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公開番号2025100582
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2025062067,2021524495
出願日2025-04-03,2020-06-03
発明の名称通信装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H03H 11/04 20060101AFI20250626BHJP(基本電子回路)
要約【課題】高電位の信号を送受信できる通信装置を提供する。
【解決手段】第1乃至第4のトランジスタと、送信端子と、受信端子と、アンテナ端子と、第1および第2の制御端子と、が設けられた共用器を有する。送信端子は、第1および第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、受信端子は、第3および第4のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、アンテナ端子は、第2および第4のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、第1の制御端子は、第2および第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第2の制御端子は、第1および第4のトランジスタのゲートと電気的に接続される。また、第1乃至第4のトランジスタの半導体は、それぞれ金属酸化物を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
アンテナと、前記アンテナと電気的に接続された共用器と、前記共用器と電気的に接続された制御回路と、を有し、
前記共用器は、無線信号の送信と受信を前記アンテナで実現する機能を有し、
前記制御回路は、前記共用器の動作を制御する機能を有し、
前記共用器は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の抵抗、第２の抵抗、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第３の抵抗及び第４の抵抗を有し、
前記共用器の送信端子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記共用器の受信端子は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第４のトランジスタのソースまたははドレインの一方と電気的に接続され、
前記共用器のアンテナ端子は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方及び前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第３の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートは、前記第４の抵抗の一方の端子と電気的に接続され、
前記共用器の第１の制御端子は、前記第２の抵抗の他方の端子および前記第３の抵抗の他方の端子と電気的に接続され、
前記共用器の第２の制御端子は、前記第１の抵抗の他方の端子および前記第４の抵抗の他方の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方および前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、定電位を供給する機能を有する、通信装置。
続きを表示（約 150 文字）【請求項２】
請求項１において、前記第２のトランジスタおよび前記第４のトランジスタは酸化物半導体をチャネル形成領域に含む、通信装置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含む、通信装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、通信装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書などで開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
スマートフォンやタブレット端末などに代表される持ち運びが容易な情報端末の普及が進んでいる。情報端末の普及に伴い、様々な通信規格が制定されている。例えば、第４世代移動通信システム（４Ｇ）と呼ばれるＬＴＥ－Ａｄｖａｎｃｅｄ規格の運用が開始されている。
【０００４】
近年、ＩｏＴ（ＩｎｔｅｒｎｅｔｏｆＴｈｉｎｇｓ）などの情報技術の発展により、情報端末で扱われるデータ量は増大する傾向にある。また、情報端末などの電子機器に通信速度の向上が求められている。
【０００５】
ＩｏＴなどの様々な情報技術に対応するため、４Ｇよりも速い通信速度、多くの同時接続、短い遅延時間を実現する第５世代移動通信システム（５Ｇ）と呼ばれる新たな通信規格が検討されている。５Ｇでは、３．７ＧＨｚ帯、４．５ＧＨｚ帯、および２８ＧＨｚ帯の通信周波数が使用される。
【０００６】
５Ｇに対応する通信装置は、Ｓｉなど１種類の元素を主成分として用いる半導体や、ＧａとＡｓなど複数種類の元素を主成分として用いる化合物半導体を用いて作製される。さらに、金属酸化物の一種である酸化物半導体が注目されている。
【０００７】
酸化物半導体では、単結晶でも非晶質でもない、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓａｌｉｇｎｅｄｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出されている（非特許文献１および非特許文献２参照）。
【０００８】
非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉｅｔａｌ．， “ＳＩＤＳｙｍｐｏｓｉｕｍＤｉｇｅｓｔｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐｅｒｓ”，２０１２，ｖｏｌｕｍｅ４３，ｉｓｓｕｅ１，ｐ．１８３－１８６
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉｅｔａｌ．， “ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ”，２０１４，ｖｏｌｕｍｅ５３，Ｎｕｍｂｅｒ４Ｓ，ｐ．０４ＥＤ１８－１－０４ＥＤ１８－１０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
通信周波数が高くなると、電波の減衰が大きくなるため、電波に載せられた信号の到達距離が短くなる。よって、通信周波数が高い場合は、当該信号の電位の振幅を大きくすることが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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