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公開番号2025080386
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-26
出願番号2023193495
出願日2023-11-14
発明の名称基板処理方法及び基板処理システム
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H10K 71/20 20230101AFI20250519BHJP()
要約【課題】生産性を向上させる基板処理方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】(A)複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備することと、(B)前記電極アレイの全体に第1封止層、第2封止層、第3封止層の順に積層された3層以上の封止層を有する封止積層体であり、前記第2封止層のエッチングレートが前記第3封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成することと、(C)複数の前記電極のうち一の種類の電極が配置されていない前記封止積層体の上にマスクを形成することと、(D)前記マスクを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記一の種類の電極が露出するように、開口部に対して前記封止積層体の端部に傘形状を形成することと、(E)前記(D)の後に、前記電極アレイの全体に発光層及び電極層を形成することと、を含む、基板処理方法が提供される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備することと、
（Ｂ）前記電極アレイの全体に第１封止層、第２封止層、第３封止層の順に積層された３層以上の封止層を有する封止積層体であり、前記第２封止層のエッチングレートが前記第３封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成することと、
（Ｃ）複数の電極のうち一の種類の電極が配置されていない前記封止積層体の上にマスクを形成することと、
（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記一の種類の電極が露出するように、開口部に対して前記封止積層体の端部に傘形状を形成することと、
（Ｅ）前記（Ｄ）の後に、前記電極アレイの全体に発光層及び電極層を形成することと、
を含む、基板処理方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記封止積層体は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯのうちのいずれか一つ又は複数の組み合わせからなる、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記（Ｂ）において、前記第３封止層のエッチングレートが前記第１封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成する、
請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）において、前記第１封止層のエッチングレートが前記第３封止層のエッチングレート以上であり、かつ、前記第２封止層のエッチングレートが前記第１封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成する、
請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記（Ｂ）において、前記第２封止層のエッチングレートが前記第１封止層のエッチングレート以上であり、かつ、前記第１封止層のエッチングレートが前記第３封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成する、
請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記（Ｂ）において、前記第１封止層、前記第２封止層及び前記第３封止層のそれぞれの成膜時の処理容器内の圧力を制御することにより、前記第１封止層、前記第２封止層及び前記第３封止層のそれぞれのエッチングレートを制御する、
請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記（Ｂ）において、前記第２封止層の成膜時の処理容器内の圧力が、前記第３封止層の成膜時の前記処理容器内の圧力よりも高くなるように制御する、
請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第２封止層の成膜時の前記処理容器内の圧力は、１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）以上２００ｍＴｏｒｒ（２６．６Ｐａ）以下であり、
前記第３封止層の成膜時の前記処理容器内の圧力は、１０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ）以上１００ｍＴｏｒｒ（１３．３Ｐａ）未満である、
請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１封止層、前記第２封止層及び前記第３封止層はＳｉＮから構成され、
前記（Ｂ）において、前記第１封止層、前記第２封止層及び前記第３封止層のそれぞれの成膜時に供給するＳｉＨ
４
ガス及びＮ
２
ガスの流量比を制御することにより、前記第１封止層、前記第２封止層及び前記第３封止層のそれぞれのエッチングレートを制御する、
請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記（Ｂ）において、前記第２封止層の成膜時のＮ
２
ガスに対するＳｉＨ
４
ガスの流量比が、前記第３封止層の成膜時のＮ
２
ガスに対するＳｉＨ
４
ガスの流量比よりも小さくなるように制御する、
請求項９に記載の基板処理方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法及び基板処理システムに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機発光ダイオードディスプレイなどのディスプレイに利用されうるサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法が開示されている。上記サブピクセルは隣接するＰＤＬ（Pixel Defining Layer）構造上に形成されたオーバーハング構造を利用して有機ＥＬ（Electro Luminescence）層の塗分けをおこない、形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公報２０２２／００７７２５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、生産性を向上させる基板処理方法及び基板処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備することと、（Ｂ）前記電極アレイの全体に第１封止層、第２封止層、第３封止層の順に積層された３層以上の封止層を有する封止積層体であり、前記第２封止層のエッチングレートが前記第３封止層のエッチングレートよりも高くなるように前記封止積層体を形成することと、（Ｃ）複数の前記電極のうち一の種類の電極が配置されていない前記封止積層体の上にマスクを形成することと、（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板をエッチングすることにより、前記一の種類の電極が露出するように、開口部に対して前記封止積層体の端部に傘形状を形成することと、（Ｅ）前記（Ｄ）の後に、前記電極アレイの全体に発光層及び電極層を形成することと、を含む、基板処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
封止積層体の形成処理の一例を示すフローチャート。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
第２実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
第１基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
第２基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
処理モジュールの構成を示す断面模式図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来技術ではオーバーハング構造形成においてフォトリソグラフィ処理の回数が増加することによる工程数の増加が課題となる場合がある。また、ウェットエッチング処理時の水分や大気中の酸素の影響によるアノード電極の劣化の恐れがある。また、オーバーハング構造の柄の部分には金属層を使用する必要があり、形状制御が難しい。さらに柄の部分とカソード電極との導通を取る為、高度な指向性の蒸着技術が必要である。そこで、以下に示す各実施形態では、上記課題を解決し、生産性を向上させることができる基板処理方法について説明する。
【０００９】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
＜第１実施形態＞
基板に複数種類の有機ＥＬ素子を形成する、第１実施形態に係る基板処理方法の一例について、図１～図１７を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図２は、封止積層体の形成処理の一例を示すフローチャートである。図３～図１７は、各工程における基板の断面模式図の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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