特許ウォッチ

公開番号2025092520
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-19
出願番号2025049465,2022543647
出願日2025-03-25,2021-01-20
発明の名称高周波整合ネットワーク及び発生器
出願人コメットテクノロジーズユーエスエーインコーポレイテッド
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250612BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】本発明は、高周波プラズマ処理システムにおける高周波パルスのデータを提供する方法に関する。
【解決手段】高周波プラズマ処理システムにおける高周波パルスのデータを提供する方法は、高周波プラズマ処理システムの整合ネットワーク内で電気的パラメータを測定することと、電気的パラメータの測定の属性を決定することと、電気的パラメータの測定の属性の第1の統計量を定義することと、フェーズ及びプロセスのうちの少なくとも一つに関する第1の統計量に基づく第2の統計量を定義することと、第1の統計量及び第2の統計量をユーザに提供することと、第1の統計量及び第2の統計量を整合ネットワーク内に保存することと、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
高周波プラズマ処理システムにおける高周波パルスのデータを提供する方法であって、
前記高周波プラズマ処理システムの整合ネットワーク内で電気的パラメータを測定することと、
前記電気的パラメータの測定の属性を決定することと、
前記電気的パラメータの測定の属性の第１の統計量を定義することと、
フェーズ及びプロセスのうちの少なくとも一つに関する第１の統計量に基づく第２の統計量を定義することと、
前記第１の統計量及び前記第２の統計量をユーザに提供することと、
前記第１の統計量及び前記第２の統計量を整合ネットワーク内に保存することと、
を備える方法。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記第１の統計量及び前記第２の統計量のうちの少なくとも一つを、前記高周波プラズマ処理システム内の電気特性の実測値と比較することを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電気特性の実測値に対する前記第１の統計量と前記第２の統計量のうちの少なくとも一つとの比較が、定義された基準内に含まれるとき、ユーザに警告を行うことを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電気特性の実測値に対する前記第１の統計量と前記第２の統計量のうちの少なくとも一つとの比較が、定義された基準内に含まれるとき、介入を行うことを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の統計量と前記第２の統計量のうちの少なくとも一つに基づいて、前記整合ネットワークのコンデンサの寿命を判断することを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の統計量と前記第２の統計量のうちの少なくとも一つに基づいて、整合ネットワーク設計パラメータを調整することを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ユーザが提供するプロセス識別、入力電力、コンデンサのプリセット位置及びコンデンサの調整位置のうちの少なくとも一つによって定義される共通のプロセス条件の下で前記第１の統計量及び前記第２の統計量をグループ化することを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記電気的パラメータの測定の属性の決定を、約１０ミリ秒未満で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の統計量と前記第２の統計量のうちの少なくとも一つに基づいて、整合ネットワーク操作パラメータを調整することを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記提供することは、前記ユーザのデータ取得速度と略同一の速度で行われる、請求項１に記載の方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願との相互参照
本願は、２０２０年１月１０日に出願された、米国仮出願第６２／９６３４４４号及び２０２１年１月８日に出願された米国非仮出願特許出願第１７／１４５２０２号の優先権を主張し、その内容は、参照によりここに組み込まれるものとする。
続きを表示（約 1,300 文字）【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
高周波（ＲＦ）プラズマプロセスは、種々のタイプの膜のエッチング、低い処理温度から中間の処理温度での薄膜の堆積並びに表面処理及び洗浄の実行のために半導体製造において広く使用されている。そのようなプロセスの特徴は、プラズマ、すなわち、反応チャンバ内の前駆体から中性種及びイオンを生成する、イオン衝撃のエネルギーを供給する及び／又は他の動作を実行するために使用される部分的にイオン化したガスを使用する。そのようなプロセス中のプラズマ密度の制御には課題があり、反応チャンバ内のプラズマの不均一性は、製造される集積回路又は他のデバイスのウエハー処理の均一性及び歩留まりに影響を及ぼす。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
反応チャンバ内の不均一なプラズマ密度は、基板全体に不均一なエッチング速度又は特定の特性を引き起こす可能性がある。特定のシステムにおいて、反応チャンバ内のプラズマ密度の均一性の監視は、プローブを用いて行われる。そのようなプローブは、コーティングに依存したプラズマ環境にさらされることがあり、プラズマ密度を推測するために能動電子機器を使用することがある。そのようなシステムは、プラズマの変化に応答するのに数ミリ秒又はそれ以上かかることがある。反応チャンバ内のプラズマ密度のプロファイルを決定するために発光分光法が使用されることもあるが、そのようなシステムは、プラズマを通る複数の視線を必要とし、不均一性を推測するために複雑な解析を使用することがある。これらの技術はいずれも、不均一性の問題を効果的に解決するのに十分な感度及び速度を有しておらず、さらに、実施にコストがかかる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本開示は、添付図面と共に読むときに以下の詳細な説明から最もよく理解される。当業界の標準的な慣行に従って、様々な特徴が縮尺通りに描かれていないことが強調される。実際、様々な特徴の寸法を、議論を明確にするために任意に増大又は減少させることができる。
【０００５】
本開示の実施形態によるＲＦプラズマ処理システムの側面概略図である。
【０００６】
本開示の実施形態による電極の様々な位置に取り付けられた高帯域幅センサを有するプラズマチャンバの概略側面図である。
【０００７】
本開示の実施形態による電気的接地への低シャント容量を有する電気コネクタを介して電圧信号を供給するセンサを有する二重プレート電極アセンブリの断面図である。
【０００８】
本開示の実施形態による高帯域幅電圧センサが埋め込まれた台座の断面図である。
【０００９】
本開示の実施形態に係る台座の概略側面図である。
【００１０】
本開示の実施形態による反応チャンバ内のプラズマが軸対称である台座の全体に亘る軸対称表面波の伝搬を示す上面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許