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公開番号2025081785
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-28
出願番号2022034019
出願日2022-03-07
発明の名称原子層堆積法用薄膜形成用原料、薄膜及び薄膜の製造方法
出願人株式会社ADEKA
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C07F 11/00 20060101AFI20250521BHJP(有機化学)
要約【課題】ALD法により残留炭素が少ない高品質なモリブデン含有薄膜を製造することができる原子層堆積法用薄膜形成用原料を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるモリブデン化合物を含有する原子層堆積法用薄膜形成用原料。
【化1】
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025081785000008.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">52</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">86</com:WidthMeasure> </com:Image> (式中、R¹～R⁵は、各々独立して、水素原子又は炭素原子数1～5のアルキル基を表す。)
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を含有する原子層堆積法用薄膜形成用原料。
JPEG
2025081785000007.jpg
52
86
（式中、Ｒ
１
～Ｒ
５
は、各々独立して、水素原子又は炭素原子数１～５のアルキル基を表す。）
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記一般式（１）中のＲ
１
～Ｒ
５
が、各々独立して、水素原子又はメチル基である、請求項１に記載の原子層堆積法用薄膜形成用原料。
【請求項３】
前記一般式（１）中のＲ
１
～Ｒ
５
の少なくとも４つが水素原子である、請求項１又は２に記載の原子層堆積法用薄膜形成用原料。
【請求項４】
請求項１～３のいずれか一項に記載の原子層堆積法用薄膜形成用原料を用いてなる薄膜。
【請求項５】
請求項１～３のいずれか一項に記載の原子層堆積法用薄膜形成用原料を用いて、原子層堆積法により、基体の表面にモリブデン原子を含有する薄膜を形成する、薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記原子層堆積法用薄膜形成用原料を気化させて得られる原料ガスを、基体が設置された成膜チャンバー内に導入する原料導入工程と、
前記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を加熱及び／又はプラズマ化して前記基体の表面にモリブデン原子を含有する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を含む、請求項５に記載の薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記原料導入工程と前記薄膜形成工程との間に、前記原子層堆積法用薄膜形成用原料を用いて前記基体の表面に前駆体薄膜を形成する前駆体薄膜形成工程をさらに含み、
前記薄膜形成工程が、反応性ガスの存在下で、前記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を加熱及び／又はプラズマ化する工程である、請求項６に記載の薄膜の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定のモリブデン化合物を含有する原子層堆積法用薄膜形成用原料、原子層堆積法用薄膜形成用原料を用いてなる薄膜及び薄膜の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
モリブデン原子を含有する薄膜は、電子デバイス、半導体デバイス、液晶部材、被覆材、耐熱材、合金、航空機の部材などに使用することができることが知られている。
【０００３】
モリブデン原子を含有する薄膜の製造方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、塗布熱分解法やゾルゲル法等のＭＯＤ法、化学気相成長法等が挙げられる。これらの中で、組成制御性、段差被覆性に優れること、量産化に適すること、ハイブリッド集積が可能である等多くの長所を有しているので、ＣＶＤ法及びＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を含む化学気相成長法が最適な製造プロセスである。
【０００４】
ＣＶＤ法及びＡＬＤ法のような化学気相成長法に用いることができる原料は種々報告されているが、ＡＬＤ法に適用可能な薄膜形成用原料は、ＡＬＤウィンドウと呼ばれる温度領域が充分な広さを有することが必要である。ＣＶＤ法に使用可能な薄膜形成用原料であっても、ＡＬＤ法に適さない場合が多くあることは当該技術分野における技術常識である。
【０００５】
モリブデンを含有する薄膜を形成する薄膜形成用原料として、様々な化合物が知られている。例えば、特許文献１には、モリブデン－オキソ－テトラ（ｓｅｃ－ブトキシド）やモリブデン－オキソ－テトラ（ｔｅｒｔ－ブトキシド）が開示されている。また、特許文献２及び３には、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミド）－ビス（ジメチルアミド）モリブデンやビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミド）－ビス（ジエチルアミド）モリブデンが開示されている。また、特許文献４には、ビス（エチル－ベンゼン）モリブデンが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特表２０１７－５３２３８５号公報
特表２０１６－５１６８９２号公報
特開２０１８－１５０６２７号公報
特表２０２１－５１０７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１～４に記載のモリブデン化合物を用いてＡＬＤ法により薄膜を製造した場合、残留炭素が少ない高品質なモリブデン原子を含有する薄膜を得ることが困難であるという問題があった。
【０００８】
従って、本発明は、残留炭素が少ない高品質なモリブデン原子を含有する薄膜（以下、「モリブデン含有薄膜」ということがある）をＡＬＤ法により製造することができる原子層堆積法用薄膜形成用原料及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有するモリブデン化合物を含有する原子層堆積法用薄膜形成用原料を用いることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表されるモリブデン化合物を含有する原子層堆積法用薄膜形成用原料である。
（【００１１】以降は省略されています）

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