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公開番号2025149516
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-08
出願番号2024050226
出願日2024-03-26
発明の名称配線基板の製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20251001BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線基板の製造における歩留まりの向上。
【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、製品エリアを備える一方の面GS1aおよび他方の面GS1bを有するガラス基板GS1を用意することと、一方の面GS1a上に製品エリアに亘って導体層12および絶縁層11を積層することと、を含み、各製品エリアは矩形であり、3層以上の導体層12および絶縁層11を交互に積層することを含み、導体のパターンの配線幅および配線間隔の最小値を2μm以下とすることを含んでいる。他方の面GS1b上には支持体SMが貼着されており、支持体SMの熱膨張率はガラス基板GS1の熱膨張率よりも高く、導体層12の積層は、レジストパターンを有するレジスト層を形成し、導体パターンを形成することを含み、レジストパターンを有するレジスト層を形成することは、ダイレクトイメージング露光によってレジスト層を露光することを含む。
【選択図】図3J
特許請求の範囲【請求項１】
１または複数の製品エリアを備える一方の面、および、前記一方の面と反対側の他方の面を有するガラス基板を用意することと、前記一方の面上のみに、前記１または複数の製品エリアに亘って導体層および絶縁層を積層することによってビルドアップ部を形成することと、を含み、
各前記製品エリアの形状は、平面視において各辺の寸法が８０ｍｍ以上、且つ、２４０ｍｍ以下の矩形であり、
前記導体層および前記絶縁層を積層することは、３層以上の前記導体層および３層以上の前記絶縁層を交互に積層することを含み、
前記導体層を積層することは、前記導体パターンに含まれる配線の幅の最小値を２μｍ以下、配線の間隔の最小値を２μｍ以下に形成することを含む、配線基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の前記他方の面上には支持体が貼着されており、
前記支持体の熱膨張率は前記ガラス基板の熱膨張率よりも高く、
前記導体層を積層することは、レジストパターンを有するレジスト層を形成し、前記レジストパターンに従う導体パターンを形成することを含み、
前記レジストパターンを有するレジスト層を形成することは、ダイレクトイメージング露光によってレジスト層を露光することを含む。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記支持体の熱膨張率と前記ガラス基板の熱膨張率との差は５ｐｐｍ／℃以上、且つ、１４ｐｐｍ／℃以下である。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記ガラス基板の熱膨張率は３ｐｐｍ／℃以上、且つ、１２ｐｐｍ／℃以下である。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記支持体の熱膨張率は１５ｐｐｍ／℃以上、且つ、２０ｐｐｍ／℃以下である。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、導体層および絶縁層が積層される前の、前記支持体が前記他方の面に貼着された状態における前記一方の面の反り量は１．０ｍｍ以上、且つ、２．０ｍｍ以下である。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記ガラス基板の厚さは、０．７ｍｍ以上、且つ、１．６ｍｍ以下であり、前記支持体の厚さは、０．１ｍｍ以上、且つ、０．４ｍｍ以下である。
【請求項７】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の熱膨張率は前記ガラス基板の熱膨張率よりも高い。
【請求項８】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の熱膨張率は１５ｐｐｍ／℃以上、且つ、２５ｐｐｍ／℃以下である。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記支持体は銅張積層板である。
【請求項１０】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記ガラス基板はホウケイ酸ガラスを含んでいる。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第二配線基板と第一配線基板とを備える配線基板の製造方法が開示されている。第一配線基板はガラス基板を含む支持基板上への絶縁樹脂および配線層の積層によって形成される。絶縁樹脂上の配線層は、レジストパターン開口部内への導体の充填によって形成される。第一配線基板が第二配線基板に接合された後、支持基板が剥離される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－４９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板の製造方法では、支持基板上への絶縁樹脂および配線層の積層において、支持基板、絶縁樹脂、および配線層に反りが生じることがある。配線層のパターンの形成において不良が生じることがある。そのため、配線基板製造における歩留まりが低くなることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板の製造方法は、１または複数の製品エリアを備える一方の面、および、前記一方の面と反対側の他方の面を有するガラス基板を用意することと、前記一方の面上のみに、前記１または複数の製品エリアに亘って導体層および絶縁層を積層することによってビルドアップ部を形成することと、を含み、各前記製品エリアの形状は、平面視において各辺の寸法が８０ｍｍ以上、且つ、２４０ｍｍ以下の矩形であり、前記導体層および前記絶縁層を積層することは、３層以上の前記導体層および３層以上の前記絶縁層を交互に積層することを含み、前記導体層を積層することは、前記導体パターンに含まれる配線の幅の最小値を２μｍ以下、配線の間隔の最小値を２μｍ以下に形成することを含んでいる。前記ガラス基板の前記他方の面上には支持体が貼着されており、前記支持体の熱膨張率は前記ガラス基板の熱膨張率よりも高く、前記導体層を積層することは、レジストパターンを有するレジスト層を形成し、前記レジストパターンに従う導体パターンを形成することを含み、前記レジストパターンを有するレジスト層を形成することは、ダイレクトイメージング露光によってレジスト層を露光することを含む。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、ビルドアップ部を形成する工程において発生する反りの程度が抑制され、配線基板が歩留まりよく、しかも効率的に製造され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の製造方法で製造される配線基板の一例を示す断面図。
本発明の一実施形態の製造方法で製造される配線基板の他の例を示す断面図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の一例を示す図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の説明図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の説明図。
本発明の一実施形態である配線基板の製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら本発明の配線基板の製造方法について説明される。図１は、一実施形態の製造方法によって製造される配線基板の一例である配線基板１を示す断面図である。なお、配線基板１は製造される配線基板の一例に過ぎない。製造される配線基板の積層構造、ならびに、導体層および絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１の積層構造、ならびに配線基板１に含まれる導体層および絶縁層それぞれの数に限定されない。また、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。
【０００９】
配線基板１は、交互に積層された複数の導体層および絶縁層によって構成されるビルドアップ部を含む積層構造を有している。配線基板１を構成するビルドアップ部は、その厚さ方向と直交する２つの表面（第１面１Ｆおよび第１面１Ｆと反対側の第２面１Ｂ）を有している。一実施形態の配線基板の製造方法によって製造される配線基板のビルドアップ部は、図１に示されるように、少なくともビルドアップ部１０を含んでいる。ビルドアップ部１０の表面（第１面１０Ｆ）が第１面１Ｆを構成している。
【００１０】
ビルドアップ部１０は、第１面１０Ｆと反対側の表面として第２面１０Ｂを有している。図１に示されるように、配線基板１は、ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂ側に、交互に積層される絶縁層および導体層から構成されるビルドアップ部２０、３０をさらに含み得る。以下、配線基板１の説明において、ビルドアップ部１０は第１ビルドアップ部１０とも称され、ビルドアップ部２０は第２ビルドアップ部２０とも称され、ビルドアップ部３０は第３ビルドアップ部３０とも称される。
（【００１１】以降は省略されています）

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