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公開番号2025139246
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-26
出願番号2024038075
出願日2024-03-12
発明の名称反射型マスクブランクの検査方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類G03F 1/84 20120101AFI20250918BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】欠陥の数と位置を精度良く検出する、技術を提供すること。
【解決手段】反射型マスクブランクの検査方法は、基板と、EUV光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、EUV光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有する反射型マスクブランクを検査する。反射型マスクブランクの検査方法は、前記基板、前記多層反射膜、前記保護膜または前記吸収膜を撮像した画像の輝度マップを取得することと、前記輝度マップを二値化することで、欠陥の数と位置を検出することと、を有する。反射型マスクブランクの検査方法は、前記輝度マップを二値化するスライスレベルを、前記検出する前記欠陥の数が最大になるように設定することを有する。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有する反射型マスクブランクを検査する、反射型マスクブランクの検査方法であって、
前記基板、前記多層反射膜、前記保護膜または前記吸収膜を撮像した画像の輝度マップを取得することと、
前記輝度マップを二値化することで、欠陥の数と位置を検出することと、
を有し、
前記輝度マップを二値化するスライスレベルを、前記検出する前記欠陥の数が最大になるように設定することを有する、反射型マスクブランクの検査方法。
続きを表示（約 870 文字）【請求項２】
前記画像は暗視野画像であり、前記暗視野画像において前記欠陥は前記スライスレベル以上の輝度を有する、請求項１に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項３】
前記スライスレベルは、前記検出する前記欠陥の数が最大になる範囲で前記スライスレベルの輝度が最低になるように設定する、請求項２に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項４】
前記画像は明視野画像であり、前記明視野画像において前記欠陥は前記スライスレベル以下の輝度を有する、請求項１に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項５】
前記スライスレベルは、前記検出する前記欠陥の数が最大になる範囲で前記スライスレベルの輝度が最大になるように設定する、請求項４に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項６】
前記欠陥は、位相欠陥または振幅欠陥である、請求項１に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項７】
前記画像の撮像に用いる光の波長が５ｎｍ～６００ｎｍである、請求項１に記載の反射型マスクブランクの検査方法。
【請求項８】
基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有する反射型マスクブランクを製造する、反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記基板の上に、前記多層反射膜と前記保護膜と前記吸収膜をこの順番で成膜することと、
請求項１～７のいずれか１項に記載の検査方法で、前記基板、前記多層反射膜、前記保護膜または前記吸収膜の欠陥の数と位置を検出することと、
を有する、反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の反射型マスクブランクの製造方法で製造した反射型マスクブランクを準備することと、
前記吸収膜に開口パターンを形成することと、
をこの順番で有する、反射型マスクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射型マスクブランクの検査方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶは、１３．５ｎｍ程度の波長を有する。ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収するだけではなく、ＥＵＶ光の位相をシフトしてもよい。つまり、吸収膜は、位相シフト膜であってもよい。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００３】
特許文献１に記載の表面欠陥検査方法は、基材を撮像した画像を取得し、画像を処理することで二値化画像を求め、二値化画像を基に欠陥の有無を判定する。二値化画像は、予め設定したスライスレベルにより作成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０００－３０４７０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、複数の欠陥が密集することがあった。その結果、欠陥の数と位置を精度良く検出することが困難なことがあった。
【０００６】
本開示の一実施形態は、欠陥の数と位置を精度良く検出する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一実施形態に係る反射型マスクブランクの検査方法は、基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜を保護する保護膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有する反射型マスクブランクを検査する。反射型マスクブランクの検査方法は、前記基板、前記多層反射膜、前記保護膜または前記吸収膜を撮像した画像の輝度マップを取得することと、前記輝度マップを二値化することで、欠陥の数と位置を検出することと、を有する。反射型マスクブランクの検査方法は、前記輝度マップを二値化するスライスレベルを、前記検出する前記欠陥の数が最大になるように設定することを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施形態によれば、欠陥の数と位置を精度良く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、一実施形態に係る反射型マスクブランクを示す断面図である。
図２は、一実施形態に係る反射型マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
図３は、一実施形態に係る反射型マスクを示す断面図である。
図４は、一実施形態に係る反射型マスクの製造方法を示すフローチャートである。
図５（Ａ）はＳ２０１の一例を示す断面図であり、図５（Ｂ）はＳ２０２の一例を示す断面図であり、図５（Ｃ）はＳ２０３の一例を示す断面図である。
図６は、図３の反射型マスクで反射されるＥＵＶ光の一例を示す断面図である。
図７は、吸収膜の開口パターンと欠陥の位置関係の一例を示す断面図である。
図８は、一実施形態に係る反射型マスクブランクの検査方法を示すフローチャートである。
図９は、２次検査における暗視野画像を用いた欠陥の検出の一例を示す図である。
図１０は、２次検査における明視野画像を用いた欠陥の検出の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。数値範囲は、四捨五入した範囲を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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