテーションフラットを含む平面と裏面を含む平面との交線から裏面までの距離が小さいと、チッピング等の不良が発生するおそれがある。
【０００８】
ここで、従来、オリエンテーションフラットを含むウエハのエッジ部では、主面側及び裏面側で同形状の面取りが行われており、上述のオリエンテーションフラットを用いたウエハのアライメント精度の向上とチッピング発生の抑制とを両立することが困難であるという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、オリエンテーションフラットを用いたウエハのアライメント精度の向上とチッピング発生の抑制とを両立することが可能なリン化インジウム基板及び半導体エピタキシャルウエハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は、以下のように特定される、本発明の実施形態によって解決される。
１．主面、裏面、及び、オリエンテーションフラットを有する円盤状のリン化インジウム基板であり、
前記主面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅が９０μｍ未満であり、
前記裏面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅、前記主面側のエッジ部からの面取り幅、及び、前記裏面側のエッジ部からの面取り幅が、それぞれ９０μｍ以上である、リン化インジウム基板。
２．前記主面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅が６０μｍ未満であり、
前記裏面側の前記オリエンテーションフラットからの面取り幅、前記主面側のエッジ部からの面取り幅、及び、前記裏面側のエッジ部からの面取り幅が、それぞれ１００μｍ以上である、前記１に記載のリン化インジウム基板。
３．前記オリエンテーションフラットは、
前記裏面から傾斜した面、及び、
前記裏面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、前記１または２に記載のリン化インジウム基板。
４．前記裏面側のエッジ部は、
前記裏面から傾斜した面、及び、
前記裏面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、前記１～３のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
５．前記主面側のエッジ部は、
前記主面から傾斜した面、及び、
前記主面から傾斜した面が終了する位置から開始する曲率をもった面
を有する、前記１～４のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
６．前記１～５のいずれかに記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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