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公開番号2025177117
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-05
出願番号2024083661
出願日2024-05-22
発明の名称低α線酸化ビスマス
出願人JX金属株式会社
代理人弁理士法人綾船国際特許事務所,個人
主分類C01G 29/00 20060101AFI20251128BHJP(無機化学)
要約【課題】α線量の低減された酸化ビスマスを提供する。
【解決手段】α線量が、0.002cph/cm²以下であり、酸化ビスマス純度が、99.99wt%以上である、酸化ビスマス粉末。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
α線量が、０．００２ｃｐｈ／ｃｍ
２
以下であり、
酸化ビスマス純度が、９９．９９ｗｔ％以上である、酸化ビスマス粉末。
続きを表示（約 420 文字）【請求項２】
比表面積が、０．１～１．０ｍ
２
／ｇの範囲にある、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。
【請求項３】
かさ密度が、２．５～６．０ｇ／ｃｍ
３
の範囲にある、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。
【請求項４】
Ｄ５０が、１０～３０μｍの範囲にある、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。
【請求項５】
Ｎａ含有量が、５ｗｔｐｐｍ以下である、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。
【請求項６】
（「平均粒径Ｄ９０」－「平均粒径Ｄ１０」）／「平均粒径Ｄ５０」の値が、４．０～１０．０の範囲にある、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。
【請求項７】
酸化ビスマス粉末５．０ｇを２００ｇ／Ｌのメタンスルホン酸水溶液５００ｍｌ中へ投入攪拌した１０分後に、濁度が０～５であり、色度が０～５である、請求項１に記載の酸化ビスマス粉末。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、低α線酸化ビスマスに関する。
続きを表示（約 890 文字）【背景技術】
【０００２】
酸化ビスマスはバリスタ、セラミックコンデンサ等の電子部品やフェライト等の磁性材料などに使用されており、既に電子材料として重要な位置を占める。
【０００３】
近年、半導体回路のソフトウェアエラーの原因として、α線の影響が注目されるようになってきた。そこで、半導体材料のあらゆる部分から、α線の発生の低減が求められるようになりつつある。
【０００４】
特許文献１には、α線量を低減させた金属ビスマス及びその製造方法が開示されている。しかし、特許文献１には、α線量を低減した酸化ビスマス及びその製造方法は開示されていない。
【０００５】
特許文献２～５には、酸化ビスマス及びその製造方法が開示されている。しかし、特許文献２～５には、α線量が低減された酸化ビスマス及びその製造方法は開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特許第６２７１６４２号
特許第５１２０６６３号
特許第３９２８０２３号
特許第４６１９４２８号
特許第４１８５１９７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように、半導体材料のあらゆる部分から、α線の発生の低減が求められるようになってきている。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、α線量の低減された酸化ビスマスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下の方法によって、上記課題が達成できることを見いだして、本発明に到達した。
【００１０】
本発明は、次の（１）を含む。
（１）
α線量が、０．００２ｃｐｈ／ｃｍ
２
以下であり、
酸化ビスマス純度が、９９．９９ｗｔ％以上である、酸化ビスマス粉末。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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